电磁波屏蔽膜的制造方法技术

提供一种电磁波屏蔽膜的制造方法，用于制造包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜，其包括如下步骤：制造包含分散有金属纳米板的溶剂的金属纳米板溶液；以及在基板上涂布金属纳米板溶液。

Manufacturing method of electromagnetic wave shielding film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁波屏蔽膜的制造方法
本专利技术涉及一种新型电磁波屏蔽膜的制造方法。
技术介绍
随着电子产品的小型化和信息通信设备的发展，在日常生活中，由电磁波带来的危害正在逐渐增加。这种电磁波会导致周边设备的误操作或系统错误，并且会诱发疾病，从而对人体带来直接的伤害，因此，电磁波屏蔽技术的开发变得越来越重要。因此，对于能够附着于电子产品并屏蔽电磁波的电磁波屏蔽膜的需求正在增加，这种电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽能力能够由电磁波屏蔽的效率表示，具体地，能够由基于电磁波的内部吸收、电磁波的表面反射、多重反射的损失之和表示。另一方面，现有的电磁波屏蔽膜主要是通过镀覆工序制造为包含传导性膜，其中，所述传导性膜包含作为传导性物质的金属材料，在这种情况下，存在的问题在于，电磁波屏蔽膜的加工性降低，并且价格竞争力降低。因此，正在研究用于电磁波屏蔽膜的多种物质作为现有的金属材料的替代品，并且，研究利用它们的工艺条件研究。在先技术文献(非专利文献0001)FaisalShahzadetal.Mater.Sci，353(6304)，1137-1140(2016)(非专利文献0002)MohammedH.Al-Salehetal.Composites.40.92-97(2011)(非专利文献0003)BinShen，WentaoZhaiandWengeZheng，Adv.Funct.Mater.24，4542-4548(2014)
技术实现思路
技术问题在本专利技术的多个实现例中，拟通过利用金属纳米板的溶液工艺来制造电磁波屏蔽膜。技术方案在本专利技术的一实现例中，提供包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜的制造方法。所述制造方法可以包括如下步骤：制造包含分散有金属纳米板的溶剂的金属纳米板溶液；以及在基板上涂布所述金属纳米板溶液。在示例性实现例中，以100重量份的所述溶剂为基准，所述金属纳米板溶液可以包含0.01重量份至80重量份的所述金属纳米板。在示例性实现例中，能够在进行所述涂布工序时，将所述金属纳米板溶液以每次1ml的量涂布2至10次。在示例性实现例中，能够通过在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行热处理工序的步骤来锻炼金属纳米板，所述热处理工序可以在100至250℃的温度条件下进行。在示例性实现例中，能够通过在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行还原工序的步骤来锻炼金属纳米板，所述还原工序可以是化学还原工序或光学还原工序。在示例性实现例中，所述电磁波屏蔽层能够具有50nm至500μm范围的厚度。在本专利技术的另一实现例中，提供包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜的另一种制造方法。所述制造方法可以包括如下步骤：对金属纳米板进行热处理工序；在所述热处理工序之后，制造包含经热处理的金属纳米板、高分子树脂以及溶剂的金属纳米板溶液；对所述金属纳米板溶液进行声波处理以生成预制高分子树脂-金属纳米板复合体；以及对所述预制高分子树脂-金属纳米板复合体进行干燥工序以制造包含高分子树脂-金属纳米板复合体的电磁波屏蔽层。在示例性实现例中，以100重量份的所述溶剂为基准，所述金属纳米板溶液可以包含0.01至80重量份的所述高分子树脂及0.01至80重量份的金属纳米板。在示例性实现例中，能够通过所述热处理工序来锻炼金属纳米板，所述热处理工序可以在100至250℃的温度条件下进行。在示例性实现例中，所述干燥工序可以包括：第一干燥工序，在15至30℃的温度条件下进行；以及第二干燥工序，在40至60℃的温度条件下进行。在示例性实现例中，能够在制造电磁波屏蔽层之后，进一步在所述电磁波屏蔽层上形成表面保护层。有益效果根据本专利技术的电磁波屏蔽膜的制造方法，能够制造包含金属纳米板的电磁波屏蔽膜。所述金属纳米板具有与金属材料相同及类似的物性，并具有扁平比比传导性油墨材料更大的结构特征，从而具有高电磁波屏蔽性能，因此，包含其的电磁波屏蔽膜与现有的电磁波屏蔽膜相比能够具有显著提高的电磁波屏蔽效率。由此，能够制造比现有的使用金属材料的电磁波屏蔽膜更薄更轻的电磁波屏蔽膜。另外，在本专利技术的电磁波屏蔽膜的制造方法中，通过溶液工艺来制造电磁波屏蔽膜，当利用所述溶液工艺来制造电磁波屏蔽膜时，能够通过简单的工艺来制造电磁波屏蔽膜，因此，能够提高电磁波屏蔽膜的价格竞争力。另外，在本专利技术的制造方法中所使用的金属纳米板容易分散于多种溶剂、高分子等，因此，其工艺能够用于多种应用领域，并能够提高工艺效率性。附图说明图1是概略地示出按照实施例1至11所制造的屏蔽膜的制造步骤的概略图。图2是概略地示出按照实施例12或13所制造的屏蔽膜的制造步骤的概略图。图3a及3b是在本专利技术的实施例中所使用的铜纳米板的光学显微镜照片。图4是在本专利技术的实施例中所使用的铜纳米板的SEM照片。图5a及5b是拍摄按照实施例1所制造的电磁波屏蔽膜的表面的光学显微镜照片。图6是拍摄按照实施例1所制造的电磁波屏蔽膜的表面的SEM照片。图7a及7b是拍摄按照实施例1所制造的电磁波屏蔽膜的截面的SEM照片。图8a及8b分别是拍摄按照实施例12及13所制造的电磁波屏蔽膜的表面的光学显微镜照片。图9是拍摄按照实施例12所制造的电磁波屏蔽膜的截面的SEM照片。图10是示出按照比较例1所制造的电磁波屏蔽膜的屏蔽性能的图。图11是示出按照实施例1所制造的电磁波屏蔽膜的屏蔽性能的图。图12是示出按照实施例2至5所制造的电磁波屏蔽膜的屏蔽性能的图。图13是示出按照实施例3、5、6以及7所制造的电磁波屏蔽膜的屏蔽性能的图。图14是示出按照实施例8至11所制造的电磁波屏蔽膜的屏蔽性能的图。图15是示出按照实施例12及13所制造的电磁波屏蔽膜的屏蔽性能的图。图16a及16b示出本专利技术的实现例所包括的铜纳米板的电子背散射衍射分析的结果。图17示出拍摄在本专利技术的电磁波屏蔽膜中以改变金属纳米板的负载量的方式所制造的电磁波屏蔽膜的表面的光学照片。图18是示出在本专利技术的电磁波屏蔽膜中金属纳米板所层叠的覆盖率的SEM照片。图19a及19b是示出在本专利技术的电磁波屏蔽膜中形成于PI薄膜上的铜纳米板的板状层叠结构的SEM照片。图20a至20g是示出在本专利技术的电磁波屏蔽膜中改变金属纳米板的负载量时的板状层叠结构的SEM照片。图21是示出本专利技术的电磁波屏蔽膜的板状层叠结构的X射线图像。图22是示出在本专利技术的电磁波屏蔽膜中根据单位面积金属纳米板的负载量而变化的面电阻及电磁干扰屏蔽效能(EMISE)的图。图23是示出在本专利技术的电磁波屏蔽膜中根据单位面积金属纳米板的负载量而变化的传导率的图。图24是示出在本专利技术的电磁波屏蔽膜中根据单位面积金属纳米板的负载量而变化的电磁干扰屏蔽效能的图。图25是比较本专利技术的电磁波屏蔽膜与经热蒸镀的铜单一薄膜的电磁干扰屏蔽效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁波屏蔽膜的制造方法，用于制造包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜，其特征在于，包括如下步骤：/n制造包含分散有金属纳米板的溶剂的金属纳米板溶液；以及/n在基板上涂布所述金属纳米板溶液。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180105 KR 10-2018-0001674;20181210 KR 10-2018-011.一种电磁波屏蔽膜的制造方法，用于制造包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜，其特征在于，包括如下步骤：
制造包含分散有金属纳米板的溶剂的金属纳米板溶液；以及
在基板上涂布所述金属纳米板溶液。


2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
以100重量份的所述溶剂为基准，所述金属纳米板溶液包含0.01重量份至80重量份的所述金属纳米板。


3.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
进一步包括在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行热处理工序或还原工序以制造电磁波屏蔽层的步骤。


4.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
所述制造方法进一步包括在所述电磁波屏蔽层上形成表面保护层的步骤。


5.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
在所述涂布步骤中，将金属纳米板以0.2～100mg/cm2的负载量涂布到所述基板上。


6.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
在进行所述涂布工序时，将所述金属纳米板溶液以每次1ml的量涂布2至10次。


7.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
通过在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行热处理工序的步骤来锻炼金属纳米板，
所述热处理工序在100至250℃的温度条件下进行。


8.根据权利要求7所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
通过在涂布有所述金属纳米板溶液的基板上进行还原工序的步骤来锻炼金属纳米板，
所述还原工序为化学还原工序或光学还原工序。


9.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
所述电磁波屏蔽层具有50nm至500μm范围的厚度。


10.一种电磁波屏蔽膜的制造方法，用于制造包括电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽膜，其特征在于，包括如下步骤：
对金属纳米板进行热处理工序；
在所述热处理工序之后，制造包含经热处理的金属纳米板、高分子树脂以及溶剂的金属纳米板溶液；
对所述金属纳米板溶液进行声波处理以生成预制高分子树脂-金属纳米板复合体；以及
对所述预制高分子树脂-金属纳米板复合体进行干燥工序以制造包含高分子树脂-金属纳米板复合体的电磁波屏蔽层。


11.根据权利要求10所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
在所述金属纳米板溶液中，以100重量份的所述溶剂为基准，包含0.01至80重量份的所述高分子树脂及0.01至80重量份的金属纳米板。


12.根据权利要求10所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
通过所述热处理工序来锻炼金属纳米板，所述热处理工序在100至250℃的温度条件下进行。


13.根据权利要求10所述的电磁波屏蔽膜的制造方法，其特征在于，
所述干燥工序包括：
第一干燥工序，在15至30℃的温度条件下进行；以及
第二干燥工序，在40至60℃的温度条件下进行。


14.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔镐光，文炳晙，李东洙，裵秀康，李承起，李常贤，金兑昱，
申请(专利权)人：韩国科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR