半导体层的电性缺陷浓度评价方法以及半导体元件技术

作为一个实施方式，提供一种半导体层的电性缺陷浓度评价方法，包括以下步骤：对包括作为半导体层的GaN层(12)的半导体元件(1)施加电压并测定电流；以及使用测定出的电流的值来导出GaN层(12)中的电性缺陷浓度。

Evaluation method of electric defect concentration of semiconductor layer and semiconductor components

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体层的电性缺陷浓度评价方法以及半导体元件
本专利技术涉及一种半导体层的电性缺陷浓度评价方法以及半导体元件。
技术介绍
在晶体管等半导体元件中，当电子、空穴被半导体层中的由杂质、缺陷等形成的缺陷能级(陷阱能级)俘获时，引起漏电流的产生、阈值电压的变动。因此，为了制造可靠性高的半导体元件，重要的是获知半导体层的电性缺陷(由原子缺失、残留杂质产生的缺陷)的浓度。电性缺陷的浓度与载流子浓度及已被缺陷能级俘获的电荷的浓度的合计大致相等。以往，已知有从CV曲线(表示电容器电容与栅极电压的关系的曲线)轮廓读取半导体层中的载流子浓度轮廓的方法(例如，参照非专利文献1)。现有技术文献非专利文献非专利文献1：O.Ambacher,etal.,“Two-dimensionalelectrongasesinducedbyspontaneousandpiezoelectricpolarizationchargesinN-andGa-faceAlGaN/GaNheterostructures(在N面与Ga面AlGaN/GaN异质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体层的电性缺陷浓度评价方法，包括以下步骤：/n对半导体层施加电压并测定电流；以及/n使用测定出的所述电流的值来导出所述半导体层中的电性缺陷浓度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170824 JP 2017-1616041.一种半导体层的电性缺陷浓度评价方法，包括以下步骤：
对半导体层施加电压并测定电流；以及
使用测定出的所述电流的值来导出所述半导体层中的电性缺陷浓度。


2.根据权利要求1所述的半导体层的电性缺陷浓度评价方法，其中，
使用所述半导体层的低电位侧的电流的值来导出所述半导体层中的电性缺陷浓度。


3.根据权利要求1所述的半导体层的电性缺陷浓度评价方法，其中，
使用所述半导体层的低电位侧的电流的值与高电位侧的电流的值之差来导出所述半导体层中的电性缺陷浓度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：角岛邦之，星井拓也，若林整，筒井一生，岩井洋，山本大贵，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP