读出放大器、半导体装置及它们的工作方法以及电子设备制造方法及图纸

提供一种不容易受到晶体管的特性不均匀的影响的读出放大器、半导体装置及其工作方法。读出放大器所包括的放大器电路包括第一电路及第二电路。第一电路及第二电路分别包括反相器、第一晶体管、第二晶体管及电容器。电容器的第一端子与第一位线连接，第二端子与反相器的输入端子连接。第一晶体管被用作使反相器的输入端子与输出端子成为导通或非导通的开关，第二晶体管被用作使反相器的输出端子与第二位线成为导通或非导通的开关。第一电路及第二电路通过反相器的输入端子与输出端子之间变为导通状态时得到的电位被初始化。

Readout amplifiers, semiconductor devices and their working methods and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】读出放大器、半导体装置及它们的工作方法以及电子设备
本专利技术的一个实施方式涉及一种读出放大器或半导体装置。尤其是，本专利技术的一个实施方式涉及一种在存储装置从存储单元读出数据时使用的读出放大器。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。存储装置、显示装置、发光装置、电光装置、蓄电装置、半导体电路以及电子设备有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个实施方式涉及一种工序、机器、产品或组合物。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)作为典型的存储器广泛地使用。DRAM具有如下特征：在原理上能够无限制地进行写入；写入及读出的速度快；因单元的元件数量少而容易实现高集成化等。并且，DRAM作为大容量存储器组装于多种电子设备。一般来说，DRAM中的存储单元(以下也称为DRAM单元)由一个晶体管(1T)及一个电容器(1C)构成，并且与位线及字线电连接。晶体管的栅极与字线电连接，晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n反相器；/n第一晶体管；/n第二晶体管；/n电容器；/n输入部；以及/n输出部，/n其中，所述半导体装置与第一控制线及第二控制线电连接，/n所述电容器的第一端子与所述输入部电连接，/n所述电容器的第二端子与所述反相器的输入端子电连接，/n所述第一晶体管切换所述反相器的所述输入端子与输出端子之间的导通和非导通，/n所述第二晶体管切换所述反相器的所述输出端子与所述输出部之间的导通和非导通，/n所述第一晶体管的栅极与所述第一控制线电连接，/n并且，所述第二晶体管的栅极与所述第二控制线电连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170824 JP 2017-1613201.一种半导体装置，包括：
反相器；
第一晶体管；
第二晶体管；
电容器；
输入部；以及
输出部，
其中，所述半导体装置与第一控制线及第二控制线电连接，
所述电容器的第一端子与所述输入部电连接，
所述电容器的第二端子与所述反相器的输入端子电连接，
所述第一晶体管切换所述反相器的所述输入端子与输出端子之间的导通和非导通，
所述第二晶体管切换所述反相器的所述输出端子与所述输出部之间的导通和非导通，
所述第一晶体管的栅极与所述第一控制线电连接，
并且，所述第二晶体管的栅极与所述第二控制线电连接。


2.一种半导体装置，包括：
反相器；
第一晶体管；
第二晶体管；
输入部；以及
输出部，
其中，所述半导体装置与第一控制线及第二控制线电连接，
所述反相器的输入端子与所述输入部电连接，
所述第一晶体管切换所述反相器的输入端子与输出端子之间的导通和非导通，
所述第二晶体管切换所述反相器的所述输出端子与所述输出部之间的导通和非导通，
所述第一晶体管的栅极与所述第一控制线电连接，
并且，所述第二晶体管的栅极与所述第二控制线电连接。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中所述半导体装置进行初始化工作，
并且所述初始化工作包括利用所述第一晶体管使所述反相器的所述输入端子与所述输出端子之间成为导通状态的工作。


4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一晶体管在其沟道形成区域中包含金属氧化物。


5.一种读出放大器，包括：
放大器电路；以及
预充电电路，
其中，所述读出放大器与第一布线及第二布线电连接，
所述预充电电路将所述第一布线及所述第二布线设定为第一电位，
所述放大器电路包括第一电路及第二电路，
所述第一电路包括第一反相器、第一晶体管、第二晶体管及第一电容器，
所述第二电路包括第二反相器、第三晶体管、第四晶体管及第二电容器，
所述第一电容器的第一端子与所述第一布线电连接，
所述第一电容器的第二端子与所述第一反相器的输入端子电连接，
所述第一晶体管切换所述第一反相器的所述输入端子与输出端子之间的导通和非导通，
所述第二晶体管切换所述第一反相器的所述输出端子与所述第二布线之间的导通和非导通，
所述第二电容器的第一端子与所述第二布线电连接，
所述第二电容器的第二端子与所述第二反相器的输入端子电连接，
所述第三晶体管切换所述第二反相器的所述输入端子与输出端子之间的导通和非导通，
并且，所述第四晶体管切换所述第二反相器的所述输出端子与所述第一布线之间的导通或非导通。


6.一种读出放大器，包括：
放大器电路；以及
预充电电路，
其中，所述读出放大器与第一布线及第二布线电连接，
所述预充电电路将所述第一布线及所述第二布线设定为第一电位，
所述放大器电路包括第一电路及第二电路，
所述第一电路包括第一反相器、第一晶体管、第二晶体管、第一电容器及第一导电体，
所述第二电路包括第二反相器、第三晶体管、第四晶体管、第二电容器及第二导电体，
所述第一电容器的第一端子与所述第一布线电连接，
所述第一反相器包括第五晶体管及第六晶体管，
所述第一电容器的第二端子通过所述第一导电体与所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极中的一个或两个电连接，
所述第一导电体为所述第一电容器的电极，
所述第一晶体管切换所述第一反相器的所述输入端子与输出端子之间的导通和非导通，
所述第二晶体管切换所述第一反相器的所述输出端子与所述第二布线之间的导通和非导通，
所述第二电容器的第一端子与所述第二布线电连接，
所述第二反相器包括第七晶体管及第八晶体管，
所述第二电容器的第二端子通过所述第二导电体与所述第七晶体管的栅极和所述第八晶体管的栅极中的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，木村肇，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP