深紫外发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种深紫外发光装置，涉及LED技术领域，该深紫外发光装置包括基板、光学透镜、密封垫圈、透光盖以及至少一个深紫外LED芯片，其中，深紫外LED芯片焊接在基板的第一表面上，密封垫圈设置在第一表面上并围绕在深紫外LED芯片的外围；光学透镜抵接在密封垫圈背离基板的一侧；透光盖设置在光学透镜上方并与光学透镜抵接，透光盖与基板连接，透光盖上设置有透光部，透光部对准光学透镜。本发明专利技术提供的深紫外发光装置结构简单，封装严密，且深紫外LED芯片发出的紫外光仅需穿过光学透镜，因此紫外光取出效率高，解决了深紫外LED发光装置结构复杂、紫外光取出效率低的问题。

Deep UV light device

【技术实现步骤摘要】
深紫外发光装置
本专利技术涉及LED
，尤其涉及一种深紫外发光装置。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，以下简称LED)包括紫外LED，紫外LED一般指发光中心波长在400nm以下的LED，发光波长大于380nm时称为近紫外LED，短于300nm时称为深紫外LED，深紫外发光LED在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景。相较于传统的紫外光源汞灯，深紫外发光二极管具有环保、小巧便携、低功耗等诸多优点，受到越来越多的关注和重视。传统的深紫外发光装置中，深紫外LED芯片通常封装在壳体内形成封装元件，多个封装元件二次焊接在基板上。二次焊接封装元件时，容易影响封装元件中深紫外LED芯片的性能，或导致封装元件开裂，可靠性差，而且多次封装会影响紫外光线的释出，导致紫外光取出效率低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种深紫外发光装置，用以解决深紫外LED发光装置结构复杂、紫外光取出效率低的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：本专利技术实施例提供一种深紫外发光装置，包括基板、光学透镜、密封垫圈、透光盖以及至少一个深紫外LED芯片，其中，所述深紫外LED芯片焊接在所述基板的第一表面上，所述密封垫圈设置在所述第一表面上并围绕在所述深紫外LED芯片的外围；所述光学透镜抵接在所述密封垫圈背离所述基板的一侧；所述透光盖设置在所述光学透镜上方并与所述光学透镜抵接，所述透光盖与所述基板连接，所述透光盖上设置有透光部，所述透光部对准所述光学透镜。与现有技术相比，本专利技术实施例提供的深紫外发光装置具有如下优点：本专利技术实施例提供的深紫外发光装置深紫外发光装置包括基板、光学透镜、密封垫圈、透光盖以及至少一个深紫外LED芯片，深紫外LED芯片焊接在基板上，密封垫圈、光学透镜以及透光盖依次扣合在基板上，形成容纳深紫外LED芯片的空间，整体结构简单，封装严密，且深紫外LED芯片发出的紫外光仅需穿过光学透镜，因此紫外光取出效率高，解决了深紫外LED发光装置结构复杂、紫外光取出效率低的问题。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述基板为陶瓷基板或金属基板。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述透光盖的边缘设置有多个第一连接孔，所述基板的边缘对应设置有多个第二连接孔，所述透光盖与所述基板通过穿过所述第一连接孔和第二连接孔的螺栓连接。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述基板的第一表面设置有用于与所述密封垫圈配合的卡接槽。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述基板的第一表面设置有容纳槽，所述深紫外LED芯片焊接在所述容纳槽内。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述容纳槽的内壁上设置有反射涂层。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述深紫外LED芯片的数量为多个，所述基板的第一表面设置有多个围坝，每个所述深紫外LED芯片焊接在一个所述围坝内。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述围坝的内壁上设置有反射涂层。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述基板的第一表面沿周向设置有凸台，所述凸台上设置有用于与所述密封垫圈配合的卡接槽。作为本专利技术实施例深紫外发光装置的一种改进，所述透光盖扣合在所述凸台上并与所述凸台连接。除了上面所描述的本专利技术解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本专利技术实施例提供的深紫外发光装置所能够解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本专利技术实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一部分实施例，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例一提供的深紫外发光装置的结构示意图一；图2为图1的俯视图；图3为本专利技术实施例一提供的深紫外发光装置的结构示意图二；图4为本专利技术实施例二提供的深紫外发光装置的结构示意图；图5为本专利技术实施例三提供的深紫外发光装置的结构示意图。附图标记说明：100-基板；110-第一连接孔；120-卡接槽；130-围坝；140-凸台；200-光学透镜；300-密封垫圈；400-透光盖；410-第二连接孔；420-透光部；500-深紫外LED芯片；600-金属引脚；700-环形螺丝。具体实施方式由于深紫外LED的晶体生长质量较差，外量子效率低于10％，因此光辐射效率很低，而且为了获取较高的光功率，较高的输入功率会导致深紫外LED的发热问题严重。传统的深紫外发光装置中，通常使用导热系数优良的金属材料或陶瓷材料搭配光学透镜，通过胶水粘接构成壳体，将深紫外LED芯片封装在壳体内形成封装元件，多个封装元件二次焊接在基板上，基板再被设置在封闭的保护壳中。传统的深紫外发光装置存在较多缺点：一方面，由于有机胶水键能低，很容易被深紫外光破坏而发生劣化，容易开胶导致光学透镜脱落，且胶水中有机物的挥发还会造成紫外光光衰等，在解决上述问题时，相关技术通常采用低熔点合金材料替代有机胶水，或者以激光石英玻璃实现封装，但这样的方式工艺复杂，金属材料及制作工艺成本较高，激光烧熔或焊接产生的高温还会影响到深紫外LED芯片的性能，可靠性差；另一方面，传统的深紫外发光装置将深紫外LED芯片多次封装，形成了多个空气-透镜界面，由于深紫外发光装置发射出的紫外光在多个界面处会发生全反射和吸收，因此多次封装不利于紫外光的释出，导致紫外光取出效率低。针对传统的深紫外发光装置多次封装可靠性差且紫外光取出效率低的缺陷，本专利技术实施例提供了一种改进的技术方案，在该技术方案中，深紫外发光装置包括基板、光学透镜、密封垫圈、透光盖以及至少一个深紫外LED芯片，深紫外LED芯片焊接在基板上，密封垫圈、光学透镜以及透光盖依次扣合在基板上，形成了容纳深紫外LED芯片的空间，本专利技术实施例提供的深紫外发光装置整体结构简单，封装严密，且深紫外LED芯片发出的紫外光仅需穿过光学透镜，因此紫外光取出效率高，解决了深紫外LED发光装置结构复杂、紫外光取出效率低的问题。为了使本专利技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外发光装置，其特征在于，包括基板、光学透镜、密封垫圈、透光盖以及至少一个深紫外LED芯片，其中，/n所述深紫外LED芯片焊接在所述基板的第一表面上，所述密封垫圈设置在所述第一表面上并围绕在所述深紫外LED芯片的外围；/n所述光学透镜抵接在所述密封垫圈背离所述基板的一侧；/n所述透光盖设置在所述光学透镜上方并与所述光学透镜抵接，所述透光盖与所述基板连接，所述透光盖上设置有透光部，所述透光部对准所述光学透镜。/n

【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光装置，其特征在于，包括基板、光学透镜、密封垫圈、透光盖以及至少一个深紫外LED芯片，其中，
所述深紫外LED芯片焊接在所述基板的第一表面上，所述密封垫圈设置在所述第一表面上并围绕在所述深紫外LED芯片的外围；
所述光学透镜抵接在所述密封垫圈背离所述基板的一侧；
所述透光盖设置在所述光学透镜上方并与所述光学透镜抵接，所述透光盖与所述基板连接，所述透光盖上设置有透光部，所述透光部对准所述光学透镜。


2.根据权利要求1所述的深紫外发光装置，其特征在于，所述基板为陶瓷基板或金属基板。


3.根据权利要求1所述的深紫外发光装置，其特征在于，所述基板的边缘设置有多个第一连接孔，所述透光盖的边缘对应设置有多个第二连接孔，所述基板与所述透光盖通过穿过所述第一连接孔和第二连接孔的螺栓连接。


4.根据权利要求1所述的深紫外发光装置，其特征在于，所述基板的第一表面设置有用于与...

【专利技术属性】
技术研发人员：康建，姚禹，宋慨，郑远志，陈向东，梁旭东，
申请(专利权)人：圆融光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34