一种高品质LED光源的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种高品质LED光源的制作方法，按照以下步骤制造：步骤S1：固晶，步骤S2：固晶烘烤，步骤S3：焊线，步骤S4：围坝，步骤S5：围坝烘烤，步骤S6：点荧光粉胶，步骤S7：荧光粉沉降，步骤S8：荧光粉胶烘烤，步骤S9：裂片分板，步骤S10：分光，步骤S11：包装，步骤S1中调整固焊图，使LED阵列的正负极分布交错，步骤S6中，改变点胶位置，步骤S7中，调整沉降过程的水平度，使荧光粉先朝正极偏移5min～60min后再放置水平台面。通过工艺设计或者结构调整消除或者降低P‑N结阻容效应对荧光粉沉降过程的影响，或是通过BOM结构调整消除或者降低P‑N结阻容效应对荧光粉沉降过程的影响，光均匀性明显改善，荧光粉分布不均的问题得到彻底改善。

A manufacturing method of high quality LED light source

【技术实现步骤摘要】
一种高品质LED光源的制作方法
本专利技术涉及LED制造
，特别是一种高品质LED光源的制作方法。
技术介绍
多晶阵列型蓝光激发荧光粉的LED光源在存在出光面出光亮度和光色不均的问题；如图1至图5，这种出光不均表现在荧光粉偏聚到LED整列的负极方向，导致靠光源正极部分区域出光偏蓝（偏向高色温），靠负极部分区域出光偏黄（偏向低色温），对荧光粉沉降工艺的LED产品影响更为明显；光源电压越高，LED出光面越大，这种面出光不均问题越明显；这种面出光不均的产生原因是因为LED芯片存在P-N结的阻容效应且荧光粉存在Zeta电位，两者共同影响。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种高品质LED光源的制作方法，调整消除或者降低P-N结阻容效应对荧光粉沉降过程的影响。本专利技术实施例中采用以下方案实现：提供一种高品质LED光源的制作方法,按照以下步骤制造：步骤S1：固晶，步骤S2：固晶烘烤，步骤S3：焊线，步骤S4：围坝，步骤S5：围坝烘烤，步骤S6：点荧光粉胶，步骤S7：荧光粉沉降，步骤S8：荧光粉胶烘烤，步骤S9：裂片分板，步骤S10：分光，步骤S11：包装；步骤S1中调整固焊图，使LED阵列的正负极分布交错，降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S6中，改变点胶位置降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S7中，调整沉降过程的水平度，使荧光粉先朝正极偏移5min～60min后，再放置水平台面，抵消因P-N结阻容效应而导致的荧光粉向负极偏置的影响。本专利技术一实施例中，所述步骤S7中还采用加速沉降的方式减轻阻容效应影响，所述加速沉降采用以下方式：离心沉降，或是超声波震动，或是热沉降，所述热沉降为烤箱沉降，或隧道炉沉降，或热板沉降。本专利技术一实施例中，所述步骤S7中还通过沉降前或者沉降过程中正负极短接的方式，使P-N结阻容放电，消除P-N结阻容效应对荧光粉偏聚的影响，改善发光面出光颜色和亮度的均匀性。本专利技术一实施例中，所述步骤S7中还通过在沉降过程中引入外置电磁场的方式，控制外置电磁场的强弱来抵消P-N结阻容效应产生的电磁场，消除P-N结阻容效应对荧光粉偏聚的影响，改善发光面出光颜色和亮度的均匀性，引入外置电磁场能有效控制荧光粉在沉降过程中的分布。本专利技术那个一实施例中，步骤S6中先在晶片表面先涂布一层致密涂层的方式，使荧光粉胶和晶片P-N结之间形成一层隔绝层，再进行点荧光粉胶，以此降低P-N结阻容效应对荧光粉偏聚的影响，这种致密涂层可以是防硫化剂也可以是高致密度的硅胶等。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种高品质LED光源的制作方法，通过工艺设计或者结构调整消除或者降低P-N结阻容效应对荧光粉沉降过程的影响，或是通过BOM结构调整消除或者降低P-N结阻容效应对荧光粉沉降过程的影响，通过以上方式能够明显改善阵列型LED光源的面出光品质，特别是针对高电压，大发光面的LED阵列光源改善效果尤其明显；改善前LED光源存在明显的荧光粉偏聚，且表现为靠近正极区域荧光粉分布少，靠近负极区域荧光分布多，通过制作方法的方式改善后LED光源面出光均匀性明显改善，荧光粉分布不均的问题得到彻底改善。附图说明图1是电压正偏置的扩散电容示意图。图2是电压反向偏置势磊电容示意图。图3是荧光粉颗粒的Zeta电位示意图。图4是LED芯片发生扩散电容，即产生P-N结阻容效应的示意图。图5是LED芯片发生扩散电容，即产生P-N结阻容效应的电显示意图。图6是实物点胶过程图。图7是工艺改善后的LED电显图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步说明。请参阅图1至图7，本专利技术提供一种高品质LED光源的制作方法,按照以下步骤制造：步骤S1：固晶，步骤S2：固晶烘烤，步骤S3：焊线，步骤S4：围坝，步骤S5：围坝烘烤，步骤S6：点荧光粉胶，步骤S7：荧光粉沉降，步骤S8：荧光粉胶烘烤，步骤S9：裂片分板，步骤S10：分光，步骤S11：包装；步骤S1中调整固焊图，使LED阵列的正负极分布交错，降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S6中，改变点胶位置降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S7中，调整沉降过程的水平度，使荧光粉先朝正极偏移5min～60min后，再放置水平台面，抵消因P-N结阻容效应而导致的荧光粉向负极偏置的影响，较佳的偏移时间可以为5min、6min、7min以此类推到60min。请继续参阅图6至图7，本专利技术一实施例中，所述步骤S7中还采用加速沉降的方式减轻阻容效应影响，所述加速沉降采用以下方式：离心沉降，或是超声波震动，或是热沉降，所述热沉降为烤箱沉降，或隧道炉沉降，或热板沉降。本专利技术一实施例中，所述步骤S7中还通过沉降前或者沉降过程中正负极短接的方式，使P-N结阻容放电，消除P-N结阻容效应对荧光粉偏聚的影响，改善发光面出光颜色和亮度的均匀性。本专利技术一实施例中，所述步骤S7中还通过在沉降过程中引入外置电磁场的方式，控制外置电磁场的强弱来抵消P-N结阻容效应产生的电磁场，消除P-N结阻容效应对荧光粉偏聚的影响，改善发光面出光颜色和亮度的均匀性，引入外置电磁场能有效控制荧光粉在沉降过程中的分布。本专利技术那个一实施例中，步骤S6中先在晶片表面先涂布一层致密涂层的方式，使荧光粉胶和晶片P-N结之间形成一层隔绝层，再进行点荧光粉胶，以此降低P-N结阻容效应对荧光粉偏聚的影响，这种致密涂层可以是防硫化剂也可以是高致密度的硅胶等。本专利技术具有以下工作原理：控制外置电磁场的强弱来抵消P-N结阻容效应产生的电磁场；正负极短接，使P-N结阻容放电，消除P-N结阻容效应；正负极分布交错，降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；改变点胶位置降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；调整沉降过程的水平度，使荧光粉先朝正极偏移一段时间后再放置水平台面，抵消因P-N结阻容效应而导致的荧光粉向负极偏置的影响。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，不能理解为对本申请的限制，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高品质LED光源的制作方法，按照以下步骤制造：步骤S1：固晶，步骤S2：固晶烘烤，步骤S3：焊线，步骤S4：围坝，步骤S5：围坝烘烤，步骤S6：点荧光粉胶，步骤S7：荧光粉沉降，步骤S8：荧光粉胶烘烤，步骤S9：裂片分板，步骤S10：分光，步骤S11：包装，其特征在于：步骤S1中调整固焊图，使LED阵列的正负极分布交错，降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S6中，改变点胶位置降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S7中，调整沉降过程的水平度，使荧光粉先朝正极偏移5min～60min后，再放置水平台面，抵消因P-N结阻容效应而导致的荧光粉向负极偏置的影响。/n

【技术特征摘要】
1.一种高品质LED光源的制作方法，按照以下步骤制造：步骤S1：固晶，步骤S2：固晶烘烤，步骤S3：焊线，步骤S4：围坝，步骤S5：围坝烘烤，步骤S6：点荧光粉胶，步骤S7：荧光粉沉降，步骤S8：荧光粉胶烘烤，步骤S9：裂片分板，步骤S10：分光，步骤S11：包装，其特征在于：步骤S1中调整固焊图，使LED阵列的正负极分布交错，降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S6中，改变点胶位置降低因荧光粉因为P-N结阻容效应导致的荧光粉分布偏聚问题；步骤S7中，调整沉降过程的水平度，使荧光粉先朝正极偏移5min～60min后，再放置水平台面，抵消因P-N结阻容效应而导致的荧光粉向负极偏置的影响。


2.根据权利要求1所述的一种高品质LED光源的制作方法，其特征在于：所述步骤S7中还采用加速沉降的方式减轻阻容效应影响，所述加速沉降采用以下方式：离心沉降，或是超声波震动，或是热...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊毅，邓德兵，李恒彦，张智鸿，袁瑞鸿，洪国展，万喜红，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35