一种用于MOSFET驱动的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电学领域，尤其涉及一种用于MOSFET驱动的驱动电路，包括：开关电路和分压电路；所述开关电路的第一端与第一控制端连接，第二端与分压电路连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路导通时，将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压；所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接，第二端与MOSFET的栅极连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路断开时，拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。本实用新型专利技术具备以下有益效果：1.当开关电路导通时，能够将MOSFET的栅极电压迅速拉到公共地电压，从而使得MOSFET的迅速断开；2.同时简化电路结构，只需要一个三极管就能实现MOSFET的驱动，节约了成本。

A driving circuit for MOSFET Driver

【技术实现步骤摘要】
一种用于MOSFET驱动的驱动电路
本技术涉及电学领域，尤其涉及一种用于MOSFET驱动的驱动电路。
技术介绍
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已越来越普及。MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点已成为开关电源最常用的功率开关器件之一。而驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。在很多MOSFET驱动电路中，常包含多个三极管，成本高，而且MOSFET的响应速度慢。如图1所示，现有的MOSFET驱动电路包括：三极管Q4A、Q4B、Q7B、Q7A、电容R44、R49、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于MOSFET驱动的驱动电路，其特征在于，包括：开关电路和分压电路；/n所述开关电路的第一端与第一控制端连接，第二端与分压电路连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路导通时，将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压；/n所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接，第二端与MOSFET的栅极连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路断开时，拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于MOSFET驱动的驱动电路，其特征在于，包括：开关电路和分压电路；
所述开关电路的第一端与第一控制端连接，第二端与分压电路连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路导通时，将MOSFET的栅极电压拉到公共地电压；
所述分压电路的第一端与第二控制端以及开关电路连接，第二端与MOSFET的栅极连接，第三端与公共地连接，用于当开关电路断开时，拉高MOSFET的栅极电压以驱动MOSFET。


2.根据权利要求1所述的一种用于MOSFET驱动的驱动电路，其特征在于，所述开关电路包括：三极管Q1，所述三极管Q1的基极与第一控制端以及电源端VDD连接，集电极与MOSFET的栅极连接，发射极与公共地连接。


3.根据权利要求1所述的一种用于MOSFET驱动的驱动电路，其特征在于，所述分压电路包...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈雪欢，周超，何志强，
申请(专利权)人：浙江亚特电器有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33