一种场控型电力电子器件的高速驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种场控型电力电子器件的高速驱动电路，涉及电力电子技术领域。该电路包括依次连接的信号隔离子电路、放大子电路和开关子电路；所述开关子电路包括连接于所述放大子电路的第一电容和第二电容，所述第一电容通过第一电阻连接于第一二极管和第二二极管，所述第一电容还连接有PMOS管，所述第二电容通过第二电阻连接于第三二极管和第四二极管，所述第二电容还连接有NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管分别通过第三电阻和第四电阻连接于电力电子器件；所述PMOS管连接于第一电源电压，所述NMOS管接地。本实用新型专利技术电路的驱动速度更快，能够适应更高频率的驱动需要。

A high speed driving circuit for field controlled power electronic devices

【技术实现步骤摘要】
一种场控型电力电子器件的高速驱动电路
本技术涉及电力电子
，特别是涉及一种电力电子器件的高速驱动电路。
技术介绍
图腾柱电路一般用于驱动电力MOS管(MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体管)或IGBT管(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)，为电力MOS管或IGBT管提供足够的灌电流和拉电流。在传统的图腾柱电路中，一般通过一个NMOS管连接一个PMOS管构成，NMOS管的源极与PMOS管的源极相连，NMOS管的漏极接电源电压，PMOS管的漏极接地或负电压。该电路的优点是可以使用一个控制信号同时施加在NMOS管和PMOS管的栅极，从而控制NMOS管和PMOS管的导通或关断。当控制信号为高电平的时候，NMOS管导通，PMOS管关断，电源通过NMOS管的导通电阻给电力电子器件IGBT的栅射极电容充电；当控制信号为低电平时，NMOS管关断，PMOS管导通，电源通过PMOS管的导通电阻使电力电子器件IGBT的栅射极电容放电。图腾柱电路的优点是电力电子器件IGBT的栅射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场控型电力电子器件的高速驱动电路，其特征在于，所述电路包括依次连接的信号隔离子电路、放大子电路和开关子电路；/n所述开关子电路包括连接于所述放大子电路的第一电容和第二电容，所述第一电容通过第一电阻连接于第一二极管和第二二极管，所述第一电容还连接有PMOS管，所述第二电容通过第二电阻连接于第三二极管和第四二极管，所述第二电容还连接有NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管分别通过第三电阻和第四电阻连接于电力电子器件；所述PMOS管连接于第一电源电压，所述NMOS管接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种场控型电力电子器件的高速驱动电路，其特征在于，所述电路包括依次连接的信号隔离子电路、放大子电路和开关子电路；
所述开关子电路包括连接于所述放大子电路的第一电容和第二电容，所述第一电容通过第一电阻连接于第一二极管和第二二极管，所述第一电容还连接有PMOS管，所述第二电容通过第二电阻连接于第三二极管和第四二极管，所述第二电容还连接有NMOS管，所述PMOS管和所述NMOS管分别通过第三电阻和第四电阻连接于电力电子器件；所述PMOS管连接于第一电源电压，所述NMOS管接地。


2.根据权利要求1所述的场控型电力电子器件的高速驱动电路，其特征在于，所述第一电容的一端连接于所述放大子电路、另一端连接于所述PMOS管的栅极和第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接于所述第一二极管的阴极和所述第二二极管阳极，所述第一二极管的阳极和所述第二二极管的阴极连接于所述第一电源电压；
所述PMOS管的源极连接于所述第一电源电压，所述PMOS管的漏极连接于所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接于所述电力电子器件的栅极；
所述第二电容的一端连接于所述放大子电路、另一端连接于所述NMOS管的栅极和所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端连接于所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阳极，所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极接地；
所述NMOS管的漏极连接于所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接于所述电力电子器件的栅极，所述NMOS管的源极接地。


3.根据权利要求2所述的场控型电力电子器件的高速驱动电路，其特征在于，所述开关子电路还包括第三电容和第五二极管；所述第三电容的一端连接于第一电源电压和所述PMOS管的源极，另一端接地；
所述第五二极管的阳极接地、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雪原，张绍全，唐琦林，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：新型
国别省市：四川;51