一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路，相比于传统技术，其中的IGBT驱动芯片输出电路可完美匹配IGBT驱动芯片的输出端，将驱动信号发送至后级电路中，光电耦合电路可以提高IGBT驱动芯片输出电路的共模抑制比，由于其本身是光电隔离的且传输具有单向性，因此可以提高整体电路的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，另外，设计了电子稳压电路，可以使IGBT驱动芯片输出电路得电压更加稳定，减少波动，从而防止输入到绝缘栅双极型晶体管IGBT内的电压为过电压，不至于损坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。因此，本实用新型专利技术能够为绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动提供良好保护，提升IGBT驱动的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，避免烧坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。

An IGBT driving circuit with high efficiency, safety and anti-interference

【技术实现步骤摘要】
一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路
本技术涉及IGBT控制领域，尤其是一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电能变换装置中得到了广泛应用。但是，目前的IGBT驱动电路大多直接提供驱动信号给IGBT以实现驱动，并未考虑到电路驱动中的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，缺乏相应的保护，容易烧坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的是提供一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路，能够为绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动提供良好保护，提升IGBT驱动的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，避免烧坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。为了弥补现有技术的不足，本技术实施例采用的技术方案是：一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路，包括IGBT驱动芯片、绝缘栅双极型晶体管IGBT、光电耦合电路、IGBT驱动芯片输出电路和用于为所述IGBT驱动芯片输出电路提供稳压保护的电子稳压电路；所述光电耦合电路包括光电耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述IGBT驱动芯片输出电路包括第四电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二三极管和第三三极管；所述电子稳压电路包括第二二极管、第三二极管和第三电容；所述IGBT驱动芯片的过耗指示器输出引脚通过所述第一电阻连接到所述光电耦合器的发光源，所述光电耦合器的受光器为光敏三极管，所述光敏三极管的基极为光敏接收端，所述光敏三极管的集电极为光敏输出端，所述光敏三极管的发射极通过并联相接的所述第二电阻和所述第三电阻连接到参考地；所述IGBT驱动芯片的输出引脚通过所述第四电阻连接到所述第一三极管的基极，所述第一三极管的发射极连接到所述光敏三极管的发射极，所述第一三极管的集电极分别连接到所述第二三极管的基极、所述第三三极管的基极以及所述IGBT驱动芯片的去饱和引脚，所述第二三极管的集电极和所述第三三极管的发射极均连接到所述绝缘栅双极型晶体管IGBT；所述第三电容的一端分别通过所述第六电阻连接到所述第二三极管的发射极以及通过所述第七电阻连接到所述第三三极管的集电极，所述第三电容的另一端连接到参考地；所述第二二极管的负极与所述第三二极管的负极串联相接形成第一支路，所述第三二极管的正极还连接到所述绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述第一支路并联在所述第三电容的两端。进一步地，本技术方案还包括用于为所述绝缘栅双极型晶体管IGBT提供过电流检测的测试电路，所述测试电路设置于所述光敏三极管的集电极与所述绝缘栅双极型晶体管IGBT之间。进一步地，所述测试电路包括第五电阻、第八电阻、第一电容、第二电容和第一二极管；所述第五电阻的一端连接到所述光敏三极管的集电极且另一端分别连接到所述第八电阻的一端、所述第一二极管的正极以及并联相接的所述第一电容和所述第二电容的一端，所述第八电阻的另一端连接到所述IGBT驱动芯片的去饱和引脚，所述第一电容和所述第二电容的另一端连接到参考地，所述第一二极管的负极连接到所述绝缘栅双极型晶体管IGBT。进一步地，所述第一三极管、所述第二三极管和所述第三三极管均采用NPN型三极管。进一步地，所述第二二极管和所述第三二极管均采用肖特基二极管。进一步地，所述IGBT驱动芯片采用M57962L芯片。本技术实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下有益效果：IGBT驱动芯片输出电路可完美匹配IGBT驱动芯片的输出端，将驱动信号发送至后级电路中，光电耦合电路可以提高IGBT驱动芯片输出电路的共模抑制比，由于其本身是光电隔离的且传输具有单向性，因此可以提高整体电路的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，另外，设计了电子稳压电路，可以使IGBT驱动芯片输出电路得电压更加稳定，减少波动，从而防止输入到绝缘栅双极型晶体管IGBT内的电压为过电压，不至于损坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。因此，本技术能够为绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动提供良好保护，提升IGBT驱动的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，避免烧坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。附图说明下面结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的实施方案。图1是本技术实施例的电路原理图。具体实施方式本部分将详细描述本技术的具体实施例，本技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本技术保护范围的限制。在本技术的描述中，如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。下面结合附图，对本技术实施例作进一步阐述。参照图1，本技术实施例提供了一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路，包括IGBT驱动芯片U1、绝缘栅双极型晶体管IGBT、光电耦合电路100、IGBT驱动芯片输出电路400和用于为所述IGBT驱动芯片输出电路400提供稳压保护的电子稳压电路200；所述光电耦合电路100包括光电耦合器QC1、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；所述IGBT驱动芯片输出电路400包括第四电阻R4、第六电阻R6、第七电阻R7、第一三极管Q1、第二三极管Q2和第三三极管Q3；所述电子稳压电路200包括第二二极管D2、第三二极管D3和第三电容C3；所述IGBT驱动芯片U1的过耗指示器输出引脚FAULT通过所述第一电阻R1连接到所述光电耦合器QC1的发光源，所述光电耦合器QC1的受光器为光敏三极管Q5，所述光敏三极管Q5的基极为光敏接收端，所述光敏三极管Q5的集电极为光敏输出端，所述光敏三极管Q5的发射极通过并联相接的所述第二电阻R2和所述第三电阻R3连接到参考地；所述IGBT驱动芯片U1的输出引脚通过所述第四电阻R4连接到所述第一三极管Q1的基极，所述第一三极管Q1的发射极连接到所述光敏三极管Q5的发射极，所述第一三极管Q1的集电极分别连接到所述第二三极管Q2的基极、所述第三三极管Q3的基极以及所述IGBT驱动芯片U1的去饱和引脚DESAT，所述第二三极管Q2的集电极和所述第三三极管Q3的发射极均连接到所述绝缘栅双极型晶体管IGBT；所述第三电容C3的一端分别通过所述第六电阻R6连接到所述第二三极管Q2的发射极以及通过所述第七电阻R7连接到所述第三三极管Q3的集电极，所述第三电容C3的另一端连接到参考地；所述第二二极管D2的负极与所述第三二极管D3的负极串联相接形成第一支本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路，其特征在于：/n包括IGBT驱动芯片、绝缘栅双极型晶体管IGBT、光电耦合电路、IGBT驱动芯片输出电路和用于为所述IGBT驱动芯片输出电路提供稳压保护的电子稳压电路；/n所述光电耦合电路包括光电耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述IGBT驱动芯片输出电路包括第四电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二三极管和第三三极管；所述电子稳压电路包括第二二极管、第三二极管和第三电容；/n所述IGBT驱动芯片的过耗指示器输出引脚通过所述第一电阻连接到所述光电耦合器的发光源，所述光电耦合器的受光器为光敏三极管，所述光敏三极管的基极为光敏接收端，所述光敏三极管的集电极为光敏输出端，所述光敏三极管的发射极通过并联相接的所述第二电阻和所述第三电阻连接到参考地；/n所述IGBT驱动芯片的输出引脚通过所述第四电阻连接到所述第一三极管的基极，所述第一三极管的发射极连接到所述光敏三极管的发射极，所述第一三极管的集电极分别连接到所述第二三极管的基极、所述第三三极管的基极以及所述IGBT驱动芯片的去饱和引脚，所述第二三极管的集电极和所述第三三极管的发射极均连接到所述绝缘栅双极型晶体管IGBT；/n所述第三电容的一端分别通过所述第六电阻连接到所述第二三极管的发射极以及通过所述第七电阻连接到所述第三三极管的集电极，所述第三电容的另一端连接到参考地；所述第二二极管的负极与所述第三二极管的负极串联相接形成第一支路，所述第三二极管的正极还连接到所述绝缘栅双极型晶体管IGBT，所述第一支路并联在所述第三电容的两端。/n...

【技术特征摘要】
1.一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路，其特征在于：
包括IGBT驱动芯片、绝缘栅双极型晶体管IGBT、光电耦合电路、IGBT驱动芯片输出电路和用于为所述IGBT驱动芯片输出电路提供稳压保护的电子稳压电路；
所述光电耦合电路包括光电耦合器、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述IGBT驱动芯片输出电路包括第四电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二三极管和第三三极管；所述电子稳压电路包括第二二极管、第三二极管和第三电容；
所述IGBT驱动芯片的过耗指示器输出引脚通过所述第一电阻连接到所述光电耦合器的发光源，所述光电耦合器的受光器为光敏三极管，所述光敏三极管的基极为光敏接收端，所述光敏三极管的集电极为光敏输出端，所述光敏三极管的发射极通过并联相接的所述第二电阻和所述第三电阻连接到参考地；
所述IGBT驱动芯片的输出引脚通过所述第四电阻连接到所述第一三极管的基极，所述第一三极管的发射极连接到所述光敏三极管的发射极，所述第一三极管的集电极分别连接到所述第二三极管的基极、所述第三三极管的基极以及所述IGBT驱动芯片的去饱和引脚，所述第二三极管的集电极和所述第三三极管的发射极均连接到所述绝缘栅双极型晶体管IGBT；
所述第三电容的一端分别通过所述第六电阻连接到所述第二三极管的发射极以及通过所述第七电阻连接到所述第三三极管的集电极，所述第三电容的另一端连接到参考地；所述第二二极管的负极与所述第三二极管的负极串联相接形成第一支路，所述第三二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷宇恩，
申请(专利权)人：江门嘉权科技信息咨询有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44