【技术实现步骤摘要】
可变电阻存储器装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年10月5日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2018-0119096的优先权，该申请的公开内容整体以引用方式并入本文中。
本专利技术构思的实施例涉及半导体装置，更具体地，涉及一种可变电阻存储器装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置可被归类为存储器装置和逻辑装置中的任一种。存储器装置可存储逻辑数据。通常，半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置在其供电中断时会丢失其存储的数据。例如，易失性存储器装置可包括动态随机存取存储器(DRAM)装置和静态随机存取存储器(SRAM)装置。相反，非易失性存储器装置即使在其供电中断时也可保持其存储的数据。例如，非易失性存储器装置可包括可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)和闪速存储器装置。已开发出诸如铁电随机存取存储器(FRAM)装置、磁随机存取存储器(MRAM)装置和相变随机存取存储器(PRAM)装置的...
【技术保护点】
1.一种制造可变电阻存储器装置的方法，该方法包括：/n在衬底上形成存储器单元的阵列，其中，所述存储器单元中的每一个包括可变电阻结构和开关元件；以及/n形成覆盖所述开关元件的侧壁的侧壁绝缘层，/n其中，形成所述侧壁绝缘层的步骤包括：/n向所述开关元件的暴露的侧壁供应硅源的预备步骤；以及/n执行工艺循环多次的主步骤，所述工艺循环包括供应硅源和供应反应气体，/n其中，在所述预备步骤中供应硅源的持续时间长于在所述主步骤中的工艺循环中供应硅源的持续时间。/n
【技术特征摘要】
20181005 KR 10-2018-01190961.一种制造可变电阻存储器装置的方法，该方法包括：
在衬底上形成存储器单元的阵列，其中，所述存储器单元中的每一个包括可变电阻结构和开关元件；以及
形成覆盖所述开关元件的侧壁的侧壁绝缘层，
其中，形成所述侧壁绝缘层的步骤包括：
向所述开关元件的暴露的侧壁供应硅源的预备步骤；以及
执行工艺循环多次的主步骤，所述工艺循环包括供应硅源和供应反应气体，
其中，在所述预备步骤中供应硅源的持续时间长于在所述主步骤中的工艺循环中供应硅源的持续时间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述预备步骤中供应硅源的持续时间短于在所述主步骤中执行所述工艺循环五次的持续时间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述预备步骤中供应硅源的持续时间是所述主步骤中的所述工艺循环中供应硅源的持续时间的10倍。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述预备步骤期间所述硅源被供应一次。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述预备步骤期间不供应所述反应气体。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述预备步骤还包括在供应硅源之后供应所述反应气体。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预备步骤和所述主步骤被原位执行。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预备步骤包括在开始所述主步骤之前吹扫未吸附在所述开关元件的暴露的侧壁上的硅源的至少一部分的吹扫步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在比所述主步骤低的压力下执行所述预备步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应气体包括氮原子。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述供应反应气体期间施加射频功率。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述侧壁绝缘层包括等离子体增强原子层沉积工艺。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，通过向其上吸附硅源的所述开关元件的侧壁施加等离子体来执行所述供应反应气体，其中所述硅源通过至少在所述预备步骤中的所述供应硅源而被吸附在所述开关元件的侧壁上，并且
其中，在所述预备步骤中不通过施加所述等离子体来执行所述供应硅源。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述侧壁绝缘层之后，形成填充所述存储器单元之间的空间的填充绝缘层，
其中，在比所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金秉柱，高永珉，金钟旭，郑载琥，崔铜成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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