可变电阻存储器件制造技术

本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案与每个所述存储单元之间的第二绝缘图案。所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。

Variable resistance memory device

【技术实现步骤摘要】
可变电阻存储器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年10月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0117632的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及可变电阻存储器件及其制造方法。
技术介绍
半导体存储器件可以分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件可能在其供电中断时丢失其存储的数据。例如，易失性存储器件可以包括动态随机存取存储器(DRAM)器件和静态随机存取存储器(SRAM)器件。与之相比，即使在其供电中断时，非易失性存储器件也可以保留其存储的数据。例如，非易失性存储器件可以包括可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)和闪速存储器件。为了提供高性能和低功耗的半导体存储器件，已经开发了下一代半导体存储器件(例如，磁随机存取存储器(MRAM)器件和相变随机存取存储器(PRAM)器件)。这些下一代半导体存储器件的材料可以具有根据施加到其上的电流或电压而变化的电阻值，并且即使在电流或电压中断时也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可变电阻存储器件，包括：/n存储单元，所述存储单元设置在衬底上，每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案；以及/n绝缘结构，所述绝缘结构位于所述存储单元之间，/n其中，所述绝缘结构包括：/n第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述存储单元之间；以及/n第二绝缘图案，所述第二绝缘图案位于所述第一绝缘图案与每个所述存储单元之间，/n其中，所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。/n

【技术特征摘要】
20181002 KR 10-2018-01176321.一种可变电阻存储器件，包括：
存储单元，所述存储单元设置在衬底上，每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案；以及
绝缘结构，所述绝缘结构位于所述存储单元之间，
其中，所述绝缘结构包括：
第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述存储单元之间；以及
第二绝缘图案，所述第二绝缘图案位于所述第一绝缘图案与每个所述存储单元之间，
其中，所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。


2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第二绝缘图案在所述第一绝缘图案与所述衬底之间延伸。


3.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一绝缘图案包括碳元素和氧元素中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一绝缘图案包括抗蚀刻性大于所述第二绝缘图案的材料的抗蚀刻性的材料。


5.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述绝缘结构还包括第三绝缘图案，所述第三绝缘图案位于所述第一绝缘图案上，
其中，所述第三绝缘图案设置在所述存储单元之间，并且
其中，所述第二绝缘图案在所述第三绝缘图案与每个所述存储单元之间延伸。


6.根据权利要求5所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一绝缘图案包括与所述第三绝缘图案的材料不同的材料。


7.根据权利要求5所述的可变电阻存储器件，其中，所述第三绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料相同的材料。


8.根据权利要求5所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一绝缘图案具有朝向其内部凹陷的顶表面以及与所述凹陷的顶表面相对的底表面，
其中，所述第三绝缘图案覆盖所述第一绝缘图案的所述凹陷的顶表面，并且
其中，所述第二绝缘图案沿所述第一绝缘图案的所述底表面延伸。


9.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，每个所述存储单元还包括：
下电极，所述下电极连接到所述可变电阻图案；
连接电极，所述连接电极位于所述可变电阻图案与所述开关图案之间；以及
上电极，所述上电极连接到所述开关图案。


10.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案是通过使用等离子体增强原子层沉积方法在400摄氏度或更低的温度下形成的，并且
其中，所述第一绝缘图案的厚度小于所述第二绝缘图案的厚度。


11.一种可变电阻存储器件，包括：
第一导线，所述第一导线在衬底上彼此间隔开；
存储单元，所述存储单元分别设置在所述第一导线上，其中，每个所述存储单元包括竖直堆叠在相应的一条所述第一导线上的可变电阻图案和开关图案；
第二导线，所述第二导线与所述第一导线相交并连接到所述存储单元；以及
绝缘结构，所述绝缘结构位于所述存储单元之间，
其中，所述绝缘结构包括：
第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述存储单元之间；以及
第二绝缘图案，所述第二绝缘图案在所述第一绝缘图案与每个所述存储单元之间，
其中，所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。


12.根据权利要求11所述的可变电阻存储器件，还包括位于所述第一导线之间的下层间绝缘层，
其中，所述绝缘结构设置在所述下层间绝缘层上。


13.根据权利要求12所述的可变电阻存储器件，其中，所述第二绝缘图案在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜玧求，徐昌佑，李多仁，李昱烈，郑会晟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR