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本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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