一种巨量转移MicroLED芯片的方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种巨量转移MicroLED芯片的方法，包括：提供一基板，所述基板的表面设有第一金属层,所述第一金属层选用钝化金属制成，所述钝化金属的电阻率≤110nΩ·m；在MicroLED芯片的底面设有第二金属层,所述第二金属层选用第二金属制成，所述第二金属经过UV光源的照射，能吸附负离子；通过等离子清洗机对第一金属层的表面离子进行清洗，使其带正离子；对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，使其带负离子；将基板和MicroLED芯片置于不导电液体中，所述MicroLED芯片通过电离子吸附转移到所述基板上。采用本发明专利技术，实现了巨量转移，操作简单，效率高，且定位精准。

A method and system of huge transfer of microled chips

【技术实现步骤摘要】
一种巨量转移MicroLED芯片的方法及系统
本专利技术涉及MicroLED芯片
，特别涉及一种巨量转移MicroLED芯片的方法及系统。
技术介绍
MicroLED比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。MicroLED出色的特性将使得它可以在电视、iPhone、iPad上应用。MicroLEDDisplay的显示原理，是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1-10μm等级左右；后将MicroLED批量式转移至电路基板上，其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上；再利用物理沉积制程完成保护层与上电极，即可进行上基板的封装，完成结构简单的MicroLED显示。批量式转移是指在指甲盖大小的TFT电路基板上，按照光学和电气学的必要规范，均匀焊接三五百，甚至更多个红绿蓝三原色LED微小晶粒，且允许的工艺失败率是有几十万分之一。因此，MicroLED的核心技术之一就是如何实现批量式转移技术。现有转移技术，无法精准地实现批量式转移，例如：对比文件1，公开号为CN109950182A《Micr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种巨量转移MicroLED芯片的方法，其特征在于，包括：/n提供一基板，所述基板的表面设有第一金属层,所述第一金属层选用钝化金属制成，所述钝化金属的电阻率≤110nΩ·m；/n在MicroLED芯片的底面设有第二金属层,所述第二金属层选用第二金属制成，所述第二金属经过UV光源的照射，能吸附负离子；/n通过等离子清洗机对第一金属层的表面离子进行清洗，使其带正离子；/n对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，使其带负离子；/n将基板和MicroLED芯片置于不导电液体中，所述MicroLED芯片通过电离子吸附转移到所述基板上。/n

【技术特征摘要】
1.一种巨量转移MicroLED芯片的方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板的表面设有第一金属层,所述第一金属层选用钝化金属制成，所述钝化金属的电阻率≤110nΩ·m；
在MicroLED芯片的底面设有第二金属层,所述第二金属层选用第二金属制成，所述第二金属经过UV光源的照射，能吸附负离子；
通过等离子清洗机对第一金属层的表面离子进行清洗，使其带正离子；
对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，使其带负离子；
将基板和MicroLED芯片置于不导电液体中，所述MicroLED芯片通过电离子吸附转移到所述基板上。


2.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的方法，其特征在于，所述钝化金属为金、银、铝、铜、铂中的一种或组合；
所述第二金属为钛、铂中的一种或组合；
所述不导电液体为纯水。


3.如权利要求2所述的巨量转移MicroLED芯片的方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度为10-100nm。


4.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的方法，其特征在于，通过等离子清洗机对第一金属层的表面离子进行清洗，包括：
将基板置入等离子清洗机的腔室中，通入Ar10-100sccm，加入正离子束流，对第一金属层的表面进行原子级清洗，清洗时间为1-30分钟。


5.如权利要求1所述的巨量转移MicroLED芯片的方法，其特征在于，对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，包括：
将MicroLED芯片置于第一气体中，所述第一气体为CO、O2或CH4；
照射紫外光，以使...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，林耀辉，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44