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本发明公开了一种巨量转移MicroLED芯片的方法，包括：提供一基板，所述基板的表面设有第一金属层,所述第一金属层选用钝化金属制成，所述钝化金属的电阻率≤110nΩ·m；在MicroLED芯片的底面设有第二金属层,所述第二金属层选用第二金属...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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