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本申请提供了一种可变电阻存储器装置及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成存储器单元的阵列，其中，各个存储器单元包括可变电阻结构和开关元件；以及形成覆盖开关元件的侧壁的侧壁绝缘层。形成侧壁绝缘层的步骤包括：向开关元件的暴露的侧壁供应硅源的预...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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