TSOP叠层芯片内部检测方法技术

本发明专利技术涉及TSOP叠层芯片内部检测方法，包括以下步骤：检测前的准备；透射传感器信号对焦校正；获取被测样品的表面波；获取被测样品的模拟结构；寻找第一层信号并精确扫描；寻找其它各层信号并精确扫描；打开应用软件的信号处理窗口，将正、反向阈值分别设置为90％和60％，信号极限选择设置为negative，信号选择设置为peak，将图片灰度分布通过不同的颜色输出出来，查看G1图片和对应的信号波形X1，判断该界面是否合格。本发明专利技术采用逐层定位和分层精确扫描，并精确获得被测样品的时域信号，同时运用反射扫描和透射扫描，所获图片清晰明了，缺陷的分析判断准确可靠。采用本发明专利技术，可以准确、便捷、灵活地对TSOP叠层芯片内部进行检测。

Internal detection method of TSOP stack chip

【技术实现步骤摘要】
TSOP叠层芯片内部检测方法
本专利技术涉及电子元器件无损检测，具体而言是TSOP叠层芯片内部检测方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，电子设备的发展越来越倾向于追求便携化、精密化和低功耗化，同时在有限的空间内实现功能的多样化和存储容量的扩大化，叠层芯片因为其小尺寸、大容量、高效能和低成本，得到越来越广泛的应用。相对于单芯片封装技术，叠层芯片的内部结构和生产工艺更复杂，对各层的尺寸、粘接材料和工艺均有更高要求。叠层芯片在使用前必须进行无损检测，现有的无损检测方法通常采用X射线照相技术或者超声扫描显微镜。X射线检测基于材料密度的差异，密度大的材料吸收X射线的能力强，密度小的材料吸收X射线的能力弱，可以用来检测对X射线吸收具有一定差别的样品，然而X射线对空气不敏感，所以X射线用来检测叠层芯片与塑封料之间有无分层，被粘接的下层芯片有否破裂，粘接层之间有无空洞等缺陷没有优势。传统的超声扫描技术在检测塑封集成电路的分层、裂纹等缺陷时，一般采用反射模式，单一的通道设置只能得到一个比较清晰的层面，这种模式对单芯片塑封集成电路来讲，尚能够满足同时在芯片、基板、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.TSOP叠层芯片内部检测方法，包括以下步骤：/nS1.检测前的准备/nS1.1.向超声扫描显微镜的样品槽中注入去离子水，去离子水的高度超过样品台1cm～3cm；/nS1.2.依次打开超声扫描显微镜和电脑控制系统电源，点击电脑上的应用软件,进入用户界面，选择反射和透射双通道工作模式；/nS1.3.点击运行自校准程序，自校准程序运行完毕后，系统自动进入操作控制界面；/nS2.透射传感器信号对焦校正/nS2.1.选择频率大于30MHz的透射传感器，通过传感器支架和夹具将透射传感器安装于样品台下面，并连接透射传感器与channel2；/nS2.2.在channel1卡口上装上30MHz～230MH...

【技术特征摘要】
1.TSOP叠层芯片内部检测方法，包括以下步骤：
S1.检测前的准备
S1.1.向超声扫描显微镜的样品槽中注入去离子水，去离子水的高度超过样品台1cm～3cm；
S1.2.依次打开超声扫描显微镜和电脑控制系统电源，点击电脑上的应用软件,进入用户界面，选择反射和透射双通道工作模式；
S1.3.点击运行自校准程序，自校准程序运行完毕后，系统自动进入操作控制界面；
S2.透射传感器信号对焦校正
S2.1.选择频率大于30MHz的透射传感器，通过传感器支架和夹具将透射传感器安装于样品台下面，并连接透射传感器与channel2；
S2.2.在channel1卡口上装上30MHz～230MHz的反射传感器，并连接反射传感器与channel1；
S2.3.启动channel1，通过控制按钮将反射传感器移动到样品台正上方，调整Z轴，使样品台反射信号移动至信号窗口16000ns～16900ns处；
S2.4.移动反射传感器，使其离开样品台，启动channel2，点击rootGate，将红色门限在信号窗口前后拉至最长；
S2.5.调整透射传感器螺旋杆，使红色门限内透射信号移动至信号窗口21400ns～25400ns处；
S2.6.将透射Gain值调至-5db～10db，旋转反射传感器左右移动装置旋钮，将透射信号能量调至最大状态；
S3.获取被测样品的表面波
S3.1.将被测样品水平放至样品台，点击channel1，移动X轴和Y轴控制按钮，目测使反射传感器位于被测样品的正上方；
S3.2.点击Z轴控制按钮，使反射传感器慢慢入水，并观察信号窗口，直至信号窗口有被测样品表面波出现为止；
S3.3.点击SurfaceTrigger,然后通过点击鼠标左右键，调整信号窗口蓝线与表面波相交；
S3.4.点击Gate，然后通过点击鼠标左右键，调整信号窗口红色门限将表面波前后包含；
S3.5.调节Z轴高度，使反射传感器继续往下进行聚焦，直至信号窗口的表面波峰值最大时为止，该点为反射传感器在被测样品表面的最佳聚焦点,此时所对应的波形为被测样品的表面波；
S4.获取被测样品的模拟结构
S4.1.将速度调整至5,双击Z轴控制按钮，让反射传感器往下走两步，并将Gain值调整至19db～21db；
S4.2.在root处点击鼠标右键，然后点击AddXgate，调出逐层扫描设置菜单；
S4.3.点击XGate1，设置XGate1相关参数，start＝0，Length＝500～1200，SliceLength＝5～20；
S4.4.点击C-Scan进行扫描；
S4.5.扫描完成后，得到从XGate1至XGateN总共N张图片和与之一一对应的N段信号波形，其中N＝Length/SliceLength，图片显示在显示窗口，信号波形显示在A扫描信号窗口，点击菜单同时保存图片和信号波形；
S5.寻找第一层信号并精确扫描
S5.1.展开root里面XGate1至XGateN，首先找到第一层芯片最先出现的图，记为XGateA，点击XGateA，记住此时右边对应的start数值为a，然后确定N张图中第一层芯片与模塑化合物结合层图片的张数，记为b，接下来再点击gate，将gate的sta...

【专利技术属性】
技术研发人员：马清桃，李先亚，王伯淳，袁云华，田健，王瑞崧，陆洋，杨帆，
申请(专利权)人：湖北航天技术研究院计量测试技术研究所，
类型：发明
国别省市：湖北;42