【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热壁无助焊剂焊球处理装置
本专利技术涉及用于制造晶片芯片或衬底的装置，所述晶片芯片或衬底带有附连于此的焊球(或镀焊球，都可以被称为“凸块”)，尤其涉及用于在受控的、可变加热的处理室内以被加热的可垂直移动的方式处理带有没有助焊剂或无助焊剂的晶片的装置。对于本文的讨论，镀焊球、焊球、凸块等均被指定为“焊球”，以避免混淆。
技术介绍
焊球安装机通常具有如下工艺流程：在所述工艺流程中，晶片由机器人臂拾取并放置在助焊剂站上。对于“镀”焊料，将助焊剂覆盖整个芯片晶片。对于“焊球”，通过该站上的对准标记将掩模对准晶片上的凸块焊盘。可通过模板或掩模施加助焊剂。助焊剂是不透明的，因此焊球安装对准将被焊剂对准模板覆盖，以防止助焊剂覆盖焊球安装对准标记。使用焊球安装站处的光学视觉装置，通过焊球安装对准标记将掩模对准晶圆。检查之后，晶片将被放置到处理室内。污染是常见的。因此，不透明的焊剂需要几套模板和掩模。需要多套对准机构。而且对于晶片芯片所需的多种温度，需要多个处理室。本专利技术的目的是克服现有技术系统的缺点。本专利技术的另一个目...
【技术保护点】
1.一种用于处理预先带有焊球的晶片芯片的晶片芯片处理室，包括：/n具有上端和下端的延伸加热壳体；/n在延伸加热壳体的上端周围延伸的导热壁；/n在延伸壳体的上端周围延伸的导热壁的上端布置的主要固定加热构件；/n设置在延伸壳体的下端内的下部壳体内的可垂直移动的次要底部加热构件；以及/n可垂直移动的晶片芯片转接环支撑件，布置成在晶片芯片热处理工艺期间，在延伸壳体的相对较低温度的下端与延伸壳体的相对较高温度的上端之间移动并保持其上支撑的晶片芯片。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170807 US 62/605,2881.一种用于处理预先带有焊球的晶片芯片的晶片芯片处理室，包括：
具有上端和下端的延伸加热壳体；
在延伸加热壳体的上端周围延伸的导热壁；
在延伸壳体的上端周围延伸的导热壁的上端布置的主要固定加热构件；
设置在延伸壳体的下端内的下部壳体内的可垂直移动的次要底部加热构件；以及
可垂直移动的晶片芯片转接环支撑件，布置成在晶片芯片热处理工艺期间，在延伸壳体的相对较低温度的下端与延伸壳体的相对较高温度的上端之间移动并保持其上支撑的晶片芯片。
2.如权利要求1所述的晶片芯片处理室，其特征在于，所述可移动底部加热构件其上具有吸力装置，用于在一部分晶片芯片热处理过程期间，将带有焊球的晶片芯片紧贴地固定在其上。
3.如权利要求1所述的晶片芯片处理室，其特征在于，所述晶片芯片转接环具有布置在其周围与控制计算机通信的多个可垂直移动的晶片芯片升降销。
4.如权利要求3所述的晶片芯片处理室，其特征在于，多个升降销布置成穿过延伸壳体的下端，所述升降销能够垂直移动，以将晶片芯片转接环以及其上的晶片提升到延伸壳体的上端。
5.如权利要求4所述的晶片芯片处理室，其特征在于，延伸壳体上端的所述主要固定加热构件包括顶部加热器顶板构件以及分离的环形加热器，以便可控地加热延伸壳体的上端。
6.如权利要求4所述的晶片芯片处理室，其特征在于，包括多个进气口，所述多个进气口延伸穿过在延伸壳体的上端周围延伸的导热壁，从而允许在延伸壳体的上端内供应温度受控的气体。
7.如权利要求6所述的晶片芯片处理室，其特征在于，包括排气口，所述排气口延伸穿过顶部加热器顶板构件，从而允许从延伸壳体的上端排出温度受控的气体。
8.一种在单个垂直定向的延伸无助焊剂焊料回流室内处理预先带有焊球的晶片芯片的方法，包括以下步骤：
将带有无助焊剂的焊球的晶片芯片布置在晶片芯片转接支撑环上；
加热无助焊剂焊料回流室的上端；以及
响应于来自晶片芯片提升升降销阵列的传感器控制的计算机反馈环信号，根据需要，朝向或背离无助焊剂焊料回流室的上端，移动晶片芯片转接支撑环。
9.如权利要求8所述的在单个垂直定向的回流室内处理预先带有焊球的晶片芯片的方法，包括：
通过与升降销接触并由升降销承载的与控制计算机通信的传感器阵列，感测晶片芯片转接支撑环上支撑的晶片芯片的温度。
10.如权利要求9所述的处理预先带有焊球的晶片芯片的方法，包括：
通过布置成穿过底部加热器布置的真空源将晶片芯片转接支撑环上支撑的晶片芯片固定到底部加热器上，并相对于底部加热器抽吸晶片，以确保晶片芯片和底部加热器之间紧密牢固的加热。
11.如权利要求10所述的处理预先带有焊球的晶片芯片的方法，包括：
通过布置在底部加热器外部的可竖直移位的升降销的外围阵列，将晶片芯片适配器支撑环及其上的晶片竖直向上提升。
12.如权利要求11所述的处理预先带有焊球的晶片芯片的方法，包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张健，
申请(专利权)人：波士顿制程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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