研磨液、研磨液套剂及研磨方法技术

一种研磨液，其为用于通过CMP除去基体的绝缘部的一部分、露出基体的停止部的CMP研磨液，该基体具备基板、设置在该基板的一个表面上的停止部和设置在停止部的与基板相反一侧的表面上的绝缘部，该研磨液含有：含铈的磨粒、非离子性的水溶性化合物A、具有选自羧酸基和羧酸盐基中的至少一种的高分子化合物B、根据情况含有的碱性pH调节剂和水，以研磨液的总质量为基准计，碱性pH调节剂的含量小于1.3×10

Abrasives, abrasives and abrasives

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨液、研磨液套剂及研磨方法
本专利技术涉及研磨液、研磨液套剂及研磨方法。
技术介绍
近年来，在ULSI半导体元件的制造工序中，正在进行用于半导体元件的高密度化和微细化的加工技术的研究开发。在半导体元件的制造工序中，在进行层间绝缘膜的平坦化工序、浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation，以下称为“STI”。)的形成工序、插塞的形成工序、埋入金属配线的形成工序(镶嵌工序)等时，作为其加工技术之一的CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械研磨)技术成为必须的技术。通常，使用CMP技术的平坦化工序(以下称为“CMP工序”。)通过一边向研磨垫(研磨布)和基体上的被研磨部(例如绝缘部)之间供给研磨液一边对被研磨部进行研磨来进行。已知有各种CMP用的研磨液(以下称为“CMP研磨液”。)。例如根据研磨液中所含的磨粒(研磨粒子)的种类对CMP研磨液进行分类。作为CMP研磨液，已知有含氧化铈(二氧化铈)粒子作为磨粒的二氧化铈系研磨液、含氧化硅(二氧化硅)粒子作为磨粒的二氧化硅系研磨液、含氧化铝(三氧化二铝)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨液，其用于通过化学机械研磨除去基体的绝缘部的一部分、露出基体的停止部，所述基体具备：基板、设置在所述基板的一个表面上的停止部和设置在所述停止部的与所述基板相反一侧的表面上的绝缘部，其中，/n所述研磨液含有：含铈的磨粒、非离子性的水溶性化合物A、具有选自羧酸基和羧酸盐基中的至少一种的高分子化合物B、根据情况含有的碱性pH调节剂和水，/n以所述研磨液的总质量为基准计，所述碱性pH调节剂的含量小于1.3×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种研磨液，其用于通过化学机械研磨除去基体的绝缘部的一部分、露出基体的停止部，所述基体具备：基板、设置在所述基板的一个表面上的停止部和设置在所述停止部的与所述基板相反一侧的表面上的绝缘部，其中，
所述研磨液含有：含铈的磨粒、非离子性的水溶性化合物A、具有选自羧酸基和羧酸盐基中的至少一种的高分子化合物B、根据情况含有的碱性pH调节剂和水，
以所述研磨液的总质量为基准计，所述碱性pH调节剂的含量小于1.3×10-2mol/kg。


2.根据权利要求1所述的研磨液，其中，所述磨粒含有氧化铈。


3.根据权利要求1或2所述的研磨液，其中，所述研磨液的pH为6.0以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨液，其中，所述研磨液的pH为5.0以上。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨液，其中，以所述研磨液的总质量为基准计，所述高分子化合物B的含量为0.35质量％以下。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨液，其中，以所述研磨液的总质量为基准计，所述高分子化合物B的含量为0.05质量％以上。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的研磨液，其中，将所述研磨液的pH设为x，将以研磨液的总质量为基准计的所述高分子化合物B的含量设为y时，满足y≥0.33x－...

【专利技术属性】
技术研发人员：花野真之，泷泽寿夫，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP