功率放大电路制造技术

本发明专利技术提供一种功率放大电路，能够适当地进行包络线跟踪。功率放大电路包含：第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第1高频信号，从集电极输出第3高频信号；第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第2高频信号，从集电极输出第4高频信号；第1电容电路，电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。

Power amplifier circuit

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路
本专利技术涉及功率放大电路。
技术介绍
在搭载于无线通信终端装置的功率放大电路中，要求功率效率的提高。作为谋求功率效率的提高的一个方式，有根据输入信号的振幅水平来控制功率放大电路的电源电压的包络线跟踪(envelopetracking)方式。在下述的专利文献1记载了包络线跟踪方式的功率放大模块。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2015/001851号当前，运用了第2代移动通信系统(例如，GSM(注册商标))、第3代移动通信系统(例如，W—CDMA、UMTS、CDMA20001x)以及第4代移动通信系统(例如，LTE(LongTermEvolution，长期演进)、LTE—Advanced)。进而，第5代移动通信系统(5G)正要被实用化。在第5代移动通信系统中，高频信号的频率可例示3.3GHz至4.2GHz/3.3GHz至3.8GHz的3.5GHz频段以及4.5GHz至4.99GHz的4.5GHz频段。若关注于调制信号的频带，则在W—CDMA中增加为1.25MHz，在LTE中增加为2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大电路，对包含正极性的第1高频信号以及负极性的第2高频信号的第1高频差动信号进行放大，并输出包含负极性的第3高频信号以及正极性的第4高频信号的第2高频差动信号，其中，/n所述功率放大电路包含：/n第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入所述第1高频信号，从集电极输出所述第3高频信号；/n第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入所述第2高频信号，从集电极输出所述第4高频信号；/n第1电容电路，电连接在所述第2晶体管的集电极与所述第1晶体管的基极之间；和/n第2电容电路，电连接在所述第1晶体管的集电极与所述第2晶体管的基极之间。/n

【技术特征摘要】
20181002 JP 2018-1873871.一种功率放大电路，对包含正极性的第1高频信号以及负极性的第2高频信号的第1高频差动信号进行放大，并输出包含负极性的第3高频信号以及正极性的第4高频信号的第2高频差动信号，其中，
所述功率放大电路包含：
第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入所述第1高频信号，从集电极输出所述第3高频信号；
第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入所述第2高频信号，从集电极输出所述第4高频信号；
第1电容电路，电连接在所述第2晶体管的集电极与所述第1晶体管的基极之间；和
第2电容电路，电连接在所述第1晶体管的集电极与所述第2晶体管的基极之间。


2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述第1电容电路包含：第3晶体管，集电极与所述第2晶体管的集电极电连接，基极与所述第1晶体管的基极电连接，
所述第2电容电路包含：第4晶体管，集电极与所述第1晶体管的集电极电连接，基极与所述第2晶体管的基极电连接。


3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其中，
还包含：
第1电容器，电连接在所述第1晶体管的集电极与基极之间；和
第2电容器，电连接在所述第2晶体管的集电极与基极之间，
所述第1电容电路还包含：第3电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中聪，荒屋敷聪，后藤聪，田中佑介，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP