【技术实现步骤摘要】
一种自适应线性化异质结双极晶体管功率放大器
本专利技术涉及场效应晶体管射频功率放大器和集成电路领域，特别是针对射频微波收发机末端的发射模块应用的一种自适应线性化异质结双极晶体管功率放大器。
技术介绍
随着无线通信系统和射频微波电路的快速发展，射频前端收发器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求发射机的射频与微波功率放大器具有高输出功率、高增益、高效率、低成本等性能，而集成电路正是有望满足该市场需求的关键技术。然而，当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时，其性能和成本受到了一定制约，主要体现：(1)高功率、高效率能力受限：传统功率放大器电压摆幅较小，单管输出功率低，往往需要采用多路并联合成结构，或者是分布式结构，这两种结构的合成效率有限，导致一部分功率损耗在合成网络中，限制了高功率、高效率能力。(2)线性度指标受限：典型的功率放大器网络的偏置电路往往设计方法比较单一，无法满足线性度指标的改善，往往需要额外的线性化电路，这就给系统应用带来了复杂因素。常见的高增益...
【技术保护点】
1.一种自适应线性化异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，包括输入CLC匹配网络、自适应线性化偏置网络、三堆叠异质结双极晶体管放大网络、输出CLC匹配网络；/n所述输入CLC匹配网络的输入端为整个所述功率放大器的输入端，其输出端与所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第一输入端连接；/n所述自适应线性化偏置网络的输入端、第一输出端、第二输出端、第三输出端分别与所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第五输入端、第二输入端、第三输入端和第四输入端连接；/n所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的输出端与所述输出CLC匹配网络的输入端连接；/n所述输出CLC匹配网络的输出端为整个所述功...
【技术特征摘要】
1.一种自适应线性化异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，包括输入CLC匹配网络、自适应线性化偏置网络、三堆叠异质结双极晶体管放大网络、输出CLC匹配网络；
所述输入CLC匹配网络的输入端为整个所述功率放大器的输入端，其输出端与所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第一输入端连接；
所述自适应线性化偏置网络的输入端、第一输出端、第二输出端、第三输出端分别与所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第五输入端、第二输入端、第三输入端和第四输入端连接；
所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的输出端与所述输出CLC匹配网络的输入端连接；
所述输出CLC匹配网络的输出端为整个所述功率放大器的输出端。
2.根据权利要求1所述的一种自适应线性化异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，所述输入CLC匹配网络的输入端RFin连接微带线TL1,微带线TL1的另一端连接电容Cin1，电容Cin1的另一端连接接地微带线TL2和电容Cin2，电容Cin2的另一端连接输入CLC匹配网络的输出端。
3.根据权利要求1所述的一种自适应线性化异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，所述自适应线性化偏置网络输入端连接晶体管Qf1的集电极、电阻Rg、晶体管Qf2的集电极、晶体管Qf3的集电极；电阻Rg另一端连接晶体管Qf1的基极、晶体管Qf2的基极、晶体管Qf3的基极、晶体管Qd1的集电极和基极、和接地电容Cb1；晶体管Qf1的发射极连接所述自适应线性化偏置网络的第三输出端和接地电阻Rs1；晶体管Qf2的发射极连接所述自适应线性化偏置网络的第二输出端和接地电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：林倩，邬海峰，陈善继，陈聪，
申请(专利权)人：青海民族大学，
类型：发明
国别省市：青海;63
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