【技术实现步骤摘要】
射频功率放大电路
本申请涉及射频
，特别是涉及一种射频功率放大电路。
技术介绍
助眠仪通过输出特定模式的脉冲磁场，从而影响大脑神经细胞的电化学活动，促进脑内抑制性神经递质、内源性催眠物质的释放，并抑制大脑皮层的过度觉醒，从而缩短睡眠潜伏期。助眠仪在输出脉冲磁场时，需要采用射频功率放大电路增强电磁波，以满足输出要求。然而，在实现过程中，专利技术人发现传统技术中至少存在如下问题：目前助眠仪中的射频功率放大电路容易对输出信号造成干扰。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述易对输出信号造成干扰的技术问题，提供一种能够降低对输出信号干扰的射频功率放大电路。为了实现上述目的，本申请实施例提供了一种射频功率放大电路，包括用于分别连接控制电源和相应偏置电源的开关模块，连接开关模块的射频功率放大芯片模块，以及分别连接射频功率放大芯片模块、开关模块的电容模组；电容模组包括至少一个电容模块；电容模块包括第一电容、第二电容以及第三电容；第一电容的一端、第二电容的一端和第三电容的一端，均分别连接射频功率放...
【技术保护点】
1.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括用于分别连接控制电源和相应偏置电源的开关模块，连接所述开关模块的射频功率放大芯片模块，以及分别连接所述射频功率放大芯片模块、所述开关模块的电容模组；所述电容模组包括至少一个电容模块；/n所述电容模块包括第一电容、第二电容以及第三电容；所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端，均分别连接所述射频功率放大芯片模块和所述开关模块；所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端和所述第三电容的另一端接地；/n其中，所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容均为金属端子陶瓷电容。/n
【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大电路，其特征在于，包括用于分别连接控制电源和相应偏置电源的开关模块，连接所述开关模块的射频功率放大芯片模块，以及分别连接所述射频功率放大芯片模块、所述开关模块的电容模组；所述电容模组包括至少一个电容模块；
所述电容模块包括第一电容、第二电容以及第三电容；所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端，均分别连接所述射频功率放大芯片模块和所述开关模块；所述第一电容的另一端、所述第二电容的另一端和所述第三电容的另一端接地；
其中，所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容均为金属端子陶瓷电容。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片；所述电容模块的数量为2个；
其中，任一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第一射频功率放大芯片的VD1B管脚；另一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第二射频功率放大芯片的VD1B管脚。
3.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片；所述电容模块的数量为2个；
其中，任一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端分别连接所述第一射频功率放大芯片的VD2B1管脚、所述第一射频功率放大芯片的VD2B2管脚；另一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端分别连接所述第二射频功率放大芯片的VD2B1管脚、所述第二射频功率放大芯片的VD2B2管脚。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模块包括第一射频功率放大芯片和第二射频功率放大芯片；所述电容模块的数量为2个；
其中，任一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第一射频功率放大芯片的VD2A1管脚；另一所述电容模块的所述第一电容的一端、所述第二电容的一端和所述第三电容的一端连接所述第二射频功率放大芯片的VD2A1管脚。
5.根据权利要求1所述的射频功率放大电路，其特征在于，所述射频功率放大芯片模...
【专利技术属性】
技术研发人员：王达国，王琦，韩振亚，
申请(专利权)人：柏斯速眠科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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