【技术实现步骤摘要】
功率放大器
本专利技术涉及功率放大器。
技术介绍
在便携式电话等移动体通信器中，为了对向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率进行放大而使用功率放大电路。例如，在专利文献1中，记载有功率放大电路，该功率放大电路具备驱动级放大器、以及向该驱动级放大器供给偏置电流的偏置电路。偏置电路包括：发射极跟随器电路晶体管，向驱动级放大器供给偏置电流；以及电压供给电路，具有串联连接在电源以及地线之间并且与驱动级放大器热耦合的2个二极管。电压供给电路所具有的2个二极管对发射极跟随器电路晶体管的基极供给与这2个二极管的温度相应的电压。因此，若环境温度、驱动级放大器的温度上升，则这2个二极管对发射极跟随器电路晶体管的基极施加的电压降低。而且，发射极跟随器电路晶体管对驱动级放大器供给的偏置电流减少。像这样，该功率放大电路具有减小环境温度、驱动级放大器的温度变化的温度补偿功能。专利文献1：美国专利申请公开第2018/26582号然而，已知有例如如包络跟踪控制那样，根据功率放大器的输出的大小来...
【技术保护点】
1.一种功率放大器，具备：/n第1晶体管组，对无线频率信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；/n第2晶体管组，对所述第1晶体管组的输出信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；/n第3晶体管，向所述第1晶体管组的基极供给偏置电流；以及/n第1电压供给电路，包括至少一个第1二极管或者第11晶体管，该第1二极管或者第11晶体管的温度越高，向所述第3晶体管的基极供给越低的电压，/n所述第3晶体管被配置成在所述第3晶体管与所述第1晶体管组或者所述第2晶体管组之间不夹设有其它电子元件，并且/n所述第3晶体管被配置成所述第3晶体管与所述第1晶体管组之间的最小...
【技术特征摘要】
20180928 JP 2018-1840201.一种功率放大器，具备：
第1晶体管组，对无线频率信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；
第2晶体管组，对所述第1晶体管组的输出信号进行放大并输出，并且由多个单位晶体管并联连接而成；
第3晶体管，向所述第1晶体管组的基极供给偏置电流；以及
第1电压供给电路，包括至少一个第1二极管或者第11晶体管，该第1二极管或者第11晶体管的温度越高，向所述第3晶体管的基极供给越低的电压，
所述第3晶体管被配置成在所述第3晶体管与所述第1晶体管组或者所述第2晶体管组之间不夹设有其它电子元件，并且
所述第3晶体管被配置成所述第3晶体管与所述第1晶体管组之间的最小距离比所述第1电压供给电路与所述第1晶体管组之间的最小距离小、或者所述第3晶体管与所述第2晶体管组之间的最小距离比所述第1电压供给电路与所述第2晶体管组之间的最小距离小。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，
所述第3晶体管与所述第1晶体管组或所述第2晶体管组相邻地配置。
3.根据权利要求1所述的功率放大器，其中，
所述第3晶体管配置在构成所述第1晶体管组的多个单位晶体管之间、或者构成所述第2晶体管组的多个单位晶体管之间。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的功率放大器，其中，
还具备：
第4晶体管，向所述第1晶体管组的基极供给偏置电流；以及
第2电压供给电路，包括至少一个第2二极管或者第21晶体管，该第2二极管或者第21晶体管的温度越高，向所述第4晶体管的基极供给越低的电压，
根据所述功率放大器的动作模式来选择性地仅使所述第3晶体管以及所述第4晶体管中的任意一方向所述第1晶体管组的基极供给偏置电流。
5.根据权利要求4所述的功率放大器，其中，
所述至少一个第2二极管或者第21晶体管被配置成在所述至少一个第2二极管或者第21晶体管与所述第1晶体管组或者所述第2晶体管组之间不夹设有其它电子元件，并且
被配置成所述至少一个第2二极管或者第21晶体管与所述第1晶体管组之间的最小距离比所述第4晶体管与所述第1晶体管组之间的最小距离小、或者所述至少一个第2二极管或者第21晶体管与所述第2晶体管组之间的最小距离比所述第4晶体管与所述第2晶体管组之间的最小距离小。
6.根据权利要求5所述的功率放大器，其中，
所述至少一个第2二极管或者第21...
【专利技术属性】
技术研发人员：近藤将夫，斋藤祐一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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