【技术实现步骤摘要】
用于功率放大器的击穿保护电路
本公开涉及改善放大器的可靠性，并且更具体地涉及用于减少或避免放大器中晶体管的击穿的技术。
技术介绍
传统上，氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)或硅锗(SiGe)技术主导了功率放大器(PA)设计。然而，对移动通信设备的更高集成度和更低成本的不断增长的需求引导了在PA设计中使用更便宜的技术的趋势，这导致了显着的PA可靠性问题。
技术实现思路
权利要求中描述的创新各自具有若干方面，其中没有一个方面单独负责期望的属性。在不限制权利要求的范围的情况下，现在将简要描述本公开的一些突出特征。本专利技术能够改进放大器的保护，通过防止或减少放大器的击穿来提高放大器的可靠性。根据本公开的设备可包括放大器和保护电路。保护电路可以电耦合到放大器的控制端子。保护电路可以配置为减少放大器处的电压摆动。电压摆动的减少可以至少部分地基于放大器的控制端子处的阈值功率的检测。前一段的设备还可以包括本段中描述的以下特征的任何组合，以及本文描述的其他特征。保护电路也可以电耦合到放大器的电源端子。放...
【技术保护点】
1.设备，包括：/n放大器；和/n保护电路，电耦合到所述放大器的控制端子，所述保护电路被配置为至少部分地基于所述放大器的控制端子处或所述放大器的电源端子处的阈值功率的存在来减小所述放大器处的电压摆动。/n
【技术特征摘要】
20180806 US 16/055,4371.设备，包括：
放大器；和
保护电路，电耦合到所述放大器的控制端子，所述保护电路被配置为至少部分地基于所述放大器的控制端子处或所述放大器的电源端子处的阈值功率的存在来减小所述放大器处的电压摆动。
2.权利要求1所述的设备，其中为了减少所述放大器处的电压摆动，所述保护电路被配置为降低所述放大器的电源端子处的电压。
3.权利要求1所述的设备，其中所述放大器包括晶体管，其中所述控制端子包括所述晶体管的控制端子，并且其中所述电源端子包括所述晶体管的电源端子。
4.权利要求3所述的设备，其中晶体管包括互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管，其中所述电压摆动包括在CMOS晶体管的漏极和CMOS晶体管的源极之间的电压摆动。
5.权利要求3所述的设备，其中所述保护电路包括晶体管，其中所述保护电路的晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的晶体管的控制端子。
6.权利要求5所述的设备，其中所述保护电路的晶体管的电源端子电耦合到所述放大器的晶体管的电源端子。
7.权利要求6所述的设备，其中所述保护电路还包括以下中的至少一种：
第一传感元件，电耦合在所述保护电路的晶体管的控制端子与所述放大器的晶体管的控制端子之间；或
第二传感元件，电耦合在所述保护电路的晶体管的电源端子与所述放大器的晶体管的电源端子之间。
8.权利要求7所述的设备，其中所述第一传感元件或所述第二传感元件中的至少一种包括电容器、电阻器、电感器、二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、双极结晶体管(BJT)、传输线或耦合器中的一种或多种。
9.权利要求1所述的设备，其中所述放大器包括堆叠布置的第一晶体管和第二晶体管，使得所述第一晶体管的电源端子电耦合到所述第二晶体管的电源端子，并且其中所述控制端子包括所述第一晶体管的控制端子。
10.权利要求9所述的设备，其中所述保护电路包括堆叠布置的第一晶体管和第二晶体管，使得所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述保护电路的第二晶体管的电源端子，其中:
所述保护电路的第一晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的控制端子，
所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的电源端子，
所述保护电路的第二晶体管的控制端子电耦合到所述放大器的第二晶体管的控制端子，和
所述保护电路的第一晶体管的电源端子电耦合到所述放大器的第一晶体管的电源端子。
11.被配置为防止放大器击穿的保护电路，所述保护电路包括：
第一传感元件；和
第一晶体管，包括通过所述第一传感元件电耦合到所述放大器的第二晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·M·R·艾斯梅尔，
申请(专利权)人：亚德诺半导体无限责任公司，
类型：发明
国别省市：百慕大;BM
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