【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于多电平信令的三输入连续时间放大器和均衡器相关申请的交叉引用本申请要求于2018年3月5日提交的美国专利申请No.15/912,170的权益和优先权，该美国专利申请No.15/912,170要求于2017年6月9日提交的美国临时申请No.62/517,760和于2017年6月9日提交的美国临时申请No.62/517,782的权益和优先权，所有这些申请通过引用整体并入本文。
本申请涉及多电平信令，并且更具体地涉及用于多电平信令的三输入连续时间放大器和均衡器。
技术介绍
多位字的慢速传输通常发生在多导线总线之上。例如，可以在具有八根导线的总线之上传输八位字，每个位一根导线。但是在这样的常规总线中，每个位都独立于其余位进行传播。随着数据速率的增加，这种并行数据传输变得有问题，因为当字在总线之上传播时，字中的各个位会变得彼此偏斜。考虑到高速通信中多个位之间的偏斜问题，已经开发了各种串行器/解串器(SerDes)系统。SerDes发送器将多位字串行化为对应的位的串行流，以用于传输到接收器。然后，由于单个传输线...
【技术保护点】
1.一种用于三电平信令系统的接收器均衡器，包括：/n第一晶体管，与第二晶体管和第三晶体管并联布置，其中所述第一晶体管的栅极被配置为接收第一信号，所述第二晶体管的栅极被配置为接收第二信号，以及所述第三晶体管的栅极被配置为接收第三信号；/n第一电流源，被配置为偏置所述第一晶体管的第一端子；/n第二电流源，被配置为偏置所述第二晶体管的第一端子；/n第三电流源，被配置为偏置所述第三晶体管的第一端子；/n电容器和电阻器的第一均衡对，被连接到所述第一晶体管的所述第一端子；/n电容器和电阻器的第二均衡对，被连接到所述第二晶体管的所述第一端子；以及/n电容器和电阻器的第三均衡对，被连接到所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170609 US 62/517,760;20170609 US 62/517,782;20181.一种用于三电平信令系统的接收器均衡器，包括：
第一晶体管，与第二晶体管和第三晶体管并联布置，其中所述第一晶体管的栅极被配置为接收第一信号，所述第二晶体管的栅极被配置为接收第二信号，以及所述第三晶体管的栅极被配置为接收第三信号；
第一电流源，被配置为偏置所述第一晶体管的第一端子；
第二电流源，被配置为偏置所述第二晶体管的第一端子；
第三电流源，被配置为偏置所述第三晶体管的第一端子；
电容器和电阻器的第一均衡对，被连接到所述第一晶体管的所述第一端子；
电容器和电阻器的第二均衡对，被连接到所述第二晶体管的所述第一端子；以及
电容器和电阻器的第三均衡对，被连接到所述第三晶体管的所述第一端子。
2.根据权利要求1所述的接收器均衡器，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
3.根据权利要求1所述的接收器均衡器，进一步包括：
第一电阻器，被连接到所述第一晶体管的第二端子；
第二电阻器，被连接到所述第二晶体管的第二端子；以及
第三电阻器，被耦合在所述第三晶体管的第二端子之间。
4.根据权利要求3所述的接收器均衡器，其中所述第一电阻器、所述第二电阻器和所述第三电阻器均被连接到接地。
5.根据权利要求1所述的接收器均衡器，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管匹配并且与所述第三晶体管匹配。
6.根据权利要求1所述的接收器均衡器，其中所述第一均衡对、所述第二均衡对和所述第三均衡对均被连接到公共节点。
7.根据权利要求1所述的接收器均衡器，其中所述第一均衡对还被连接到所述第二晶体管的所述第一端子。
8.根据权利要求7所述的接收器均衡器，其中所述第二均衡对还被连接到所述第三晶体管的所述第一端子。
9.根据权利要求8所述的接收器均衡器，其中所述第三均衡对还被连接到所述第一晶体管的所述第一端子。
10.一种方法，包括：
响应于第一输入信号而弱导通第一晶体管，以在所述第一晶体管的第一端子处产生低输出电压；
响应于第二输入信号而导通第二晶体管，以在所述第二晶体管的第一端子处产生高输出电压；
响应于第三输入信号而部分地导通第三晶体管，以在所述第三晶体管的端子处产生中等输出电压，其中所述高电压大于所述中等电压，并且所述中等电压大于所述低电压；以及
通过将电荷从所述第一晶体管的第二端子经过电容器和电阻器的第一均衡对传导到所述第二晶体管的第二端子，来相对于所述高输出电压与所述低输出电压之间的差，提高高频增益。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
通过将电荷从所述第一晶体管的所述第二端子经过电容器...
【专利技术属性】
技术研发人员：李哲圭，周世伟，段颖，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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