高频功率放大器以及功率放大模块制造技术

本发明专利技术提供一种能够抑制放大用的异质结双极晶体管的温度上升时的动作的热稳定性的降低的高频功率放大器。半导体芯片包括：至少一个第一晶体管，放大高频信号；第一外部连接用导电部件，与第一晶体管连接；偏置电路，包括对第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及第二外部连接用导电部件，与第二晶体管连接。在俯视时，第二外部连接用导电部件与第二晶体管至少部分重叠。

High frequency power amplifier and power amplifier module

【技术实现步骤摘要】
高频功率放大器以及功率放大模块
本专利技术涉及高频功率放大器以及功率放大模块。
技术介绍
对移动终端等的高频功率放大器使用异质结双极晶体管。在下述的专利文献1以及专利文献2中，公开了向放大电路的异质结双极晶体管供给温度补偿后的基极偏置电位的高频功率放大器。在专利文献1所公开的高频功率放大器的基极偏置电路中，在放大用的双极晶体管的附近配置有温度检测用的二极管连接的晶体管。专利文献2所公开的高频功率放大器的基极偏置电路具备根据高频放大部的双极晶体管的温度上升使偏置电压降低的偏置电压降低部。偏置电压降低部具有二极管，该二极管的阴极与连接于高频放大部的双极晶体管的发射极的金属布线热耦合。专利文献1：日本特开2001－274636号公报专利文献2：日本特开2002－217378号公报通过在异质结双极晶体管的附近配置温度检测用的二极管等元件，来提高异质结双极晶体管的热稳定性。根据本申请的专利技术人进行的模拟，发现若仅在放大用的异质结双极晶体管的附近配置温度检测用的元件的话，存在高频功率放大器的动作的热稳定性不充分的情况。这被本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频功率放大器，/n具有半导体芯片，所述半导体芯片包括：/n至少一个第一晶体管，放大高频信号；/n第一外部连接用导电部件，与所述第一晶体管连接；/n偏置电路，包括对所述第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及/n第二外部连接用导电部件，与所述第二晶体管连接，/n在俯视时，所述第二外部连接用导电部件与所述第二晶体管至少部分重叠。/n

【技术特征摘要】
20180914 JP 2018-172851;20190701 JP 2019-1229781.一种高频功率放大器，
具有半导体芯片，所述半导体芯片包括：
至少一个第一晶体管，放大高频信号；
第一外部连接用导电部件，与所述第一晶体管连接；
偏置电路，包括对所述第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及
第二外部连接用导电部件，与所述第二晶体管连接，
在俯视时，所述第二外部连接用导电部件与所述第二晶体管至少部分重叠。


2.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其中，
所述偏置电路还包括温度补偿用元件，所述温度补偿用元件伴随着温度的上升向使对所述第一晶体管给予的偏置电压降低的方向控制所述第二晶体管，
从所述第一晶体管到所述第二晶体管的最短距离比从所述第一晶体管到所述温度补偿用元件的最短距离长。


3.根据权利要求2所述的高频功率放大器，其中，
除了所述第二晶体管以及所述温度补偿用元件以外，所述偏置电路还包括偏置元件，所述偏置元件是电阻、电容以及晶体管中的至少一个，
在俯视时，所述偏置元件不与所述第一外部连接用导电部件重叠，而与所述第二外部连接用导电部件或者其它的外部连接用的导电部件重叠。


4.根据权利要求2或3所述的高频功率放大器，其中，
在所述半导体芯片配置多个所述至少一个第一晶体管，多个所述第一晶体管被分为至少2个组，对所述至少2个组分别设置所述第一外部连接用导电部件，所述温度补偿用元件配置在一个组的第一晶体管与另一个组的第一晶体管之间。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频功率放大器，其中，
所述第一晶体管为异质结双极晶体管，所述第一外部连接用导电部件与所述第一晶体管的发射极或者集电极连接，所述第二晶体管对所述第一晶体管的基极或者集电极给予电压。


6.根据权利要求1～4中任一项所述的高频功率放大器，其中，
所述第一晶体管为场效应晶体管，所述第一外部连接用导电部件与所述第一晶体管的漏极或者源极连接，所述第二晶体管对所述第一晶体管的栅极或者漏极给予电压。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频功率放大器，其中，
在俯视时，所述第一晶体管被包含于所述第一外部连接用导电部件。


8.一种功率放大模块，具有：
半导体芯片；以及
模块基板，安装有所述半导体芯片，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木健次，大部功，筒井孝幸，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP