【技术实现步骤摘要】
一种双面胶带及其制备方法和应用
本专利技术涉及材料
，具体涉及一种双面胶带及其制备方法和应用。
技术介绍
随着各种电子设备的小型化、多功能化的趋势，对装载于这些电子设备的半导体芯片要求小型化、薄型化。为了使半导体芯片多功能化，通常会对半导体芯片进行镀膜处理，在此过程中最常使用的方法为真空溅射镀膜。半导体真空溅射过程会使用到起固定作用的双面胶带，由于制程为高温环境，且电子元件对电压非常敏感，因此，要求起固定作用的双面胶带不仅耐受高温，在使用过程中不得有气体释放，并且还要具有良好的抗静电性能和粘接性能。CN108659734A公开了一种抗静电UV固化的高初粘再剥离胶带及其制备方法，该抗静电UV固化的高初粘再剥离胶带包括依次设置的抗静电基膜、抗静电UV减粘胶层和抗静电离型膜。该专利技术的抗静电UV固化的高初粘再剥离胶带，初始剥离力较大，而经过UV光照后，其剥离力骤减，同时又具有抗静电的作用，解决了现有UV减粘胶带无法抗静电、现有抗静电UV减粘胶带低初粘的问题。但该胶带的胶层中含有溶剂，其在高温环境下使用会有大量气体逸
【技术保护点】
1.一种双面胶带，其特征在于，所述双面胶带自上而下依次包括：第一抗静电离型膜层、第一胶层、基材层、第二胶层和第二抗静电离型膜层；/n所述第一胶层的制备原料包括丙烯酸预聚体、功能性单体、引发剂和第一抗静电剂；/n所述第二胶层的制备原料包括丙烯酸母胶、固化剂和第二抗静电剂。/n
【技术特征摘要】
1.一种双面胶带，其特征在于，所述双面胶带自上而下依次包括：第一抗静电离型膜层、第一胶层、基材层、第二胶层和第二抗静电离型膜层；
所述第一胶层的制备原料包括丙烯酸预聚体、功能性单体、引发剂和第一抗静电剂；
所述第二胶层的制备原料包括丙烯酸母胶、固化剂和第二抗静电剂。
2.根据权利要求1所述的双面胶带，其特征在于，所述丙烯酸预聚体、功能性单体、引发剂和第一抗静电剂的质量比为100:(0.1-3):(0.2-1):(0.5-3)；
优选地，所述丙烯酸预聚体的制备原料包括丙烯酸、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸-2-羟乙酯和a,a-二甲氧基-a-苯基苯乙酮；
优选地，所述丙烯酸、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸-2-羟乙酯和a,a-二甲氧基-a-苯基苯乙酮的质量比为(0.5-4):(20-40):(30-50):(20-40):(0.02-0.1)；
优选地，所述功能性单体包括1,6-己二醇二丙烯酸酯和/或二缩三丙二醇二丙烯酸酯；
优选地，所述引发剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-羟基环己基苯基甲酮、二苯甲酮、(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)丁酮、a,a-二甲氧基-a-苯基苯乙酮、2-羟基-1-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基苯基)苄基)-2-甲基-1-丙酮或大分子光引发剂硫杂蒽酮中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述第一抗静电剂包括烷基磺酸盐抗静电剂、硫酸盐抗静电剂、磷酸盐抗静电剂、脂肪酸盐抗静电剂、羧酸盐抗静电剂、聚合型阴离子抗静电剂、胺盐抗静电剂、季铵盐抗静电剂、烷基氨基酸盐抗静电剂、氨基磺酸类抗静电剂、锂盐抗静电剂或含氟类静电剂中的任意一种或至少两种的组合。
3.根据权利要求1或2所述的双面胶带，其特征在于，所述第一胶层的厚度为200-800μm；
优选地，所述第一胶层的阻抗为109-1011Ω。
4.根据权利要求1-3任一项所述的双面胶带，其特征在于，所述丙烯酸母胶、固化剂和第二抗静电剂的质量比为100:(1-4):(0.5-3)；
优选地，所述丙烯酸母胶的制备原料以其总质量为100％计，包括如下组分：甲基丙烯酸甲酯3-5％、丙烯酸异辛酯20-28％、丙烯酸丁酯3-8％、甲基丙烯酸1-5％、丙烯酸-2-羟乙酯1-5％、丙烯酰胺0.5-3％、甲苯5-20％、乙酸乙酯40-60％和偶氮二异丁腈0.05-0.5％；
优选地，所述丙烯酸母胶中丙烯酸树脂的重均分子量为90万-120万；
优选地，所述固化剂包括甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯或间苯二甲胺环氧树脂中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述第二抗静电剂包括烷基磺酸盐抗静电剂、硫酸盐抗静电剂、磷酸盐抗静电剂、脂肪酸盐抗静电剂、羧酸盐抗静电剂、聚合型阴离子抗静电剂、胺盐抗静电剂、季铵盐抗静电剂、烷基氨基酸盐抗静电剂、氨基磺酸类抗静电剂、锂盐抗静电剂或含氟类静电剂中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的双面胶带，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李阜阳，刘源，韩晓航，陈洪野，吴小平，
申请(专利权)人：苏州赛伍应用技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。