一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖技术

本发明专利技术公开了一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，所述制备方法包括：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型；所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；通过控制生产过程参数以及合适的成分及配比的干粒及干粒保护釉，制备性能优良的抛晶砖；本发明专利技术能够适用于现有生产设备，无需改造生产线；采用的淋釉工艺，釉层更加均匀，采用钟罩淋釉，调节釉量更加方便，易于回收；所需釉层更薄，仅为干法干粒用量的五分之一，用量更低，烧成周期更短，不仅降低了生产成本低，而且提高了生产效率；同时相较于干法釉层气泡、针孔等缺陷较少，发色更为细腻丰富。

A preparation method of wet dry grain throwing crystal brick and throwing crystal brick

【技术实现步骤摘要】
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖
本专利技术涉及建筑陶瓷砖的
，特别涉及一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖。
技术介绍
抛晶砖最大的优点就在于它和其他的抛釉砖相比，有着较强的理化性能。耐磨耐压、耐酸碱以及防滑性都很好，同时由于其高温下烧成玻璃态成分较高，使其具有较高的光泽度，发色细腻，立体感强，展现出晶莹剔透的装饰效果，深受消费者的喜爱。但目前生产抛晶砖采用的干法一次烧成工艺，(1)由于该工艺采用粗细干粒熔块搭配，为了使干粒表面的干粒能够最大程度的熔平需要，需要在砖面堆积2～5公斤/㎡厚的干粒，才能够在抛光工序将釉面抛平，同时需要在布施完干粒熔块后喷一层保护釉固定干粒层，生产较为复杂；较厚的干粒层使得面釉层和砖坯产生的气泡不容易快速排出，容易出现气泡、针孔、凹釉等缺陷。(2)布施干粒需要在釉线新增干粒布料机等一套设备，需要较大的投入。(3)该工艺由于粗干粒熔块成分较高，为了使釉面尽可能的熔平，烧成温度较高，烧成周期较长，影响生产效率。可见，现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，旨在简化现有生产工艺，提高生产效率，降低生产成本。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型。所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述砖坯的粉料颗粒级配为20～100目，粉料的水分控制在6.7％～7.2％；第一次干燥的干燥温度为150～175℃，干燥周期为60～75min。所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，在第一次干燥之后，布施面釉之前还包括在砖坯上喷水，喷水量为70～90g/m2；控制砖坯温度为80～115℃。所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述面釉的布施量为459～505g/m2；采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1050～1190g/m2。所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述第二次干燥中，干燥窑的温度为160～180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50～65℃。所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75～85min。一种湿法干粒抛晶砖，由湿法干粒抛晶砖的制备方法制得；所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉由干粒、高岭土、悬浮剂和水组成，按重量比计算，由如下成分组成：干粒80～120份、高岭土1.9～2.5份、悬浮剂29～35份、水10～14份；所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷。所述的湿法干粒抛晶砖中，所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅40～45份、氧化铝11～16份、氧化钙15～20份、氧化镁10～15份、氧化钾5.5～5.9份、氧化锌4～8份、氧化钡3～4份、三氧化二铋0.05～0.2份、五氧化二钒0.3～0.5份。所述的湿法干粒抛晶砖中，所述干粒的粒径为90～100目，高岭土的粒径为100～120目。所述的湿法干粒抛晶砖中，所述面釉层由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅45～56份、氧化铝10～15份、氧化钙5～9份、氧化钡3～7份、氧化锌10～13份、氧化钠1～3份、氧化钾2～6份、氧化镁1～3份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆20～27份、三聚磷酸钠0.2～0.3份、羧甲基纤维素钠0.1～0.2份、水36～42份。有益效果：(1)相对于现有的一次干法干粒抛工艺，本制备方法能够适用于现有生产设备，无需改造生产线。(2)采用钟罩淋釉工艺，使调节施釉量更加方便，剩余釉料易于回收；淋釉更为均匀。(3)所述制备方法由于釉层较薄，干粒较细，相比干法抛晶砖工艺烧成温度更低，烧成周期更短；较薄的釉层有利于面釉层和砖坯的气泡快速排出，避免砖面出现气泡、针孔、凹陷等缺陷，提高成品的防污能力。(4)由于胶水悬浮剂与细干粒混合，釉料流动性好，比干法能够布施的比较均匀，同时布施干粒釉仅需1公斤/㎡左右，用量少，降低了生产成本。附图说明图1为本专利技术提供的一种湿法干粒抛晶砖的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并列举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型。一次烧湿法干粒抛晶砖的制备工艺简单，使砖坯完全玻化；釉与砖坯同时成熟，有利于砖坯与釉的中间层形成，增加产品的强度；热损失少；相对于现有的一次干法干粒抛工艺，所述制备方法能够适用于现有的生产设备，无需增加或改进生产线，可降低生产成本，制得的成品发色色域广，色彩清晰，吸水率低。进一步的，所述砖坯的粉料颗粒级配为20～100目，防止砖坯在烧制过程中收缩，影响砖的整体品相；粉料的水分控制在6.7～7.2份；第一次干燥的干燥温度为150～175℃，干燥周期为60～75min；严格控制砖坯的水分，保证砖坯的强度，便于输送，使砖坯不容易出现分层。进一步的，在第一次干燥之后，布施面釉之前还包括在砖坯上喷水；所述喷水量为70～90g/m2；控制喷水量在上述范围，有利于提高砖坯与面釉的结合能力，减少生产缺陷，同时保证面釉效果不易起粉；控制砖坯温度为80～115℃；上述砖坯温度，有利于打开砖坯砖面上的毛细孔，提高吸水率，有利于面釉的渗入，加快施釉的速度且吸釉均匀，釉面平滑。进一步的，所述面釉的布施量为459～505g/m2；采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，使施釉效果均匀性更好，保证干粒保护釉的流平性；其布施量为1050～1190g/m2，所述布施量合适，使干粒保护釉层的厚度适中，保证干粒釉能够最大程度的熔平，不会出现缩釉，缺釉现象，在保证效果的同时减少物料的损耗。进一步的，所述第二次干燥中，干燥窑的温度为160～180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50～65℃；使水分挥发，排除自由水，有利于悬浮剂固化，提高干粒釉层的致密度，排除干粒釉层缝隙的空气，降低釉面的毛孔，溶洞等缺陷。进一步的，所述烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75～85min；温度过高，瓷砖容易变形，保护釉容易起泡或流釉，影响瓷砖的品相；温度过低，瓷砖的瓷化效果不完全，降低成品的强度；上述烧制温度和烧成时间保证了成品具有足够的机械强度以及较低的吸水率。请参阅图1，一种湿法干粒抛晶砖，由湿法干粒抛晶砖的制备方法制得；所述抛晶砖从下至上依次为：砖坯层1、面釉层2、印花层3、干粒保护釉层4；所述干粒保护釉层4由干粒保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型。/n

【技术特征摘要】
1.一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型。


2.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，所述砖坯的粉料颗粒级配为20～100目，粉料的水分控制在6.7％～7.2％；第一次干燥的干燥温度为150～175℃，干燥周期为60～75min。


3.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，在第一次干燥之后，布施面釉之前还包括在砖坯上喷水，喷水量为70～90g/m2；控制砖坯温度为80～115℃。


4.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，所述面釉的布施量为459～505g/m2；采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1050～1190g/m2。


5.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，所述第二次干燥中，干燥窑的温度为160～180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50～65℃。


6.根据权利要求1所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，所述烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75～85min。


7.一种湿法干粒抛晶砖，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张良，刘俊荣，
申请(专利权)人：佛山欧神诺陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44