【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆清洗的超声清洗装置
本专利技术涉及集成电路
，具体为一种用于晶圆清洗的超声清洗装置。
技术介绍
随着单晶圆工艺的提高，对清洗技术的要求也越来越高，单晶圆清洗技术受到众多的晶圆代工厂和大规模集成电路制造企业的青睐，请参阅图5，晶圆匀速旋转的同时，超声发生器从边缘向晶圆中心来回扫略，直至清洗完整个晶圆面。一方面，由于半径的不同，晶圆上不同圆周上的点的速度大小是不同的，越靠近中心速度越慢，而与此相反的是，越靠近中间接受到的声波能量密度越强，导致边缘位置清洗强度不够，难以满足实际需要，而中心位置因能量过强而损伤，另一方面，此种清洗方式相当于在晶圆面画多圈螺旋线，直至晶圆面被完全覆盖，而实际上，晶圆上有的点可能被多次扫略，而有的店甚至没有接受到声波能量，增加清洗不均匀的同时增加了清洗时间。其次，硅片清洗通常出于封闭的腔室内，并且浸泡在清洗液中，不便于观察到晶圆的旋转状态，当晶圆旋转异常时，超声能量可能会损坏晶圆。
技术实现思路
针对上述
技术介绍
的不足，本专利技术提供了一种用于晶圆清...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆清洗的超声清洗装置，包括清洗腔(1)、驱动结构(2)、移动臂(3)，其特征在于：所述驱动结构(2)的输出端贯穿清洗腔(1)与旋转臂(8)固定连接，所述旋转臂(8)上偏心设置有移动台(4)，所述旋转臂(8)的一侧固定安装有位置感应器(7)，所述移动臂(3)安装有水平移动的伺服结构(5)，所述伺服结构(5)的速度随着接近移动台(4)的中心匀速增加，所述伺服结构(5)的下端安装有声波能量呈线性照射的超声发生结构(6)。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆清洗的超声清洗装置，包括清洗腔(1)、驱动结构(2)、移动臂(3)，其特征在于：所述驱动结构(2)的输出端贯穿清洗腔(1)与旋转臂(8)固定连接，所述旋转臂(8)上偏心设置有移动台(4)，所述旋转臂(8)的一侧固定安装有位置感应器(7)，所述移动臂(3)安装有水平移动的伺服结构(5)，所述伺服结构(5)的速度随着接近移动台(4)的中心匀速增加，所述伺服结构(5)的下端安装有声波能量呈线性照射的超声发生结构(6)。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆清洗的超声清洗装置，其特征在于：所述移动台(4)与旋转臂(8)活动连接，所述旋转臂(8)上设有移动台(4)移动的滑轨，所述旋转臂(8)滑轨的起点为旋转臂(8)的中心，所述旋转臂(8)的滑轨的终点和起点设有电磁控制的锁定结构。
3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆清洗的超声清洗装置，其特征在于：所述移动臂(3)上设置有至少两个伺服结构...
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