控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及控温技术领域，尤其涉及一种控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器，控温组件包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，调试电阻与反馈电阻分别与电源连接，调试电阻与热敏电阻均与功率管的基极连接，热敏电阻与功率管的发射极连接并接地，反馈电阻与功率管的集电极连接。本实用新型专利技术的控温组件可代替现有技术的最简控温电路，通过利用功率管的基极和发射级之间有固定的导通电压，可将热敏电阻的分压与之比较，省去了现有控温组件设置的运算放大器和复杂的电阻构成，进一步实现控温组件的小型化与集成化，解决现有控温电路的元件过于冗繁的问题。

Temperature control module, temperature control device and thermostatic crystal oscillator

【技术实现步骤摘要】
控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器
本技术涉及控温
，尤其涉及一种控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器。
技术介绍
目前控温技术运用于众多电子元器件中，以恒温晶体振荡器应用得最为广泛。恒温晶体振荡器通过控温电路与振荡电路制成，晶体振荡器中的关键元件石英晶体谐振器，其频率温度曲线在拐点温度附近，频率变化量几乎为零，因此，若将温度控制在晶体谐振器的拐点温度处，那么晶体振荡器的输出频率将很稳定。晶体谐振器的拐点温度一般比工作温度最大值高出10℃左右。如晶体振荡器要求工作温度范围为-40℃～70℃，则晶体的拐点一般设置在80℃。控温电路的作用就是持续加热，使晶振内部谐振器处的温度恒定为80℃。现有的恒温晶体振荡器中控温电路和晶体振荡器相互独立。控温电路为直接放大式控温电路，内部有2个分压电阻，1个调试电阻，1个热敏电阻，1个加热电阻，1个运算放大器，1个功率管组成，控温电路与核心元件晶体谐振器的布局讲究。基座的结构为上下两层，其中上层主要用于放置晶片和温度传感器(热敏电阻)；下层用于布置产品电路，将晶片和电路部分分离。晶片主要由基片和设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控温组件，其特征在于：包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，所述调试电阻与所述反馈电阻分别与电源连接，所述调试电阻与所述热敏电阻均与所述功率管的基极连接，所述热敏电阻与所述功率管的发射极连接并接地，所述反馈电阻与所述功率管的集电极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种控温组件，其特征在于：包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，所述调试电阻与所述反馈电阻分别与电源连接，所述调试电阻与所述热敏电阻均与所述功率管的基极连接，所述热敏电阻与所述功率管的发射极连接并接地，所述反馈电阻与所述功率管的集电极连接。


2.根据权利要求1所述的控温组件，其特征在于：所述功率管可为一个功率管，或多个功率管并联。


3.根据权利要求1或2所述的控温组件，其特征在于：所述功率管为NPN型三极管。


4.一种控温装置，其特征在于：包括基座组件、壳体和如权利要求1-3任一项所述的控温组件，所述壳体与所述基座组件连接，所述控温组件与被控温件均位于所述壳体内侧并与设置于所述基座组件上。


5.根据权利要求4所述的控温装置，其特征在于：所述热敏电阻与所述被控温件之...

【专利技术属性】
技术研发人员：卿春，胡琦，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11