控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及控温技术领域，尤其涉及一种控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器，控温组件包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，调试电阻与反馈电阻分别与电源连接，调试电阻与热敏电阻均与功率管的基极连接，热敏电阻与功率管的发射极连接并接地，反馈电阻与功率管的集电极连接。本实用新型专利技术的控温组件可代替现有技术的最简控温电路，通过利用功率管的基极和发射级之间有固定的导通电压，可将热敏电阻的分压与之比较，省去了现有控温组件设置的运算放大器和复杂的电阻构成，进一步实现控温组件的小型化与集成化，解决现有控温电路的元件过于冗繁的问题。

Temperature control module, temperature control device and thermostatic crystal oscillator

【技术实现步骤摘要】
控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器
本技术涉及控温
，尤其涉及一种控温组件、控温装置及恒温晶体振荡器。
技术介绍
目前控温技术运用于众多电子元器件中，以恒温晶体振荡器应用得最为广泛。恒温晶体振荡器通过控温电路与振荡电路制成，晶体振荡器中的关键元件石英晶体谐振器，其频率温度曲线在拐点温度附近，频率变化量几乎为零，因此，若将温度控制在晶体谐振器的拐点温度处，那么晶体振荡器的输出频率将很稳定。晶体谐振器的拐点温度一般比工作温度最大值高出10℃左右。如晶体振荡器要求工作温度范围为-40℃～70℃，则晶体的拐点一般设置在80℃。控温电路的作用就是持续加热，使晶振内部谐振器处的温度恒定为80℃。现有的恒温晶体振荡器中控温电路和晶体振荡器相互独立。控温电路为直接放大式控温电路，内部有2个分压电阻，1个调试电阻，1个热敏电阻，1个加热电阻，1个运算放大器，1个功率管组成，控温电路与核心元件晶体谐振器的布局讲究。基座的结构为上下两层，其中上层主要用于放置晶片和温度传感器(热敏电阻)；下层用于布置产品电路，将晶片和电路部分分离。晶片主要由基片和设置在基片表面的晶体电极、加热电阻膜组成；晶体电极用于晶体振荡，加热电阻膜在引出端通电后实现给晶片加热功能。随着恒温元器件的日益小型化于集成化，目前市场具有的最简控温电路仍然有简化的空间，其运放较大，电阻较多，仍显得过于冗繁。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是现有的控温组件的运放较大，电阻多，不利于小型化集成化的问题。>(二)技术方案为了解决上述技术问题，本技术提供了一种控温组件，包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，所述调试电阻与所述反馈电阻分别与电源连接，所述调试电阻与所述热敏电阻均与所述功率管的基极连接，所述热敏电阻与所述功率管的发射极连接并接地，所述反馈电阻与所述功率管的集电极连接。其中，所述功率管可为一个功率管，或多个功率管并联。其中，所述功率管为NPN型三极管。本技术还提供了一种控温装置，包括基座组件、壳体和如上所述的控温组件，所述壳体与所述基座组件连接，所述控温组件与被控温件均位于所述壳体内侧并与设置于所述基座组件上。其中，所述热敏电阻与所述被控温件之间的距离小于所述热敏电阻与所述功率管之间的距离。其中，还包括用于支撑架起所述被控温件的支架，所述支架设置于所述基座组件上。其中，还包括导热件，所述导热件位于所述壳体内侧且罩设在所述被控温件外侧。其中，所述基座组件包括基座和集成板，所述基座上设有引脚，所述集成板设置于所述引脚上，所述壳体扣合于所述基座上，所述控温组件与所述被控温件设置于所述集成板上。其中，所述集成板为PCB板或陶瓷板。本技术还提供了一种恒温晶体振荡器，包括如上所述控温装置，所述被控温件为晶体谐振器。(三)有益效果本技术的上述技术方案具有如下优点：本技术实施例的控温组件通过调试电阻、热敏电阻、反馈电阻和功率管相互连接组成控温电路，在应用于恒温晶体振荡器时，将调试电阻的电阻值调设为能代表晶体拐点温度的电阻值，室温下，刚加电时，热敏电阻的电阻值很大，分压大于功率管的导通电压，功率管的发射级导通发热，功率管的基极电流较大；随着温度增加，热敏电阻的电阻值减小，功率管的基极电流减小；当功率管的基极电流为0时，热敏电阻的电位等于功率管导通电压，温度达到拐点温度值，当热敏电阻的电位小于功率管的导通电压，停止加热，最终温度稳定在拐点温度处。反馈电阻起反馈作用，能够更加精确控制功率管的导通电压的导通。本技术的控温组件可代替现有技术的最简控温电路，控温指标在-55℃～85℃范围内，控温精度能达到0.5℃以内，对于100M恒温晶体振荡器来说，其-55℃～85℃范围内能达到≤±5E-8的频率温度稳定性要求。而且本技术通过利用功率管的基极和发射级之间有固定的导通电压，可将热敏电阻的分压与之比较，省去了现有控温组件设置的运算放大器和复杂的电阻构成，进一步实现控温组件的小型化与集成化，解决现有控温电路的元件过于冗繁的问题。除了上面所描述的本技术解决的技术问题、构成的技术方案的技术特征以及有这些技术方案的技术特征所带来的优点之外，本技术的其他技术特征及这些技术特征带来的优点，将结合附图作出进一步说明。附图说明图1是本技术实施例一控温组件的结构示意图；图2是本技术实施例二控温装置的结构示意图；图3是本技术实施例三控温装置的结构示意图；图4是本技术实施例四控温装置的结构示意图；图5是本技术实施例五控温装置的结构示意图。图中：1：调试电阻；2：反馈电阻；3：热敏电阻；4：功率管；5：控温组件；6：壳体；7：基座组件；8：被控温件；9：支架；10：导热件；71：基座；72：集成板。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”、“多根”、“多组”的含义是两个或两个以上，“若干个”、“若干根”、“若干组”的含义是一个或一个以上。实施例一如图1所示，本技术实施例提供的控温组件，包括调试电阻1、反馈电阻2、热敏电阻3和功率管4，调试电阻1与反馈电阻2分别与电源连接，调试电阻1与热敏电阻3均功率管4的基极连接，热敏电阻3与功率管4的发射极连接并接地，反馈电阻2与功率管4的集电极连接。本技术实施例的控温组件通过调试电阻、热敏电阻、反馈电阻和功率管相互连接组成控温电路，在应用于恒温晶体振荡器时，将调试电阻的电阻值调设为能代表晶体拐点温度的电阻值，室温下，刚加电时，热敏电阻的电阻值很大，分压大于功率管的导通电压，功率管的发射级导通发热，功率管的基极电流较大；随着温度增加，热敏电阻的电阻值减小，功率管的基极电流减小；当功率管的基极电流为0时，热敏电阻的电位等于功率管导通电压，温度达到拐点温度值，当热敏电阻的电位小于功率管的导通电压，停止加热，最终温度稳定在拐点温度处。反馈电阻起反馈作用，能够更加精确控制功率管的导通电压的导通。本技术的控温组件可代替现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控温组件，其特征在于：包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，所述调试电阻与所述反馈电阻分别与电源连接，所述调试电阻与所述热敏电阻均与所述功率管的基极连接，所述热敏电阻与所述功率管的发射极连接并接地，所述反馈电阻与所述功率管的集电极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种控温组件，其特征在于：包括调试电阻、反馈电阻、热敏电阻和功率管，所述调试电阻与所述反馈电阻分别与电源连接，所述调试电阻与所述热敏电阻均与所述功率管的基极连接，所述热敏电阻与所述功率管的发射极连接并接地，所述反馈电阻与所述功率管的集电极连接。


2.根据权利要求1所述的控温组件，其特征在于：所述功率管可为一个功率管，或多个功率管并联。


3.根据权利要求1或2所述的控温组件，其特征在于：所述功率管为NPN型三极管。


4.一种控温装置，其特征在于：包括基座组件、壳体和如权利要求1-3任一项所述的控温组件，所述壳体与所述基座组件连接，所述控温组件与被控温件均位于所述壳体内侧并与设置于所述基座组件上。


5.根据权利要求4所述的控温装置，其特征在于：所述热敏电阻与所述被控温件之...

【专利技术属性】
技术研发人员：卿春，胡琦，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11