稳定起振的晶体振荡器电路制造技术

本发明专利技术提供了一种稳定起振的晶体振荡器电路，包括：主动驱动模块，所述主动驱动模块的第一端与OSCI端电连接，所述主动驱动模块的第二端与OSCO端电连接；扰动模块，所述扰动模块的第一端与所述主动驱动模块的第三端电连接；停振检测模块，所述停振检测模块与所述扰动模块的第二端电连接；低频辅助振荡模块，所述低频辅助振荡模块的第一端与所述主动驱动模块的第一端电连接；输出整形模块，所述输出整形模块的第一端与所述低频辅助振荡模块的第二端电连接。本发明专利技术采用停振检测模块、低频辅助振荡模块、扰动模块和扰动脉冲产生模块，大大增强了晶体振荡器的稳定性，缩短了晶体振荡器的起振时间，防止了晶体振荡器停振。

A stable crystal oscillator circuit

【技术实现步骤摘要】
稳定起振的晶体振荡器电路
本专利技术涉及晶体振荡器
，特别涉及一种稳定起振的晶体振荡器电路。
技术介绍
石英晶体谐振器，简称石英晶体或晶体，是利用石英晶体的压电效应，用来产生高精度振荡频率的一种电子组件，属于被动组件，需搭配外加电路才会产生振荡，晶体包括一块平板压电电阻材料，这种材料允许机械能和电能的转化，这种能量交换在某一特殊的频率上效率最高，该频率点称为谐振频率，石英晶体振荡器以其极高的频率稳定性被广泛应用，低功耗，快速启动，低电压工作和低电平驱动已成为一个趋势。
技术实现思路
本专利技术提供了一种稳定起振的晶体振荡器电路，其目的是为了解决传统晶体振荡器普遍存在起振慢，可能停振的问题。为了达到上述目的，本专利技术的实施例提供了一种稳定起振的晶体振荡器电路，包括：主动驱动模块，所述主动驱动模块的第一端与OSCI端电连接，所述主动驱动模块的第二端与OSCO端电连接，所述主动驱动模块用于驱动晶体使其产生谐振的；扰动模块，所述扰动模块的第一端与所述主动驱动模块的第三端电连接，所述扰动模块用于在晶体振本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稳定起振的晶体振荡器电路，其特征在于，包括：/n主动驱动模块，所述主动驱动模块的第一端与OSCI端电连接，所述主动驱动模块的第二端与OSCO端电连接，所述主动驱动模块用于驱动晶体使其产生谐振的；/n扰动模块，所述扰动模块的第一端与所述主动驱动模块的第三端电连接，所述扰动模块用于在晶体振荡器起振阶段提供一个驱动，加速振荡器起振；/n停振检测模块，所述停振检测模块与所述扰动模块的第二端电连接，所述停振检测模块用于检测晶体振荡器输出时钟；/n低频辅助振荡模块，所述低频辅助振荡模块的第一端与所述主动驱动模块的第一端电连接，所述低频辅助振荡模块的第二端与主动驱动模块的第二端电连接，所述低频辅助振...

【技术特征摘要】
1.一种稳定起振的晶体振荡器电路，其特征在于，包括：
主动驱动模块，所述主动驱动模块的第一端与OSCI端电连接，所述主动驱动模块的第二端与OSCO端电连接，所述主动驱动模块用于驱动晶体使其产生谐振的；
扰动模块，所述扰动模块的第一端与所述主动驱动模块的第三端电连接，所述扰动模块用于在晶体振荡器起振阶段提供一个驱动，加速振荡器起振；
停振检测模块，所述停振检测模块与所述扰动模块的第二端电连接，所述停振检测模块用于检测晶体振荡器输出时钟；
低频辅助振荡模块，所述低频辅助振荡模块的第一端与所述主动驱动模块的第一端电连接，所述低频辅助振荡模块的第二端与主动驱动模块的第二端电连接，所述低频辅助振荡模块用于在晶体参数产生变化后，提供一个低频振荡回路，保持振荡器不停振；
输出整形模块，所述输出整形模块的第一端与所述低频辅助振荡模块的第二端电连接，所述输出整形模块的第二端与CLK端电连接，所述输出整形模块用于将产生的正弦波整形为方波，并增强抗噪声能力。


2.根据权利要求1所述的稳定起振的晶体振荡器电路，其特征在于，还包括：
晶体，所述晶体的第一端与所述低频辅助振荡模块的第一端电连接，所述晶体的第二端与所述低频辅助振荡模块的第二端电连接；
第一负载电容，所述第一负载电容的第一端与所述晶体的第一端电连接，所述第一负载电容的第二端与接地端电连接；
第二负载电容，所述第二负载电容的第一端与所述晶体的第二端电连接，所述第二负载电容的第二端与接地端电连接。


3.根据权利要求1所述的稳定起振的晶体振荡器电路，其特征在于，还包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与OSCI端电连接；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的源极端电连接，所述第一NMOS管的源极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第一NMOS管的源极端电连接，所述第二NMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的栅极端电连接，所述第二NMOS管的源极端与接地端电连接。


4.根据权利要求3所述的稳定起振的晶体振荡器电路，其特征在于，所述主动驱动模块包括：
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与电源端电连接；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接，所述第三NMOS管的栅极端分别与所述第二PMOS管的栅极端和所述第二NMOS管的漏极端电连接，所述第三NMOS管的源极端与接地端电连接。


5.根据权利要求4所述的稳定起振的晶体振荡器电路，其特征在于，所述扰动模块包括：
第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第三PMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接。


6.根据权利要求5所述的稳定起振的晶体振荡器电路，其特征在于，所述低频辅助振荡模块包括：
第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第四PMOS管的栅极端与所述第三PMOS管漏极端电连接；
第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极端与所述第四PMOS管的源极端电连接，所述第五PMOS管的栅极端与所述第一NMOS管的栅极端电连接，所述第五PMOS管的漏极端与所述第四PMOS管的漏极端电连接；
第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极端与所述第五PMOS管的漏极端电连接，所述第四NMOS管的栅极端与所述第四PMOS管的栅极端电连接；
第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏极端与所述第四NMOS管的源极端...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷洪波，马剑武，李双飞，杨必文，陈明，
申请(专利权)人：湖南品腾电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43