【技术实现步骤摘要】
晶体振荡器和包括该晶体振荡器的基准时钟生成电路相关申请的交叉引用本申请要求2018年7月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0081752的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及晶体振荡器和包括该晶体振荡器的基准时钟生成电路。
技术介绍
诸如射频集成芯片(RFIC)或串行通信设备之类的通信设备可以基于与固定频率信号同步地周期性地指示逻辑高和逻辑低的基准时钟来发送或接收信号。因此,产生用于发送信号的基准时钟的基准时钟生成电路可以包括在通信设备内。基准时钟生成电路可以从振荡器接收固定频率信号以产生具有固定频率的基准时钟。基于压电晶体谐振器(“晶体”)的固有频率产生固定频率信号的晶体振荡器可以用作振荡器。晶体振荡器是典型地采用放大器和晶体来产生固定频率信号的设备。该晶体由具有在期望(自然)频率下物理地共振的形状的一小片压电材料制成,使得该晶体像具有在其固有频率周围的带通的滤波器一样起作用。固有频率是晶体的工艺类型和尺寸的函数。晶体振荡器的固定频率信号可根据晶体的固有频 ...
【技术保护点】
1.一种被配置为基于晶体的固有频率产生振荡信号的晶体振荡器,所述晶体振荡器包括:/n电流生成电路,所述电流生成电路连接到具有第一电压的第一节点和具有第二电压的第二节点,所述电流生成电路被配置为将第一电流输出到所述第二节点;/n反馈电路,所述反馈电路经由所述第一节点和所述第二节点连接到所述电流生成电路,并且被配置为通过控制所述第一电压的大小来调节所述第二电压的大小;以及/n晶体电路,所述晶体电路连接到所述第二节点,并且被配置为基于所述第二电压产生所述振荡信号。/n
【技术特征摘要】
20180713 KR 10-2018-00817521.一种被配置为基于晶体的固有频率产生振荡信号的晶体振荡器,所述晶体振荡器包括:
电流生成电路,所述电流生成电路连接到具有第一电压的第一节点和具有第二电压的第二节点,所述电流生成电路被配置为将第一电流输出到所述第二节点;
反馈电路,所述反馈电路经由所述第一节点和所述第二节点连接到所述电流生成电路,并且被配置为通过控制所述第一电压的大小来调节所述第二电压的大小;以及
晶体电路,所述晶体电路连接到所述第二节点,并且被配置为基于所述第二电压产生所述振荡信号。
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中,
所述反馈电路包括运算放大器OPAMP,所述OPAMP包括连接到所述第一节点的输出端子、连接到所述第二节点的第一输入端子和连接到第三节点的第二输入端子,
第三电压被施加到所述第三节点,并且
所述OPAMP通过控制所述第一节点的所述第一电压,将所述第二电压的大小调节成与所述第三电压的大小大致相等。
3.根据权利要求2所述的晶体振荡器,还包括:
电压生成电路,所述电压生成电路被配置为将所述第三电压施加到所述第三节点;以及
第一噪声消除电路,所述第一噪声消除电路连接到所述第三节点,并且被配置为阻挡从所述电压生成电路产生的噪声。
4.根据权利要求3所述的晶体振荡器,其中,
所述第一噪声消除电路包括:
连接在所述电压生成电路与所述第三节点之间的第一电阻器;以及
连接到所述第三节点和参考地的第一电容器,其中所述第一电阻器和所述第一电容器形成低通滤波器。
5.根据权利要求2所述的晶体振荡器,还包括:
第二噪声消除电路,所述第二噪声消除电路耦合在所述OPAMP的所述第一输入端子与所述第二节点之间,并且被配置为消除所述第二电压中的噪声。
6.根据权利要求5所述的晶体振荡器,其中,
所述第二噪声消除电路包括连接在所述OPAMP的所述第一输入端子与所述第二节点之间的第二电阻器。
7.根据权利要求2所述的晶体振荡器,其中,
所述晶体电路连接在所述第二节点与第四节点之间,
并且所述晶体振荡器还包括节点电压调节电路,所述节点电压调节电路被配置为将所述第四节点处的电压大小调节成大致等于所述第二节点处的电压大小。
8.根据权利要求7所述的晶体振荡器,其中,
所述节点电压调节电路包括连接在第三节点与所述第四节点之间的第三电阻器,并且所述第三电阻器被配置为通过将所述第四节点处的电压大小调节成大致等于第三电压的电压大小,来将所述第四节点的电压大小和所述第二节点的电压大小调节成彼此大致相等。
9.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中,
所述电流生成电路包括第一晶体管,所述第一晶体管的栅极端子连接到所述第一节点,第一端部被施加电源电压并且第二端部连接到所述第二节点。
10.根据权利要求1所述的晶体振荡器,还包括:
正反馈防止电路,所述正反馈防止电路被配置为通过控制所述第一电压与所述第二电压之间的相位差来防止所述反馈电路的正反馈。
11.根据权利要求10所述的晶体振荡器,其中,
所述正反馈防止电路连接在所述第一节点与所述第二节点之间,并且包括彼此串联连接的第二电容器和第四电阻器。
12.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:张栽赫,金信雄,金荣敏,金宰莹,金哲镐,韩相昱,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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