具有热匹配结构的太赫兹倍频器制造技术

本发明专利技术提供了一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的金刚石基板、设于金刚石基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金刚石基板的上板面与倍频芯片对应的第一类压点处设有第三热膨胀适配层，金刚石基板的下板面与金属外壳内腔对应的第二类压点处设有第四热膨胀适配层。本发明专利技术提供的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，第三热膨胀适配层和第四热膨胀适配层均选用具有较低热膨胀系数的材质，有效改善金刚石基板与倍频芯片及金刚石基板与金属外壳之间的热膨胀失配，使金刚石基板能够用于太赫兹倍频器中。

Terahertz frequency multiplier with thermal matching structure

【技术实现步骤摘要】
具有热匹配结构的太赫兹倍频器
本专利技术属于太赫兹器件
，更具体地说，是涉及一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器。
技术介绍
太赫兹波是指频率范围在0.1THz-10THz内的电磁波，具有非常优秀的特性，能够广泛应用在安检、医疗、航天、检测等领域。太赫兹倍频器可以将低频的电磁波进行倍频形成太赫兹波，是获得太赫兹波的核心器件。由于太赫兹倍频器中低频电磁波的倍频效率普遍低下，因此太赫兹倍频器的自热效应非常明显，导致芯片结温升高，引起失效。金刚石具有超高热导率的特点，且具有介电常数低的优势，是用作太赫兹倍频器电路基板的理想材料，但是金刚石与倍频芯片以及倍频器腔体之间存在较大的热膨胀系数失配，导致金刚石基板难以应用在太赫兹倍频器件上。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器，以解决现有技术中存在的金刚石与倍频芯片以及倍频器腔体之间存在较大的热膨胀系数失配，导致金刚石基板难以应用的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器，包括：金属外壳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有热匹配结构的太赫兹倍频器，其特征在于：包括金属外壳、设于所述金属外壳内腔中的金刚石基板、设于所述金刚石基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，所述金刚石基板的上板面与所述倍频芯片对应的第一类压点处设有第三热膨胀适配层，所述金刚石基板的下板面与所述金属外壳内腔对应的第二类压点处设有第四热膨胀适配层。/n

【技术特征摘要】
1.具有热匹配结构的太赫兹倍频器，其特征在于：包括金属外壳、设于所述金属外壳内腔中的金刚石基板、设于所述金刚石基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，所述金刚石基板的上板面与所述倍频芯片对应的第一类压点处设有第三热膨胀适配层，所述金刚石基板的下板面与所述金属外壳内腔对应的第二类压点处设有第四热膨胀适配层。


2.如权利要求1所述的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，其特征在于：所述第三热膨胀适配层和所述第四热膨胀适配层均为多层复合材料调节层。


3.如权利要求2所述的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，其特征在于：所述第三热膨胀适配层和所述第四热膨胀适配层的厚度均为10nm-100μm。


4.如权利要求2所述的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，其特征在于：所述第三热膨胀适配层包括从上至下层叠分布的第一铜层、第一钼层及第二铜层。


5.如权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋旭波，张立森，梁士雄，吕元杰，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13