振荡器电路以及相关的振荡器装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了振荡器电路以及相关的振荡器装置。振荡器电路包含负温度系数偏压电流产生电路以及一组振荡器子区块电路，其中负温度系数偏压电流产生电路耦接于电源电压与接地电压之间，而该组振荡器子区块电路彼此耦接以形成振荡器。负温度系数偏压电流产生电路可用来产生负温度系数偏压电流。该组振荡器子区块电路中的每一振荡器子区块电路包含多个晶体管，其耦接于电源电压以及负温度系数偏压电流产生电路中的一节点之间，而负温度系数偏压电流产生电路以及所述每一振荡器子区块电路共享该多个晶体管中的至少一个晶体管。本发明专利技术的好处例如：振荡器电路不需要电容器，且对温度变化不敏感；尤其，能通过组件共享来实现电流重用。

Oscillator circuit and related oscillator device

【技术实现步骤摘要】
振荡器电路以及相关的振荡器装置
本专利技术有关于振荡器，尤其关于一种振荡器电路以及相关的振荡器装置。
技术介绍
传统的低功耗振荡器通常需要多个子模块，并且该多个子模块中的每一个子模块块单独消耗功率，这使得传统的低功耗振荡器整体消耗功率无法进一步减少。除了上列既有的问题之外，还有某些其它问题。例如，传统的低功耗振荡器的特性对温度变化敏感(temperaturesensitive)。又例如，传统的低功耗低漂移振荡器需要至少三种组件，而这三种组件包含电容器。由于电容器的变化很大，故传统振荡器的频率变化较大，就造成整体效能变差。因此，需要一种新颖的架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升电子系统的整体效能。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于公开一种振荡器电路以及相关的振荡器装置，以解决上述问题。本专利技术的另一目的在于公开一种振荡器电路以及相关的振荡器装置，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到电子装置的优化(optimal)效能。本专利技术的至少一实施例公开一种振荡器电路。该振荡器电路包含：一负温度系数偏压电流产生电路以及一组振荡器子区块电路，其中该负温度系数偏压电流产生电路耦接于一电源电压与一接地电压之间，而该组振荡器子区块电路彼此耦接以形成一振荡器。该负温度系数偏压电流产生电路可用来产生至少一负温度系数偏压电流。另外，该组振荡器子区块电路中的每一振荡器子区块电路包含多个晶体管，而该多个晶体管耦接于该电源电压以及该负温度系数偏压电流产生电路中的一节点之间，尤其，该负温度系数偏压电流产生电路以及所述每一振荡器子区块电路共享该多个晶体管中的至少一个晶体管。本专利技术的至少一实施例公开一种包含上述振荡器电路的振荡器装置，该振荡器装置可还包含：一比较器，耦接于该振荡器电路的至少一输出端子(例如一或多个输出端子)，用来进行比较运作以产生一输出信号。本专利技术的好处例如：该振荡器电路不需要电容器，且对温度变化不敏感(temperatureinsensitive)，尤其，能通过组件共享来实现电流重用(reuse)。相较于相关技术，本专利技术的振荡器电路能被实施成无电容器(capacitor-less,cap-less)电路，不但功能完善、且大小极为精巧。附图说明图1为依据本专利技术一实施例的一种振荡器电路的示意图。图2绘示依据本专利技术一实施例的包含图1所示振荡器电路的振荡器装置。图3绘示依据本专利技术另一实施例的包含图1所示振荡器电路的振荡器装置。图4绘示图1所示振荡器电路的相关信号的例子。其中，附图标记说明如下：10,20振荡器装置100振荡器电路110负温度系数偏压电流产生电路121,122,123振荡器子区块电路MP11,MP12,MP13,晶体管MP21,MP22,MP23,MP31,MP32,MP33,MN0,MN11,MN21,MN31,MP_REFRB电阻器VDD电源电压VSS接地电压IBIAS偏压电流NA,NB,NC,NC’,节点N1,N2,N3,N_mirNX,NY输出端子I1,I2,I3电流vgs_ref,vgs_mir,Vref,VS电压CMP比较器CLK,CLK1,CLK2输出信号具体实施方式图1为依据本专利技术一实施例的一种振荡器电路100的示意图。振荡器电路100包含负温度系数偏压电流产生电路(biascurrentgenerationcircuit)110以及一组振荡器子区块电路{121,122,123}，其中负温度系数偏压电流产生电路110耦接于电源电压VDD与接地电压VSS之间，而该组振荡器子区块电路{121,122,123}彼此耦接以形成振荡器。负温度系数偏压电流产生电路110可用来产生至少一负温度系数偏压电流(biascurrent)。另外，该组振荡器子区块电路{121,122,123}中的每一振荡器子区块电路(诸如振荡器子区块电路121、122或123)包含多个晶体管，而该多个晶体管耦接于电源电压VDD以及负温度系数偏压电流产生电路110中的节点N_mir之间，尤其，负温度系数偏压电流产生电路110以及上述每一振荡器子区块电路(诸如振荡器子区块电路121、122或123)共享该多个晶体管中的至少一个晶体管(例如：一或多个晶体管，诸如该组振荡器子区块电路{121,122,123}中的任何一个振荡器子区块电路的最下方的晶体管，也就是晶体管MN11、MN21或MN31)。图1所示架构中采用了某些类型的金属氧化物半导体场效晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，可简称为「MOSFET」)，诸如P型(P-type)与N型(N-type)MOSFET，但本专利技术不限于此。如图1所示，负温度系数偏压电流产生电路110可包含耦接至电源电压VDD且产生偏压电流IBIAS的电流源(绘示于图1左上角且标示了其偏压电流IBIAS)，且可包含耦接于这个电流源与接地电压VSS之间的一组晶体管{MN0,MP_REF}、耦接至晶体管MN0的晶体管MN11、MN21与MN31(其可作为上述至少一个晶体管的例子)、以及耦接于节点N_mir以及接地电压VSS之间的电阻器RB，其中晶体管MN11、MN21与MN31各自的控制端子诸如栅极(gate)端子耦接至该组晶体管{MN0,MP_REF}中的晶体管MN0的二个端子诸如栅极端子与漏极(drain)端子。于本实施例中，该组晶体管{MN0,MP_REF}中的每一晶体管的二个端子诸如栅极端子与漏极端子彼此耦接，使上述每一晶体管(诸如晶体管MN0或MP_REF)被组态成二极管连接的(diode-connected)晶体管。举例来说，该组晶体管{MN0,MP_REF}可依据偏压电流IBIAS产生至少一参考电压(例如：一或多个参考电压，诸如电压vgs_ref)，以供进行负温度系数控制，但本专利技术不限于此。另外，上述每一振荡器子区块电路(诸如振荡器子区块电路121、122或123)中的该多个晶体管可包含耦接于电源电压VDD与另一节点(诸如节点N1、N2或N3)之间的多个晶体管，且包含耦接于该另一节点(诸如节点N1、N2或N3)与节点N_mir之间的上述至少一个晶体管(例如晶体管MN11、MN21或MN31)。如图1所示，振荡器子区块电路121包含耦接于电源电压VDD与节点N1之间的晶体管MP11、MP12与MP13以及耦接于节点N1与N_mir之间的晶体管MN11，振荡器子区块电路122包含耦接于电源电压VDD与节点N2之间的晶体管MP21、MP22与MP23以及耦接于节点N2与N_mir之间的晶体管MN21，且振荡器子区块电路123包含耦接于电源电压VDD与节点N3之间的晶体管MP31、MP32与MP33以及耦接于节点N3与N_mir之间的晶体管MN31。振荡器子区块电路1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种振荡器电路，其特征在于，包含：/n一负温度系数偏压电流产生电路，耦接于一电源电压与一接地电压之间，用来产生至少一负温度系数偏压电流；以及/n一组振荡器子区块电路，彼此耦接以形成一振荡器，其中该组振荡器子区块电路中的每一振荡器子区块电路包含：/n多个晶体管，耦接于该电源电压以及该负温度系数偏压电流产生电路中的一节点之间，其中该负温度系数偏压电流产生电路以及所述每一振荡器子区块电路共享该多个晶体管中的至少一个晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种振荡器电路，其特征在于，包含：
一负温度系数偏压电流产生电路，耦接于一电源电压与一接地电压之间，用来产生至少一负温度系数偏压电流；以及
一组振荡器子区块电路，彼此耦接以形成一振荡器，其中该组振荡器子区块电路中的每一振荡器子区块电路包含：
多个晶体管，耦接于该电源电压以及该负温度系数偏压电流产生电路中的一节点之间，其中该负温度系数偏压电流产生电路以及所述每一振荡器子区块电路共享该多个晶体管中的至少一个晶体管。


2.如权利要求1所述的振荡器电路，其特征在于，该负温度系数偏压电流产生电路包含：
一电流源，耦接至该电源电压，用来产生一偏压电流；以及
一组晶体管，耦接于该电流源与该接地电压之间，用来依据该偏压电流产生至少一参考电压，以供进行负温度系数控制。


3.如权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，该负温度系数偏压电流产生电路还包含：
所述至少一个晶体管；以及
一电阻器，耦接于该节点以及该接地电压之间。


4.如权利要求2所述的振荡器电路，其特征在于，所述至少一个晶体管的一控制端子耦接至该组晶体管中的一晶体管的二个端子。


5.如权利要求1所述的振荡器电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝报田，李超，王维铁，
申请(专利权)人：雅特力科技重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50