【技术实现步骤摘要】
一种光掩膜补偿方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种光掩膜补偿方法。
技术介绍
随着半导体技术的迅速发展，芯片的特征尺寸不断地缩小，因此对光掩膜图形技术有了更高的要求。具体来说，集成电路芯片是由很多层电路层叠加起来的，因此光掩膜图形工艺中当层图形和前一层图形需要较高的对准精度，尤其是在双光掩膜图形(doubleexposure)中，通常对其中一次曝光的光掩膜图形进行修正或者补偿，而另一光掩膜图形只能使用人工调整的方式进行修正或者补偿。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种光掩膜补偿方法，用于解决现有技术光掩膜图形工艺中补偿对准度不够的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种光掩膜补偿方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，且所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形及所述第三掩膜图形分别具有第一位置度、第二位置度及第三位置度；定义所述第二位置度到所述第一位置度的向量为第一向量，定义所述第三位置度...
【技术保护点】
1.一种光掩膜补偿方法，其特征在于，包括：/n提供晶圆，所述晶圆具有第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，且所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形及所述第三掩膜图形分别具有第一位置度、第二位置度及第三位置度；/n定义所述第二位置度到所述第一位置度的向量为第一向量，定义所述第三位置度到所述第二位置度的向量为第二向量；/n测量所述第一向量和所述第二向量；以及/n根据所述第一向量与所述第二向量的合向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。/n
【技术特征摘要】
1.一种光掩膜补偿方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆具有第一掩膜图形、第二掩膜图形和第三掩膜图形，且所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形及所述第三掩膜图形分别具有第一位置度、第二位置度及第三位置度；
定义所述第二位置度到所述第一位置度的向量为第一向量，定义所述第三位置度到所述第二位置度的向量为第二向量；
测量所述第一向量和所述第二向量；以及
根据所述第一向量与所述第二向量的合向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。
2.根据权利要求1所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，根据所述第一向量对所述第二掩膜图形的对准精度进行补偿，根据所述第一向量和所述第二向量的加权合向量对所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿。
3.根据权利要求1所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，根据第四向量分别对所述第二掩膜图形和所述第三掩膜图形的对准精度进行补偿，所述第四向量为所述第一向量和所述第二向量加权合向量。
4.根据权利要求3所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，定义所述第三位置度到所述第一位置度的向量为第三向量，所述第四向量为所述第一向量与所述第三向量之和的一半。
5.根据权利要求1至4任一项所述的光掩膜补偿方法，其特征在于，所述光掩膜补偿方法用于线性一阶和/或高阶掩膜图形的对准精度补偿。
6.光掩膜对准精度补偿方法，其特征在于，包括：
提供第一载具以及第二载具，所述第一载具承载第一晶圆，所述第二载具承载第二晶圆；
所述第一晶圆的前一层上具有第一一掩膜图形，所述第一晶圆的当层上分别具有第一二掩膜图形和第一三掩膜图形，所述第二晶圆的前一层上具有第二一掩膜图形，所述第二晶圆的当层上具有第二二掩膜图形和第二三掩膜图形，所述第一一掩膜图形、所述第一二掩膜图形及所述第一三掩膜图形分别具有第一一位置度、第一二位置度及第一三位置度，所述第二一掩膜图形、所述第二二掩膜图形及所述第二三掩膜图形分别具有第二一位置度、第二二位置度及第二三位置度；
定义所述第一二位置度到所述第一一位置度的向量为第一一向量，定义所述第一三位置度到所述第一二位置度的向量为第一二向量，定义所述第二二位置度到所述第二一位置度的向量为第二一向量，定义所述第二三位置度到所述第二二位置度的向量为第二二向量；
测量所述第一一向量、所述第一二向量、所述第二一向量和所述第二二向量；以及
根据所述第一一向量与所述第一二向量的合向量分别对所述第一二掩膜图形和所述第一三掩膜图形的对准精度进行补偿，根据所述第二一向量与所述第二二向量的合向量分别对所述第二二掩膜图形和所述第二三掩膜图形的对准精度进行补偿。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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