低介电常数导热性散热构件制造技术

本发明专利技术提供导热性和介电性优异、特别适合作为电子部件用散热构件的散热构件。厚度为0.1～0.5mm的片状散热构件，其包含树脂组合物，所述树脂组合物含有60～70体积％的导热性填料和30～40体积％的有机硅树脂，所述导热性填料包含平均粒径为10～20μm且如下定义的取向性指数为2～20的六方晶氮化硼的聚集粉末、和平均粒径为3～7μm的氧化铝粉末。取向性指数为基于粉末X射线衍射法的(002)面的衍射线的强度I002与(100)面的衍射线的强度I100之比(I002/I100)。

Low permittivity heat conducting component

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低介电常数导热性散热构件
本专利技术涉及介电常数低、且导热性优异的散热构件及其用途。
技术介绍
在功率器件、晶体管、晶闸管、CPU等发热性电子部件中，重要的问题是如何将使用时产生的热除去。以往，作为这样的除热方法，通常介由电绝缘性的散热片材将发热性电子部件安装于散热片、金属板从而使热逸散，作为该散热片材，使用了使导热性填料分散于有机硅橡胶中而成者。近年来，随着电子部件内的电路的高集成化，其发热量也变大，要求具有比以往更高的导热性的材料。另外，也要求电绝缘性，作为不易流通电流的材料，还要求其为介电常数低的材料。为了提高导热性材料的导热性，目前为止通常的方法是使有机树脂中含有氧化铝粉末、氮化硼粉末、氮化铝粉末这样的显示高导热性的填料。另外，对于填充性差的鳞片状的六方晶氮化硼粉末，实施了以二次聚集粒子这样的形态向有机树脂中填充来实现高导热化的方法。(专利文献1～4)。关于六方晶氮化硼粉末的取向性，在专利文献5、6等中有记载。专利文献7中记载了如下内容：含有具有规定物性的六方晶氮化硼的聚集粉末和氧化铝粉末而成的树脂组合物的导热性优异。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.散热构件，其是厚度为0.1～0.5mm的片状散热构件，其包含树脂组合物，/n所述树脂组合物含有：/n60～70体积％的导热性填料，所述导热性填料包含平均粒径为10～20μm且如下定义的取向性指数为2～20的六方晶氮化硼的聚集粉末、和平均粒径为3～7μm的氧化铝粉末；和/n30～40体积％的有机硅树脂，/n取向性指数为基于粉末X射线衍射法的(002)面的衍射线的强度I002与(100)面的衍射线的强度I100之比(I002/I100)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170810 JP 2017-1555351.散热构件，其是厚度为0.1～0.5mm的片状散热构件，其包含树脂组合物，
所述树脂组合物含有：
60～70体积％的导热性填料，所述导热性填料包含平均粒径为10～20μm且如下定义的取向性指数为2～20的六方晶氮化硼的聚集粉末、和平均粒径为3～7μm的氧化铝粉末；和
30～40体积％的有机硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：山县利贵，和田光祐，金子政秀，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP