一种高耐压高散热性能的SOI结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高耐压高散热性能的SOI结构。包括由上至下依次排列的顶层硅、复合绝缘层和背衬底，复合绝缘层主要由二氧化硅层、氮化硼层、氧化铪层和位于两侧的氟氧化硅层复合结构组成，顶层硅主要由第一硅片层组成，背衬底主要由硅层和第二硅片层组成；二氧化硅层上面布置为第一硅片层，二氧化硅层下表面中央为氮化硼层，氮化硼层下面布置为氧化铪层，氧化铪层下面布置为硅层，氮化硼层和氧化铪层两侧的二氧化硅层和硅层之间均布置有氟氧化硅层。本实用新型专利技术结构能帮助提高了器件的耐压性能，提高SOI的散热性能，同时提高SOI的绝缘性能。

SOI structure with high pressure and heat dissipation performance

【技术实现步骤摘要】
一种高耐压高散热性能的SOI结构
本技术涉及半导体SOI
，具体涉及一种高耐压高散热性能的SOI结构。
技术介绍
SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层绝缘层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术，进入实际应用阶段。具有SOI结构的功率器件具有更高的工作速度和更好的绝缘性能。但是由于低热传导率的二氧化硅绝缘层所造成的自加热效应导致器件的沟道电流下降和负差分电阻的形成等，导致SOI技术的应用受到一定的限制。此外，SOI结构的功率器件纵向击穿电压较低，因此提高SOI结构器件的纵向耐压性能和整体的散热性能是目前研究的关键课题。
技术实现思路
为了解决背景技术中的问题，本技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高耐压高散热性能的SOI结构，包括由上至下依次排列的顶层硅、复合绝缘层和背衬底，其特征在于：所述复合绝缘层主要由二氧化硅层(2)、氮化硼层(3)、氧化铪层(4)和位于两侧的氟氧化硅层(7)复合结构组成，所述顶层硅主要由第一硅片层(1)组成，所述背衬底主要由硅层(5)和第二硅片层(6)组成；二氧化硅层(2)上面布置为第一硅片层(1)，二氧化硅层(2)下表面中央为氮化硼层(3)，氮化硼层(3)下面布置为氧化铪层(4)，氧化铪层(4)下面布置为硅层(5)，氮化硼层(3)和氧化铪层(4)两侧的二氧化硅层(2)和硅层(5)之间均布置有氟氧化硅层(7)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高耐压高散热性能的SOI结构，包括由上至下依次排列的顶层硅、复合绝缘层和背衬底，其特征在于：所述复合绝缘层主要由二氧化硅层(2)、氮化硼层(3)、氧化铪层(4)和位于两侧的氟氧化硅层(7)复合结构组成，所述顶层硅主要由第一硅片层(1)组成，所述背衬底主要由硅层(5)和第二硅片层(6)组成；二氧化硅层(2)上面布置为第一硅片层(1)，二氧化硅层(2)下表面中央为氮化硼层(3)，氮化硼层(3)下面布置为氧化铪层(4)，氧化铪层(4)下面布置为硅层(5)，氮化硼层(3)和氧化铪层(4)两侧的二氧化硅层(2)和硅层(5)之间均布置有氟氧化硅层(7)。


2.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：
所述的氮化硼层(3)位于氧化铪层(4)上面的中央。


3.根据权利要求1所述的一种高耐压高散热性能的SOI结构，其特征在于：
所述二氧化硅层(2)的厚度为10nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，汪小知，曾翔宇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：新型
国别省市：浙江;33