处理制造电子器件所产生的废气的装置制造方法及图纸

技术编号:2363351 阅读:175 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及对电子元件生产中产生的废气产物进行处理的一个方法。废气由某种惰性气体抽吸出来,与经过预加热的氧化气体完全混合,并在足够的温度下保持充分长时间的接触以完成焚化,再通过热交换冷却氧化生成物至凝结,然后收集固态的氧化物,洗涤残存气体,并沿气流形成递减的压降。本发明专利技术还涉及实现上述方法的一种焚化装置。(*该技术在2008年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种焚化特别是包括无机氧化物的废气的方法,以及用于处理这种废气的装置。在集成电路和电子元件的制造领域中,特别是采用化学气相淀积(CVD)技术时,为了防止污染和火灾,必须避免向大气中排放用过的气体和/或由这些工艺方法产生的气体。事实上,存在于排出的废气中的某些气体化合物对人是有毒的和/或在高温下与空气接触时是可燃的,甚至在常温下与空气或任何氧化剂接触时也可以自发的燃烧。要处理的废气不仅包括敷镀金属的气体,还包括由沉淀反应或附加反应所衍生或产生的化合物,而且还包括气体同与其相接触的物质(如泵油)之间的反应造成的产物。可能涉及的有金属氧化物,金属羰基化合物,可能还有无机卤化物,有机的或气体的可燃化合物。这样,要处理的废气主要地是可燃的气体无机氢化物(例如氢化硅,特别是SiH4,Si2H6,Si3H8)和各种SiHxCL4-x类型的卤代硅烷,如砷(特别是砷化氢ASH3),磷(特别是PH3),硼(特别是B2H6),锗(特别是GeH3),以及其它用于化合物制造或包含在制造材料中的金属,如钼。在羰基金属和无机卤化合物之中,可能提到的是W(CO)6,MO(CO)6以及硅,钛,钨,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用氧化CVD类型的废气进行连续不断处理的方法,其特征为,废气由一种惰性载气气体抽取,再与一种予热的氧化气体完全混合,并在足够的温度下保持充分长时间的相互接触以进行焚化,然后用热交换器将氧化生成物冷却到凝结,收集固体氧化生成物,洗涤残余气体,并沿气流形成一个递减的压降。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:拉芬丹尼斯平漱立男
申请(专利权)人:液体空气乔治洛德方法利用和研究有限公司
类型:发明
国别省市:FR[法国]

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