一种高纯高均匀性金靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种高纯高均匀性金靶材及其制备方法与应用，属于金属材料技术领域。本发明专利技术高纯高均匀性金靶材，以质量百分数计，Au不低于99.999％，Ag不高于(5*10

A high purity and uniformity gold target and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种高纯高均匀性金靶材及其制备方法与应用
本专利技术涉及一种高纯高均匀性金靶材及其制备方法与应用，属于金属材料

技术介绍
随着人工智能时代的到来，集成电路芯片作为人工智能的重要支撑产业，其设计研发生产制造越来越关乎我们的生活质量与生活水平，对我们的生活造成越来越深的影响。金靶材作为集成电路芯片生产制造的重要材料，被广泛应用于布线、封装等工艺环节，决定着芯片产品的电学性能及其可靠性。目前，金靶材普遍存在纯度不够高(难以达到5N级别的标准)，晶粒大且不均匀的特点(晶粒大小大于50微米，标准偏差大于50％)，严重影响芯片的制造质量。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，提供了一种高纯高均匀性金靶材及其制备方法与应用，本专利技术具有制作工艺简单，可实施性强，效果好等特点，可以满足高性能集成电路芯片的制造需求，在高端芯片制造领域，如大规模集成电路芯片制作、SOC芯片高集成化生产以及射频集成电路芯片等领域具有广泛的应用前景。一种高纯高均匀性金靶材，以质量百分数计，Au不低于99.999％，Ag不高于(5*10-6)％，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯高均匀性金靶材，其特征在于：以质量百分数计，Au不低于99.999％，Ag不高于(5*10

【技术特征摘要】
1.一种高纯高均匀性金靶材，其特征在于：以质量百分数计，Au不低于99.999％，Ag不高于(5*10-6)％，Fe不高于(3*10-6)％，Si不高于(3*10-6)％，Cu、Pb、Pd、Mg、Na、K、U、Th和Ti的总含量不高于10-6％；晶粒平均尺寸小于100nm，晶粒标准偏差小于20％。


2.权利要求1所述高纯高均匀性金靶材，其特征在于：以质量百分数计，Au不低于99.999％，Ag不高于(2*10-6)％，Fe不高于(2*10-6)％，Si不高于2*10-6，Cu、Pb、Pd、Mg、Na、K、U、Th和Ti的总含量不高于10-6％；晶粒平均尺寸小于100nm，晶粒标准偏差小于20％。


3.权利要求1或2所述高纯高均匀性金靶材的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
(1)精确测定粗金中元素Au、Ag、Fe、Si、Cu、Pb、Pd、Mg、Na、K、U、Th和Ti的含量；
(2)将粗金放置在真空环境中并将PI衬底设置在粗金正上方；
(3)根据粗金中杂质元素的熔融气化温度从低到高设置温度梯度，根据粗金中杂质元素的含量设置各梯度温度的蒸发时间；
(4)将粗金置于真空条件下预热，然后粗金在真空、各梯度温度条件下逐一恒温蒸发，梯度温度间更换PI衬底，利用PI衬底收集各梯度温度蒸发的杂质元素并层积成膜；
(5)分别将梯度温度收集的杂质元素和金膜剥离...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓东，李小珍，邢孟江，
申请(专利权)人：宁波海秀丰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33