一种薄膜体声波谐振器制造技术

本发明专利技术目的在于提供一种薄膜体声波谐振器，通过键合层制备结合布拉格反射层和空腔结构的体声波谐振器，以解决薄膜体声波谐振器难以同时获得较大的结构强度和较好声学反射效果的技术问题；其结构包括：自上而下依次设置的上电极、压电层和下电极；所述下电极的下方还设置有布拉格反射层、空腔结构层、键合层和衬底；所述衬底设置在最底层。本发明专利技术利用键合层将布拉格反射层与空腔结构结合，利用布拉格反射层增强结构强度、隔离缺陷，保证薄膜质量；利用空腔增强声波反射效果，提高器件Q值。

A thin film bulk acoustic resonator

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波谐振器
本专利技术涉及电子元器件MEMS微细加工
，尤其是涉及一种薄膜体声波谐振器。
技术介绍
随着无线通信技术快速发展，传统介质滤波器和声表面波滤波器难以满足高频化要求，新一代薄膜体声波谐振器很好的满足了这一要求。现有技术中的薄膜体声波谐振器主要分为布拉格反射型和空腔型。布拉格反射型的优势为具有较高的结构强度，空腔型的优势为声波反射效果好，结构简单。当前的压电薄膜主要为氮化铝膜(CN101958696)由于采用电子束沉积的方式，难以保证薄膜的晶格取向，加上在金属电极上沉积，薄膜均匀性受电极层影响，从而影响薄膜质量，致使器件产生多次谐波，影响谐振频率，并且氮化铝膜机电耦合系数不高，难以达到高频要求。采用晶圆键合转移能够获得高质量的压电薄膜。选用单晶晶圆材料或者带有高质量外延压电层的晶圆材料，对其进行高能离子注入，然后结合晶圆键合的工艺，能够在目标衬底上转移制备高质量的压电薄膜。但由于压电薄膜厚度通常在微米甚至亚微米量级，所以键合层产生的气泡等缺陷，会使薄膜翘起或凹陷，从而影响薄膜质量。因此，针对上述问题提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器，包括：自上而下依次设置的上电极、压电层和下电极；其特征在于，所述下电极的下方还设置有布拉格反射层、空腔结构层、键合层和衬底；所述衬底设置在最底层。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器，包括：自上而下依次设置的上电极、压电层和下电极；其特征在于，所述下电极的下方还设置有布拉格反射层、空腔结构层、键合层和衬底；所述衬底设置在最底层。


2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述布拉格反射层、空腔结构层、键合层自上而下的叠放顺序为：布拉格反射层、键合层、空腔结构层。


3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述键合层为双面或单面制备后形成的键合层。


4.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述下电极为非图形化下电极或图形化下电极。


5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述布拉格反射层、空腔结构层、键合层自上而下的叠放顺序为：布拉格反射层、空腔结构层、键合层；所述键合层为双面制备后形成的键合层。


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【专利技术属性】
技术研发人员：帅垚，王晓学，吴传贵，罗文博，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51