显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板、第一电极层、发光层、像素定义层、第二电极层及辅助电极层，其中像素定义层包括挡墙和开口区，所述第二电极层覆盖所述像素定义层和所述发光层，所述辅助电极层设置在第二电极层上并且所述辅助电极层在所述基板上的正投影完全落入所述挡墙在所述基板上的正投影内；本发明专利技术显示面板能解决第二电极层电阻过大的问题，还能保证显示面板的出光率；所述显示面板的制备方法通过调整所述像素定义层的厚度，能在形成图案化的转印膜层同时直接实现转印，简化制程。

Display panel and its preparation

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示面板
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光(OLED)显示装置主要包括底发光型(相对基板向下出光)和顶发光型(相对基板向上出光)。相较于底发光型OLED，顶发光OLED的光线不经过基板直接由器件上方穿出，基板上像素线路设计不会影响器件发光面积，避免TFT和金属线路面积与发光面积的竞争，能有效提高面板开口率，制备高亮度、高分辨率OLED显示面板。同时，顶发光型OLED在相同亮度下其工作电压更低，从而发光器件使用寿命更长，并且功耗更低。在顶发光OLED显示装置中，由于光线需穿过器件阴极，为保证出光率，需增大阴极透明度。当前，顶发光OLED器件中，阴极一般采用低功函金属或合金(如Ag或MgAg合金)，或透明导电氧化物(TCO，如IZO)。为避免阴极会影响出光率，采用金属或合金作器件阴极时，需要将阴极制作得较薄；采用TCO，由于材料本身透明度高，则不用制作得很薄。但以上两种材料的阴极都无可避免会出现，阴极电阻过大这一问题。对于大尺寸顶发光OLED显示面板，器件阴极电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：/n基板；/n设置于所述基板上的第一电极层；/n设置于所述第一电极层上的像素定义层，所述像素定义层包括多个挡墙和开口区，所述开口区暴露所述第一电极层；/n发光层，位于所述开口区内并覆盖所述第一电极层；/n第二电极层，设置于所述发光层上并覆盖所述像素定义层和所述发光层；/n以及，/n辅助电极层，设置在所述第二电极层上，并且所述辅助电极层在所述基板上的正投影完全落入所述挡墙在所述基板上的正投影内。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
设置于所述基板上的第一电极层；
设置于所述第一电极层上的像素定义层，所述像素定义层包括多个挡墙和开口区，所述开口区暴露所述第一电极层；
发光层，位于所述开口区内并覆盖所述第一电极层；
第二电极层，设置于所述发光层上并覆盖所述像素定义层和所述发光层；
以及，
辅助电极层，设置在所述第二电极层上，并且所述辅助电极层在所述基板上的正投影完全落入所述挡墙在所述基板上的正投影内。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层的厚度范围为1um—3um。


3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙包括沿着背离所述基板方向上依次设置的第一挡墙及第二挡墙，所述第一挡墙的侧边相对所述基板的倾斜角度θ1小于所述第二挡墙的侧边相对所述基板的倾斜角度θ2。


4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一挡墙与所述第二挡墙的厚度比的范围为0.2—0.5。


5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二挡墙在所述基板上的正投影完全落入所述第一挡墙在所述基板上的正投影的范围内。


6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述倾斜角度θ1和所述倾斜角度为θ2的范围是相同的，分别独立地为30℃—60℃。


7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括一有机层，所述有机层位于所述发光层与所述第二电极层之间并覆盖所述发光层和所述像素定义层。

【专利技术属性】
技术研发人员：万之君，李金川，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44