晶体管基底及制造其的方法和包括其的显示装置制造方法及图纸

提供了一种晶体管基底、制造晶体管基底的方法和包括晶体管基底的显示装置。所述晶体管基底可以包括：基底；有源图案，形成在基底上，有源图案包括包含锡(Sn)的氧化物半导体，并且有源图案包括源区、漏区和形成在源区与漏区之间的沟道区；源极保护图案，形成在源区上；漏极保护图案，形成在漏区上；栅电极，与沟道区的至少一部分叠置；绝缘夹层，覆盖源极保护图案和漏极保护图案；源电极，形成在绝缘夹层上，源电极通过形成在绝缘夹层中的源极接触孔与源极保护图案接触；以及漏电极，形成在绝缘夹层上，漏电极通过形成在绝缘夹层中的漏极接触孔与漏极保护图案接触。

Transistor substrate and method of manufacturing it and display device including it

【技术实现步骤摘要】
晶体管基底及制造其的方法和包括其的显示装置
本公开的实施例涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种晶体管基底、一种制造该晶体管基底的方法和包括该晶体管基底的显示装置。
技术介绍
晶体管用于诸如显示装置的各种电子装置中。例如，晶体管可以用作诸如液晶显示装置、有机发光显示装置等的显示装置中的像素电路的元件。晶体管可以包括栅电极、源电极、漏电极和电连接到源电极和漏电极的有源层。有源层是决定晶体管的特性的重要元件。有源层可以包括硅(Si)。硅可以基于结晶类型被分类为非晶硅和多晶硅。非晶硅具有简单的制造工艺，但是具有低电荷迁移率，使得存在对于制造高性能晶体管的限制。另一方面，多晶硅具有高电荷迁移率，但是需要使硅结晶的工艺，这将反过来增加制造成本并使制造工艺复杂化。为了补充非晶硅和多晶硅，关于包括氧化物半导体的晶体管的研究已经取得进展，氧化物半导体具有比非晶硅高的导通/截止比和高的载流子迁移率以及比多晶硅低的成本和高的均匀性。然而，这种氧化物半导体在蚀刻相邻绝缘层的工艺中会被蚀刻气体损坏。
技术实现思路
本公开的实施例提供了一种其中有源图案不会被损坏的晶体管基底以及一种包括所述晶体管基底的显示装置。实施例提供了一种用于防止对有源图案的损坏的制造晶体管基底的方法。根据实施例的晶体管基底可以包括：基底；有源图案，形成在基底上，有源图案包括包含锡(Sn)的氧化物半导体，并且有源图案包括源区、漏区和形成在源区与漏区之间的沟道区；源极保护图案，形成在源区上；漏极保护图案，形成在漏区上；栅电极，与沟道区的至少一部分叠置；绝缘夹层，覆盖源极保护图案和漏极保护图案；源电极，形成在绝缘夹层上，源电极通过形成在绝缘夹层中的源极接触孔与源极保护图案接触；以及漏电极，形成在绝缘夹层上，漏电极通过形成在绝缘夹层中的漏极接触孔与漏极保护图案接触。在实施例中，源极保护图案和漏极保护图案中的每个可以包括不包含锡(Sn)的氧化物半导体。在实施例中，源极保护图案的宽度和漏极保护图案的宽度可以分别大于源极接触孔的宽度和漏极接触孔的宽度。在实施例中，源极保护图案的宽度和漏极保护图案的宽度可以分别小于源区的宽度和漏区的宽度。在实施例中，源电极和漏电极可以分别不与源区和漏区接触。在实施例中，晶体管基底还可以包括形成在沟道区和栅电极之间的栅极绝缘层，栅极绝缘层与沟道区的至少一部分叠置。在实施例中，晶体管基底还可以包括：缓冲层，形成在基底和有源图案之间；以及金属层，形成在基底和缓冲层之间，金属层与沟道区的至少一部分叠置。在实施例中，晶体管基底还可以包括形成在绝缘夹层上的连接图案，连接图案通过形成在缓冲层和绝缘夹层中的金属层接触孔与金属层接触。在实施例中，金属层可以通过连接图案电连接到栅电极或源电极。根据实施例的制造晶体管基底的方法可以包括：在基底上形成有源图案，有源图案包括包含锡(Sn)的氧化物半导体；在有源图案的相对端上形成源极保护图案和漏极保护图案；在有源图案的中心部分上形成栅电极；形成覆盖源极保护图案和漏极保护图案的绝缘夹层；在绝缘夹层中形成分别暴露源极保护图案的上表面的至少一部分和漏极保护图案的上表面的至少一部分的源极接触孔和漏极接触孔；以及在绝缘夹层上通过分别填充源极接触孔和漏极接触孔形成源电极和漏电极。在实施例中，形成有源图案以及形成源极保护图案和漏极保护图案的步骤可以包括：在基底上形成氧化物半导体层，氧化物半导体层包括包含锡的第一氧化物半导体层和形成在第一氧化物半导体层上的且不包含锡的第二氧化物半导体层；使用第一蚀刻剂蚀刻氧化物半导体层的第一部分以形成有源图案；以及使用第二蚀刻剂蚀刻第二氧化物半导体层的第二部分以形成源极保护图案和漏极保护图案。在实施例中，第一蚀刻剂可以包括氟化氢(HF)。在实施例中，第二蚀刻剂可以包括磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)和乙酸(CH3COOH)中的至少一种。在实施例中，形成有源图案以及形成源极保护图案和漏极保护图案的步骤还可以包括：在形成氧化物半导体层之后并且在蚀刻氧化物半导体层的第一部分之前，在氧化物半导体层上形成暴露氧化物半导体层的第一部分的光致抗蚀剂图案；在蚀刻氧化物半导体层的第一部分之后并且在蚀刻第二氧化物半导体层的第二部分之前，使光致抗蚀剂图案灰化以暴露第二氧化物半导体层的第二部分；以及在蚀刻第二氧化物半导体层的第二部分之后剥离光致抗蚀剂图案。在实施例中，形成有源图案以及形成源极保护图案和漏极保护图案的步骤还可以包括：在形成氧化物半导体层之后并且在形成光致抗蚀剂图案之前，在氧化物半导体层上形成光致抗蚀剂层；以及使用半色调掩模使光致抗蚀剂层曝光。在实施例中，可以通过包括氟(F)的蚀刻气体形成源极接触孔和漏极接触孔。在实施例中，所述方法还可以包括：在形成有源图案之前，在基底上形成金属层并且在金属层上形成缓冲层；在缓冲层和绝缘夹层中形成金属层接触孔，金属层接触孔暴露金属层的上表面的至少一部分；以及通过填充金属层接触孔在绝缘夹层上形成连接图案。在实施例中，可以与源极接触孔和漏极接触孔同时形成金属层接触孔，并且可以与源电极和漏电极同时形成连接图案。根据实施例的显示装置可以包括：基底；有源图案，形成在基底上，有源图案包括包含锡(Sn)的氧化物半导体，有源图案包括源区、漏区和形成在源区与漏区之间的沟道区；源极保护图案，形成在源区上；漏极保护图案，形成在漏区上；栅电极，与沟道区的至少一部分叠置；绝缘夹层，覆盖源极保护图案和漏极保护图案；源电极，形成在绝缘夹层上，源电极通过形成在绝缘夹层中的源极接触孔与源极保护图案接触；漏电极，形成在绝缘夹层上，漏电极通过形成在绝缘夹层中的漏极接触孔与漏极保护图案接触；第一电极，电连接到源电极或漏电极；第二电极，与第一电极相对地形成；以及发射层，形成在第一电极与第二电极之间。在实施例中，源极保护图案和漏极保护图案中的每个可以包括不包含锡的氧化物半导体。在根据本实施例的晶体管基底和显示装置中，包括不包含锡(Sn)的氧化物半导体的源极保护图案和漏极保护图案可以分别设置在有源图案的源区和漏区上，使得可以防止有源图案的源区和漏区被包括氟(F)的蚀刻气体损坏。在根据本实施例的制造晶体管基底的方法中，可以分别在有源图案的源区和漏区上形成包括不包含锡(Sn)的氧化物半导体的源极保护图案和漏极保护图案，使得可以防止在使用蚀刻气体形成源极接触孔和漏极接触孔的工艺中，有源图案的源区和漏区被包括氟(F)的蚀刻气体损坏。此外，可以使用半色调掩模在单个光刻工艺中形成有源图案、源极保护图案和漏极保护图案，从而可以减少制造晶体管基底的成本和时间。附图说明通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的说明性的非限制性的实施例。图1是示出根据实施例的晶体管基底的剖视图。图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9和图10是示出制造图1中的晶体管基底的方法的剖视图。图11是示出根据另本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：/n基底；/n有源图案，形成在所述基底上，所述有源图案包括包含锡的氧化物半导体，并且所述有源图案包括源区、漏区和形成在所述源区与所述漏区之间的沟道区；/n源极保护图案，形成在所述源区上；/n漏极保护图案，形成在所述漏区上；/n栅电极，与所述沟道区的至少一部分叠置；/n绝缘夹层，覆盖所述源极保护图案和所述漏极保护图案；/n源电极，形成在所述绝缘夹层上，所述源电极通过形成在所述绝缘夹层中的源极接触孔与所述源极保护图案接触；以及/n漏电极，形成在所述绝缘夹层上，所述漏电极通过形成在所述绝缘夹层中的漏极接触孔与所述漏极保护图案接触。/n

【技术特征摘要】
20180920 KR 10-2018-01132951.一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：
基底；
有源图案，形成在所述基底上，所述有源图案包括包含锡的氧化物半导体，并且所述有源图案包括源区、漏区和形成在所述源区与所述漏区之间的沟道区；
源极保护图案，形成在所述源区上；
漏极保护图案，形成在所述漏区上；
栅电极，与所述沟道区的至少一部分叠置；
绝缘夹层，覆盖所述源极保护图案和所述漏极保护图案；
源电极，形成在所述绝缘夹层上，所述源电极通过形成在所述绝缘夹层中的源极接触孔与所述源极保护图案接触；以及
漏电极，形成在所述绝缘夹层上，所述漏电极通过形成在所述绝缘夹层中的漏极接触孔与所述漏极保护图案接触。


2.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源极保护图案和所述漏极保护图案中的每个包括不包含锡的氧化物半导体。


3.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源极保护图案的宽度和所述漏极保护图案的宽度分别大于所述源极接触孔的宽度和所述漏极接触孔的宽度。


4.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源极保护图案的宽度和所述漏极保护图案的宽度分别小于所述源区的宽度和所述漏区的宽度。


5.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源电极和所述漏电极分别不与所述源区和所述漏区接触。


6.根据权利要求1所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：
缓冲层，形成在所述基底和所述有源图案之间；以及
金属层，形成在所述基底和所述缓冲层之间，所述金属层与所述沟道区的至少一部分叠置。


7.根据权利要求6所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：
连接图案，形成在所述绝缘夹层上，所述连接图案通过形成在所述缓冲层和所述绝缘夹层中的金属层接触孔与所述金属层接触。


8.一种制造晶体管基底的方法，所述方法包括：
在基底上形成有源图案，所述有源图案包括包含锡的氧化物半导体；
在所述有源图案的相对端上形成源极保护图案和漏极保护图案；
在所述有源图案的中心部分上形成栅电极；
形成覆盖所述源极保护图案和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兑相，朴晙晳，金光淑，文然建，朴根徹，林俊亨，全景辰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR