【技术实现步骤摘要】
晶体管基底及制造其的方法和包括其的显示装置
本公开的实施例涉及一种显示装置。更具体地，实施例涉及一种晶体管基底、一种制造该晶体管基底的方法和包括该晶体管基底的显示装置。
技术介绍
晶体管用于诸如显示装置的各种电子装置中。例如，晶体管可以用作诸如液晶显示装置、有机发光显示装置等的显示装置中的像素电路的元件。晶体管可以包括栅电极、源电极、漏电极和电连接到源电极和漏电极的有源层。有源层是决定晶体管的特性的重要元件。有源层可以包括硅(Si)。硅可以基于结晶类型被分类为非晶硅和多晶硅。非晶硅具有简单的制造工艺，但是具有低电荷迁移率，使得存在对于制造高性能晶体管的限制。另一方面，多晶硅具有高电荷迁移率，但是需要使硅结晶的工艺，这将反过来增加制造成本并使制造工艺复杂化。为了补充非晶硅和多晶硅，关于包括氧化物半导体的晶体管的研究已经取得进展，氧化物半导体具有比非晶硅高的导通/截止比和高的载流子迁移率以及比多晶硅低的成本和高的均匀性。然而，这种氧化物半导体在蚀刻相邻绝缘层的工艺中会被蚀刻气体损坏。专利技...
【技术保护点】
1.一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：/n基底；/n有源图案，形成在所述基底上，所述有源图案包括包含锡的氧化物半导体，并且所述有源图案包括源区、漏区和形成在所述源区与所述漏区之间的沟道区；/n源极保护图案，形成在所述源区上；/n漏极保护图案，形成在所述漏区上；/n栅电极，与所述沟道区的至少一部分叠置；/n绝缘夹层，覆盖所述源极保护图案和所述漏极保护图案；/n源电极，形成在所述绝缘夹层上，所述源电极通过形成在所述绝缘夹层中的源极接触孔与所述源极保护图案接触；以及/n漏电极，形成在所述绝缘夹层上，所述漏电极通过形成在所述绝缘夹层中的漏极接触孔与所述漏极保护图案接触。/n
【技术特征摘要】
20180920 KR 10-2018-01132951.一种晶体管基底，所述晶体管基底包括：
基底；
有源图案，形成在所述基底上，所述有源图案包括包含锡的氧化物半导体，并且所述有源图案包括源区、漏区和形成在所述源区与所述漏区之间的沟道区；
源极保护图案，形成在所述源区上；
漏极保护图案，形成在所述漏区上；
栅电极，与所述沟道区的至少一部分叠置；
绝缘夹层，覆盖所述源极保护图案和所述漏极保护图案；
源电极，形成在所述绝缘夹层上，所述源电极通过形成在所述绝缘夹层中的源极接触孔与所述源极保护图案接触；以及
漏电极，形成在所述绝缘夹层上，所述漏电极通过形成在所述绝缘夹层中的漏极接触孔与所述漏极保护图案接触。
2.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源极保护图案和所述漏极保护图案中的每个包括不包含锡的氧化物半导体。
3.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源极保护图案的宽度和所述漏极保护图案的宽度分别大于所述源极接触孔的宽度和所述漏极接触孔的宽度。
4.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源极保护图案的宽度和所述漏极保护图案的宽度分别小于所述源区的宽度和所述漏区的宽度。
5.根据权利要求1所述的晶体管基底，其中，所述源电极和所述漏电极分别不与所述源区和所述漏区接触。
6.根据权利要求1所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：
缓冲层，形成在所述基底和所述有源图案之间；以及
金属层，形成在所述基底和所述缓冲层之间，所述金属层与所述沟道区的至少一部分叠置。
7.根据权利要求6所述的晶体管基底，所述晶体管基底还包括：
连接图案，形成在所述绝缘夹层上，所述连接图案通过形成在所述缓冲层和所述绝缘夹层中的金属层接触孔与所述金属层接触。
8.一种制造晶体管基底的方法，所述方法包括：
在基底上形成有源图案，所述有源图案包括包含锡的氧化物半导体；
在所述有源图案的相对端上形成源极保护图案和漏极保护图案；
在所述有源图案的中心部分上形成栅电极；
形成覆盖所述源极保护图案和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金兑相，朴晙晳，金光淑，文然建，朴根徹，林俊亨，全景辰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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