沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法。一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管包括衬底、多个沟槽电极结构、多个绝缘结构以及接触栓。衬底具有多个沟槽。沟槽电极结构分别配置于沟槽中。绝缘结构分别配置于沟槽中且位于沟槽电极结构上，每一个绝缘结构包括绝缘柱及多个间隙壁，绝缘柱的顶面高于衬底的顶面，间隙壁紧邻绝缘柱且设置于衬底的顶面上。接触栓配置于相邻的沟槽间的衬底中，相邻的沟槽的绝缘结构的间隙壁定义接触栓的位置。

Grooved gate gold oxide half effect transistor and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法
本专利技术涉及一种晶体管及其制造方法，尤其涉及一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法。
技术介绍
功率开关晶体管在电源管理领域已广泛使用，理想的功率开关必须具有低寄生电容的特性，以确保功率开关晶体管的反应速度以提供良好的功率转换效率。在现有的一种功率开关晶体管结构中，源极金属层设计为直接接触源极掺杂区，但此种结构的单脉冲雪崩能量(EAS)较差。换句话说，元件单次导通的电流量较少，工作效率较低。随着沟槽电极结构的尺寸逐渐缩小，上述问题日益严重，因此得到业界的高度关注。
技术实现思路
本专利技术提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法，在整体尺寸不变的条件下，可利用现有的工艺制作窄节距(narrowpith)、高单脉冲雪崩能量的沟槽式栅极金氧半场效晶体管。本专利技术提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其包括衬底、多个沟槽电极结构、多个绝缘结构以及接触栓。衬底具有多个沟槽。沟槽电极结构分别配置于沟槽中。绝缘结构分别配置于沟槽中且位于沟槽电极结构上，每一个绝缘结构包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：/n衬底，具有多个沟槽；/n多个沟槽电极结构，分别配置于所述沟槽中；/n多个绝缘结构，分别配置于所述沟槽中且位于所述沟槽电极结构上，其中每一个所述绝缘结构包括绝缘柱及多个间隙壁，所述绝缘柱的顶面高于所述衬底的顶面，所述间隙壁紧邻所述绝缘柱且设置于所述衬底的所述顶面上；以及/n接触栓，配置于相邻的所述沟槽间的所述衬底中，其中相邻的所述沟槽的所述绝缘结构的所述间隙壁定义所述接触栓的位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，包括：
衬底，具有多个沟槽；
多个沟槽电极结构，分别配置于所述沟槽中；
多个绝缘结构，分别配置于所述沟槽中且位于所述沟槽电极结构上，其中每一个所述绝缘结构包括绝缘柱及多个间隙壁，所述绝缘柱的顶面高于所述衬底的顶面，所述间隙壁紧邻所述绝缘柱且设置于所述衬底的所述顶面上；以及
接触栓，配置于相邻的所述沟槽间的所述衬底中，其中相邻的所述沟槽的所述绝缘结构的所述间隙壁定义所述接触栓的位置。


2.根据权利要求1所述的沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，还包括：
主体层，配置于所述衬底中的所述沟槽电极结构侧边；以及
至少一第一重掺杂区，配置于所述主体层中，位于所述接触栓的下部且邻近所述衬底的所述顶面。


3.根据权利要求2所述的沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，所述绝缘结构的底面低于所述第一重掺杂区的一半深度处且高于所述第一重掺杂区的最大深度处。


4.根据权利要求1所述的沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，所述沟槽沿第一方向延伸，且所述沟槽式栅极金氧半场效晶体管还包括：
多个第一重掺杂区，配置于所述衬底中，邻近所述衬底的所述顶面，沿所述第一方向排列且沿第二方向延伸；以及
多个第二重掺杂区，配置于所述衬底中，邻近所述衬底的所述顶面，沿所述第一方向排列且沿所述第二方向延伸，所述第二重掺杂区与所述第一重掺杂区的导电型不同，且所述多个第一重掺杂区与所述多个第二重掺杂区沿所述第一方向交替排列配置。


5.根据权利要求1所述的沟槽式栅极金氧半场效晶体管，其特征在于，还包括：
第三重掺杂区，配置于所述衬底中且围绕所述接触栓的底部。


6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡政原，
申请(专利权)人：力智电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71