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本发明提供一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管及其制造方法。一种沟槽式栅极金氧半场效晶体管包括衬底、多个沟槽电极结构、多个绝缘结构以及接触栓。衬底具有多个沟槽。沟槽电极结构分别配置于沟槽中。绝缘结构分别配置于沟槽中且位于沟槽电极结构上，每一个绝缘...
该专利属于力智电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力智电子股份有限公司授权不得商用。

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