低压差电压调节电路制造技术

本发明专利技术提供一种低压差电压调节电路，包括：电压调整管，源极连接电源电压，漏极经反馈模块接地；误差放大器，基于反馈信号与参考信号的差值产生误差信号；第一电流源，一端连接电源电压，另一端经自适应电压偏移网络接地，第一电流源与自适应电压偏移网络的连接节点连接电压调整管的栅极；自适应电压偏移网络，基于误差信号调整偏移电压的大小及方向，以使得电压调整管的有效摆幅达到电源电压；其中，偏移电压为电压调整管的栅极电压与误差放大器输出电压的差值。本发明专利技术中电压调整管的有效摆幅达到电源电压，电压调整管尺寸小，简化频率补偿方案的设计难度；系统反馈环路增益高，系统误差低；对输出的瞬态变化即时响应，系统的瞬态响应能力强。

Low voltage differential voltage regulating circuit

【技术实现步骤摘要】
低压差电压调节电路
本专利技术涉及电路设计领域，特别是涉及一种低压差电压调节电路。
技术介绍
低压差线性稳压器(LDO，LowDropoutRegulator)具有结构简单，低噪声，低功耗以及小封装和较少的外围应用器件等突出优点，在便携式电子产品中得到广泛的应用。LDO属于DC-DC变换器中的降压变压器，在负载一定的情况下，其输出电压在一定范围内，因此，LDO电路系统能够保证输出电压稳定，提高电池寿命。如图1所示为现有常用低压差线性稳压器1的结构示意图，包括：反馈网络11，误差放大器12，电压缓冲器13，电压调整管Mc以及输出电容。现有LDO存在3个极点，分别为输出极点，第一极点及第二极点，其中，第一极点和第二极点通常靠得很近，需要增加频率补偿来分裂极点。现有LDO的输出能力通常由电压调整管的物理特性和尺寸限制，电压调整管由PMOS组成，PMOS的输出电流能力与MOS的宽长比和阈值电压有关；随着工艺特征尺寸的微缩，MOS器件的导通阻抗逐渐增大，器件耐压逐渐降低，使相同导通阻抗下的电压调整管的尺寸越来越大。为了分裂极点，通常在误差本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压差电压调节电路，其特征在于，所述低压差电压调节电路至少包括：/n电压调整管，反馈模块，误差放大器，第一电流源及自适应电压偏移网络；/n所述电压调整管的源极连接电源电压，漏极经由所述反馈模块接地，用于调整输出电压；/n所述误差放大器的输入端分别连接所述反馈模块及一参考信号，基于所述电压调整管的输出电流的反馈信号与所述参考信号的差值产生误差信号；/n所述第一电流源的一端连接所述电源电压，另一端经由所述自适应电压偏移网络接地，所述第一电流源与所述自适应电压偏移网络的连接节点连接所述电压调整管的栅极；/n所述自适应电压偏移网络连接所述误差放大器的输出端，基于所述误差信号调整偏移电压的大小及...

【技术特征摘要】
1.一种低压差电压调节电路，其特征在于，所述低压差电压调节电路至少包括：
电压调整管，反馈模块，误差放大器，第一电流源及自适应电压偏移网络；
所述电压调整管的源极连接电源电压，漏极经由所述反馈模块接地，用于调整输出电压；
所述误差放大器的输入端分别连接所述反馈模块及一参考信号，基于所述电压调整管的输出电流的反馈信号与所述参考信号的差值产生误差信号；
所述第一电流源的一端连接所述电源电压，另一端经由所述自适应电压偏移网络接地，所述第一电流源与所述自适应电压偏移网络的连接节点连接所述电压调整管的栅极；
所述自适应电压偏移网络连接所述误差放大器的输出端，基于所述误差信号调整偏移电压的大小及方向，以使得所述电压调整管的有效摆幅达到所述电源电压；
其中，所述偏移电压为所述电压调整管的栅极电压与所述误差放大器输出电压的差值。


2.根据权利要求1所述的低压差电压调节电路，其特征在于：所述自适应电压偏移网络包括第一偏移调整单元，第二电流源，第一单位增益运放，第一反馈检测管，第一电流镜，第二电流镜及第三电流源；
所述第一偏移调整单元的一端连接所述第一电流源，另一端经由所述第二电流源接地；
所述第一单位增益运放的输入端分别连接所述误差放大器的输出端及所述第一偏移调整单元与所述第二电流源的连接节点，输出端连接所述电压调整管的栅极；
所述第一反馈检测管的源极连接所述电源电压，栅极连接所述第一单位增益运放的输出端，漏极经由所述第三电流源接地；
所述第一电流镜的输入端连接所述第一反馈检测管的漏极，第一输出端连接所述第一单位增益运放的输出端；
所述第二电流镜的输入端连接所述第一电流镜的第二输出端，输出端连接所述第一偏移调整单元与所述第二电流源的连接节点；
其中，流经所述第一电流源与所述第二电流源的电流相等，所述第一电流镜的第一输出端及第二输出端输出的电流相等。


3.根据权利要求2所述的低压差电压调节电路，其特征在于：所述第一偏移调整单元包括电阻。


4.根据权利要求2所述的低压差电压调节电路，其特征在于：所述第一偏移调整单元至少包括第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管；所述第一二极管的负极连接所述第二二极管的正极；所述第三二极管的正极连接所述第四二极管的负极；所述第一二极管的正极连接所述第三二极管的负极；所述第二二极管的负极连接所述第四二极管的正极。


5.根据权利要求2所述的低压差电压调节电路，其特征在于：所述第一偏移调整单元至少包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管，各晶体管的栅极连接漏极；所述第一晶体管的漏极连接所述第三晶体管的源极；所述第一晶体管的源极连接所述第三晶体管的漏极；所述第二晶体管的漏极连接所述第四晶体管的源极，并连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王粲，刘军，彭科，张晓辉，钱哲弘，
申请(专利权)人：芯原微电子上海股份有限公司，芯原控股有限公司，芯原微电子成都有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31