一种应用于低功耗带隙基准的启动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低功耗带隙基准的启动电路，该电路是由两个PMOS管和八个NMOS管组成，利用带隙基准核心电路启动前后支路电流的变化，采用数字逻辑控制启动电路中下拉NMOS管NM2的栅极电位，从而有效解决了传统启动电路存在静态电流的问题，将这样的启动电路应用于带隙基准电路中，能有效降低系统静态功耗。

A starting circuit for low power bandgap reference

【技术实现步骤摘要】
一种应用于低功耗带隙基准的启动电路
本专利技术属于集成电路
，特别涉及一种低功耗带隙基准的启动电路。
技术介绍
随着CMOS工艺的进步，集成电路的发展趋势是集成度越来越高，功耗越来越低。特别是在手持设备，可穿戴电子产品中，降低电路功耗成为IC设计者的重要任务。带隙基准是模拟/混合集成电路的基础部件；有效降低带隙基准功耗，是降低IC静态功耗或待机功耗的重要途径。传统的带隙基准启动电路存在静态电流通路，不适用于低功耗/超低功耗的应用中。如图1所示，一种传统带隙基准的启动电路，在带隙基准核心电路没有启动，处于零电流工作状态时，带隙基准电路节点H处于高电平，NMOS管NM10所在支路没有电流，其栅极与NMOS管NM11栅极电压(G点)为低电平；PMOS管PM11，PM12，PM13与PM14栅极均接地，这样，NMOS管NM12栅极电位被上拉到高电位VDD，从而，NMOS管NM12导通，H节点电位被下拉，使带隙基准核心电路脱离零电流状态并启动；带隙基准核心电路启动完成之后，带隙基准电路节点H处于正常静态工作点，NMOS管NM10所在支路有电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于低功耗带隙基准的启动电路，其特征包括：两个PMOS管和八个NMOS管；/n所述两个PMOS管依次为：第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2；/n所述八个NMOS管依次为：第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7与第八NMOS管MN8；/n所述第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2与第三NMOS管NM3的源极均接地GND；/n所述第三NMOS管NM3的栅极和漏极均与所述第四NMOS管NM4的源极相连；/n所述第四NMOS管NM4的栅极和漏极均与所述第五NMOS管N...

【技术特征摘要】
1.一种应用于低功耗带隙基准的启动电路，其特征包括：两个PMOS管和八个NMOS管；
所述两个PMOS管依次为：第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2；
所述八个NMOS管依次为：第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7与第八NMOS管MN8；
所述第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2与第三NMOS管NM3的源极均接地GND；
所述第三NMOS管NM3的栅极和漏极均与所述第四NMOS管NM4的源极相连；
所述第四NMOS管NM4的栅极和漏极均与所述第五NMOS管NM5的源极相连；
所述第五NMOS管NM5的栅极和漏极均与所述第六NMOS管NM6的源极相连；
所述第六NMOS管NM6的栅极和漏极均与所述第七NMOS管NM7的源极相连；
所述第七NMOS管NM7的栅极和漏极均与所述第八NMOS管NM8的源极相连；

【专利技术属性】
技术研发人员：贾晨，王自强，张春，权磊，尹勇生，王志华，
申请(专利权)人：深圳清华大学研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44