一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端、接地端、偏置电路和控制电路。通过第十四晶体管、第十五晶体管和功率管组成电压翻转跟随器结构，并利用偏置电路和控制电路，提高了整个电路的瞬态响应能力。本发明专利技术主要用于集成电路技术领域。

A push-pull LDO circuit based on voltage flip follower structure

【技术实现步骤摘要】
一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路。
技术介绍
随着半导体工艺技术的飞速发展，集成电路的供电电压越来越低，这对输入电压端的输出电压精度、响应速度、噪声性能等提出了越来越高的要求。因此，输入电压端管理模块在电子工业中扮演角色越来越重要。而LDO作为重要的输入电压端管理模块，因其低噪声、低成本、快速的瞬态特征等特点，广泛应用于SoC芯片设计中。如何进一步提高LDO的输出精度和瞬态响应性能，一直是现实应用中的迫切需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。本专利技术解决其技术问题的解决方案是：一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端、接地端、偏置电路和控制电路；所述偏置电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和电阻，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的栅极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极、第六晶体管的源极均与输入电压端连接，所述第一晶体管的栅极分别与第四晶体管的栅极、第六晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的漏极分别与第三晶体管的栅极、第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极分别与第四晶体管的漏极、第五晶体管的漏极、第五晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的栅极与第七晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的漏极分别与第六晶体管的漏极、第六晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的源极与电阻的上端连接，所述电阻的下端、第五晶体管的源极、第二晶体管的源极分别与接地端连接；所述控制电路包括：第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管和功率管，所述第八晶体管的源极、第十二晶体管的源极、第十四晶体管的源极和功率管的源极均与输入电压端连接，所述第九晶体管的源极与第八晶体管的漏极连接，所述第八晶体管的栅极与第六晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的栅极分别与第十四晶体管的栅极、第十二晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的漏极分别与第九晶体管的栅极、第十晶体管的源极连接，所述第十晶体管的栅极分别与第十晶体管的漏极、第十六晶体管的栅极连接，所述第十晶体管的漏极与第十一晶体管的漏极连接，所述第十一晶体管的栅极分别与第十一晶体管的漏极、第十七晶体管的栅极连接，所述第十二晶体管的漏极分别与第十三晶体管的漏极、第十五晶体管的栅极连接，所述第十五晶体管的漏极分别与第十四晶体管的漏极、功率管的栅极连接，所述功率管的漏极、第十六晶体管的源极、第十八晶体管的漏极、第十八晶体管的栅极、第十九晶体管的栅极均与输出电压端连接，所述第十八晶体管的源极分别与第十三晶体管的栅极、第十九晶体管的漏极连接，所述第十三晶体管的源极、第十一晶体管的源极、第十七晶体管的源极、第十九晶体管的源极均接地端连接。进一步，所述第一晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第六晶体管均为PMOS晶体管，所述第二晶体管、第五晶体管和第七晶体管均为NMOS晶体管。进一步，所述第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十二晶体管、第十四晶体管、第十六晶体管和功率管均为PMOS晶体管，所述第十一晶体管、第十三晶体管、第十五晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管和第十九晶体管均为NMOS晶体管。本专利技术的有益效果是：通过第十四晶体管、第十五晶体管和功率管组成电压翻转跟随器结构，并利用偏置电路和控制电路，提高了整个电路的瞬态响应能力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术创造实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本专利技术创造的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他设计方案和附图。图1是基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路的电路连接结构示意图。具体实施方式本部分将详细描述本专利技术创造的具体实施例，本专利技术创造之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本专利技术创造的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本专利技术创造保护范围的限制。在本专利技术创造的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术创造和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术创造的限制。在本专利技术创造的描述中，如果具有“若干”之类的词汇描述，其含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。本专利技术创造的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术创造中的具体含义。实施例1，参考图1，一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端VDD、输出电压端VOUT和接地端GND。还包括：偏置电路100和控制电路200。所述偏置电路100包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7和电阻Rs，所述第一晶体管M1的源极、第二晶体管M2的栅极、第三晶体管M3的源极、第四晶体管M4的源极、第六晶体管M6的源极均与输入电压端VDD连接，所述第一晶体管M1的栅极分别与第四晶体管M4的栅极、第六晶体管M6的栅极连接，所述第一晶体管M1的漏极分别与第三晶体管M3栅极、第二晶体管M2的漏极连接，所述第三晶体管M3的漏极分别与第四晶体管M4的漏极、第五晶体管M5的漏极、第五晶体管M5的栅极连接，所述第五晶体管M5的栅极与第七晶体管M7的栅极连接，所述第七晶体管M7的漏极分别与第六晶体管M6的漏极、第六晶体管M6的栅极连接，所述第七晶体管M7的源极与电阻Rs的上端连接，所述电阻Rs的下端、第五晶体管M5的源极、第二晶体管M2的源极分别与接地端GND连接。所述控制电路200包括：第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13、第十四晶体管M14、第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18、第十九晶体管M19和功率管MP，所述第八晶体管M8的源极、第十二晶体管M12的源极、第十四晶体管M14的源极和功率管MP的源极均与输入电压端VDD连接，所述第九晶体管M9的源极与第八晶体管M8的漏极连接，所述第八晶体管M8的栅极与第六晶体管M6的栅极连接，所述第九晶体管M9的栅极分别与第十四晶体管M14的栅极、第十二晶体管M12的栅极连接，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端和接地端，其特征在于，还包括：/n偏置电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和电阻，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的栅极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极、第六晶体管的源极均与输入电压端连接，所述第一晶体管的栅极分别与第四晶体管的栅极、第六晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的漏极分别与第三晶体管的栅极、第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极分别与第四晶体管的漏极、第五晶体管的漏极、第五晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的栅极与第七晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的漏极分别与第六晶体管的漏极、第六晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的源极与电阻的上端连接，所述电阻的下端、第五晶体管的源极、第二晶体管的源极分别与接地端连接；/n控制电路，包括：第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管和功率管，所述第八晶体管的源极、第十二晶体管的源极、第十四晶体管的源极和功率管的源极均与输入电压端连接，所述第九晶体管的源极与第八晶体管的漏极连接，所述第八晶体管的栅极与第六晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的栅极分别与第十四晶体管的栅极、第十二晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的漏极分别与第九晶体管的栅极、第十晶体管的源极连接，所述第十晶体管的栅极分别与第十晶体管的漏极、第十六晶体管的栅极连接，所述第十晶体管的漏极与第十一晶体管的漏极连接，所述第十一晶体管的栅极分别与第十一晶体管的漏极、第十七晶体管的栅极连接，所述第十二晶体管的漏极分别与第十三晶体管的漏极、第十五晶体管的栅极连接，所述第十五晶体管的漏极分别与第十四晶体管的漏极、功率管的栅极连接，所述功率管的漏极、第十六晶体管的源极、第十八晶体管的漏极、第十八晶体管的栅极、第十九晶体管的栅极均与输出电压端连接，所述第十八晶体管的源极分别与第十三晶体管的栅极、第十九晶体管的漏极连接，所述第十三晶体管的源极、第十一晶体管的源极、第十七晶体管的源极、第十九晶体管的源极均接地端连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端和接地端，其特征在于，还包括：
偏置电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和电阻，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的栅极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极、第六晶体管的源极均与输入电压端连接，所述第一晶体管的栅极分别与第四晶体管的栅极、第六晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的漏极分别与第三晶体管的栅极、第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极分别与第四晶体管的漏极、第五晶体管的漏极、第五晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的栅极与第七晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的漏极分别与第六晶体管的漏极、第六晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的源极与电阻的上端连接，所述电阻的下端、第五晶体管的源极、第二晶体管的源极分别与接地端连接；
控制电路，包括：第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管和功率管，所述第八晶体管的源极、第十二晶体管的源极、第十四晶体管的源极和功率管的源极均与输入电压端连接，所述第九晶体管的源极与第八晶体管的漏极连接，所述第八晶体管的栅极与第六晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的栅极分别与第十四晶体管的栅极、第十二晶体管的栅极连接，所述第九...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁纬，段志奎，于昕梅，蒋业文，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：广东;44