一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端、接地端、偏置电路和控制电路。通过第十四晶体管、第十五晶体管和功率管组成电压翻转跟随器结构，并利用偏置电路和控制电路，提高了整个电路的瞬态响应能力。本发明专利技术主要用于集成电路技术领域。

A push-pull LDO circuit based on voltage flip follower structure

【技术实现步骤摘要】
一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路。
技术介绍
随着半导体工艺技术的飞速发展，集成电路的供电电压越来越低，这对输入电压端的输出电压精度、响应速度、噪声性能等提出了越来越高的要求。因此，输入电压端管理模块在电子工业中扮演角色越来越重要。而LDO作为重要的输入电压端管理模块，因其低噪声、低成本、快速的瞬态特征等特点，广泛应用于SoC芯片设计中。如何进一步提高LDO的输出精度和瞬态响应性能，一直是现实应用中的迫切需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。本专利技术解决其技术问题的解决方案是：一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端、接地端、偏置电路和控制电路；所述偏置电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端和接地端，其特征在于，还包括：/n偏置电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和电阻，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的栅极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极、第六晶体管的源极均与输入电压端连接，所述第一晶体管的栅极分别与第四晶体管的栅极、第六晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的漏极分别与第三晶体管的栅极、第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极分别与第四晶体管的漏极、第五晶体管的漏极、第五晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的栅极与第七晶体管的栅极连接，所述第七晶...

【技术特征摘要】
1.一种基于电压翻转跟随器结构的推挽式LDO电路，包括：输入电压端、输出电压端和接地端，其特征在于，还包括：
偏置电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和电阻，所述第一晶体管的源极、第二晶体管的栅极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极、第六晶体管的源极均与输入电压端连接，所述第一晶体管的栅极分别与第四晶体管的栅极、第六晶体管的栅极连接，所述第一晶体管的漏极分别与第三晶体管的栅极、第二晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极分别与第四晶体管的漏极、第五晶体管的漏极、第五晶体管的栅极连接，所述第五晶体管的栅极与第七晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的漏极分别与第六晶体管的漏极、第六晶体管的栅极连接，所述第七晶体管的源极与电阻的上端连接，所述电阻的下端、第五晶体管的源极、第二晶体管的源极分别与接地端连接；
控制电路，包括：第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管、第十八晶体管、第十九晶体管和功率管，所述第八晶体管的源极、第十二晶体管的源极、第十四晶体管的源极和功率管的源极均与输入电压端连接，所述第九晶体管的源极与第八晶体管的漏极连接，所述第八晶体管的栅极与第六晶体管的栅极连接，所述第九晶体管的栅极分别与第十四晶体管的栅极、第十二晶体管的栅极连接，所述第九...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁纬，段志奎，于昕梅，蒋业文，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：广东;44