硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板技术

技术编号:23603759 阅读:33 留言:0更新日期:2020-03-28 05:06
本发明专利技术提供了一种硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板,所述硅基液晶器件包括:衬底;至少两个像素电极,排布于所述衬底上,且相邻两个所述像素电极的侧壁的顶部相对于底部靠拢;以及,绝缘阻隔层,位于所述衬底上并填充于相邻两个所述像素电极的侧壁之间,以使得相邻两个所述像素电极通过所述绝缘阻隔层相隔离。本发明专利技术的技术方案使得硅基液晶器件能够避免杂光反射进入到硅基液晶光学系统中,进而避免降低影像的对比度,且使得光反射率得到提高,进而使得硅基液晶显示面板的显示效果得到提升。

Silicon based liquid crystal device and its manufacturing method and silicon based liquid crystal display panel

【技术实现步骤摘要】
硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示领域,特别涉及一种硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板。
技术介绍
硅基液晶(LiquidCrystalonsilicon,LCOS)显示面板是一种反射式液晶微型面板,其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而“投射”彩色画面,具有光利用效率高、体积小、开口率高、制造技术成熟等特点,其可以很容易实现高分辨率和充分的色彩表现。硅基液晶显示面板通常包括硅基液晶器件和透明盖板,硅基液晶器件和透明盖板之间通过框胶粘合在一起,并将液晶材料封装在内。其中,硅基液晶器件的结构和性能对硅基液晶显示面板的性能具有很大的影响。参阅图1,图1是硅基液晶器件的俯视示意图,从图1中可看出,硅基液晶器件包含周期性排列的多个像素电极11,且各个像素电极11之间通过外围环绕的间隙12隔离开。现有的硅基液晶器件一般包括衬底、多个像素电极、绝缘阻隔层、绝缘钝化层和配向层,其中,像素电极和绝缘阻隔层形成于衬底上,且绝缘阻隔层填充于相邻两个像素电极之间的间隙中,以将像素电极隔离开;绝缘钝化层和配向层依次覆盖于像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基液晶器件,其特征在于,包括:/n衬底;/n至少两个像素电极,排布于所述衬底上,且相邻两个所述像素电极的侧壁的顶部相对于底部靠拢;以及,/n绝缘阻隔层,位于所述衬底上并填充于相邻两个所述像素电极的侧壁之间,以使得相邻两个所述像素电极通过所述绝缘阻隔层相隔离。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基液晶器件,其特征在于,包括:
衬底;
至少两个像素电极,排布于所述衬底上,且相邻两个所述像素电极的侧壁的顶部相对于底部靠拢;以及,
绝缘阻隔层,位于所述衬底上并填充于相邻两个所述像素电极的侧壁之间,以使得相邻两个所述像素电极通过所述绝缘阻隔层相隔离。


2.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,还包括:电介质层,形成于所述像素电极和所述衬底之间。


3.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,所述绝缘阻隔层的顶面和所述像素电极的顶面齐平,所述硅基液晶器件还包括:绝缘钝化层和配向层,依次覆盖于所述绝缘阻隔层和所述像素电极上。


4.如权利要求1所述的硅基液晶器件,其特征在于,每个所述像素电极的侧壁是倾斜设置的,且相邻两个所述像素电极的侧壁之间的距离从顶部至底部逐渐增大或者先增大后减小。


5.一种硅基液晶器件的制造方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
形成图形化的绝缘阻隔层于所述衬底上,所述图形化的绝缘阻隔层中形成有至少两个用于形成像素电极的开口,且所述开口的顶部宽度大于底部宽度;以及,
形成像素电极填充于所述开口中,相邻两个所述像素电极通过所述图形化的绝缘阻隔层相隔离,且相邻两个所述像素电极的侧壁的顶部相对于底部靠拢。


6.如权利要求5所述的硅基液晶器件的制造方法,其特征在于,在形成所述图形化的绝缘阻隔层于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:范纯圣
申请(专利权)人:豪威半导体上海有限责任公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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