一种声光晶体与换能器的键合结构及制备制造技术

技术编号:23603742 阅读:58 留言:0更新日期:2020-03-28 05:06
本发明专利技术提出一种声光晶体与换能器的键合结构及制备方法,常见的声光晶体和换能器的键合结构是通过铟冷焊工艺来键合,即在声光晶体和换能器表面分别依次镀制打底层、电极层和焊接层,本发明专利技术提出电极层同时兼作为焊接层,使用磁控溅射的方式在声光晶体和换能器表面分别依次镀制打底层和电极层,声光晶体的电极层和换能器的电极层直接键合在一起。本发明专利技术提出的声光器件键合结构更加简单,获得的膜层具有更加优良的表面质量和更高的机械强度,有效解决声光器件在减薄过程中的开裂问题。

Bonding structure and preparation of acoustooptic crystal and transducer

【技术实现步骤摘要】
一种声光晶体与换能器的键合结构及制备
本专利技术涉及一种声光器件的键合结构及制备方法,属于声光器件

技术介绍
声光器件中声光晶体和换能器在分别镀制键合层后利用键合工艺粘接在一起,常见声光器件的键合层一般由打底层、电极层、焊接层组成,焊接层选用比较软的金属(如In),将镀有键合层的声光晶体和换能器对准,通过机械加压并保持恒定压力,焊接层的金属原子相互扩散,使得声光晶体和换能器键合在一起,如图1所示。在高频声光器件中,要求键合层有很高的机械强度,因为声光晶体和换能器键合后,换能器要被减薄到小于30um的厚度,换能器减薄到如此薄的厚度很容易出现裂纹。造成换能器在减薄过程中出现裂纹的主要原因:一方面,铟层较软,膜层的机械强度较低;另一方面,蒸发铟的工艺很难控制,成膜后膜层的表面质量很差,膜层中的大颗粒造成换能器在减薄过程中碎裂。在改善焊接层的膜层质量方面采取过的措施有:调整蒸镀铟的沉积速率、离子源辅助沉积、成膜前对镀件加热。以上措施均无法明显改善膜层质量。
技术实现思路
本专利技术提出一种声光晶体与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:使用磁控溅射的方式在声光晶体和换能器表面分别依次镀制打底层和电极层,无需单独镀制焊接层,声光晶体的电极层和换能器的电极层作为焊接层直接键合在一起,通过合理选择打底层材料,并优化设计打底层和电极层的厚度,降低键合层的膜层应力,增强换能器的附着力,同时满足声阻抗匹配要求。/n

【技术特征摘要】
1.一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:使用磁控溅射的方式在声光晶体和换能器表面分别依次镀制打底层和电极层,无需单独镀制焊接层,声光晶体的电极层和换能器的电极层作为焊接层直接键合在一起,通过合理选择打底层材料,并优化设计打底层和电极层的厚度,降低键合层的膜层应力,增强换能器的附着力,同时满足声阻抗匹配要求。


2.根据权利要求1所述的一种声光晶体与换能器的键合结构及制备,其特征在于:所述声光晶体和换能器上的打底层材料为NiCr合金,电极层材料为Au。


3.根据权利要求2所述的一种声光晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:欧惠航马新建吴先云廖洪平陈秋华张星陈伟
申请(专利权)人:福建福晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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