一种低应力声光器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及声光器件，具体涉及一种低应力声光器件及其制备方法，包括：压电晶片和声光晶体，声光晶体上表面从下往上依次镀制有Cr、Au金属膜层，压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Au金属膜层，声光晶体的Au膜层和压电晶片的Au膜层键合在一起形成Cr、Au、Cr三层金属膜键合层结构。本发明专利技术的低应力声光器件采用压电晶片先研磨后键合工艺代替传统的压电晶片先键合后研磨工艺，避免了Au‑Au键合残余应力导致的压电晶片研磨开裂现象；本发明专利技术改进了Au膜层的制备工艺，Au膜层的应力明显降低，声光晶体和压电晶片键合后声光晶体没有开裂现象。

A low stress acoustooptic device and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种低应力声光器件及其制备方法
本专利技术涉及声光器件，具体涉及一种低应力声光器件及其制备方法。
技术介绍
声光器件是基于声光效应研制的光电类器件，随着声光器件向高频高功率等方向发展，声光器件的制作方法越来越多的采用了Au-Au键合工艺。如图1所示，传统的Au-Au键合的声光器件结构及其制备工艺流程包括：首先在声光晶体和压电晶片表面分别制备附着层，通常是磁控溅射铬Cr、钛Ti等金属膜层，接着在附着层上磁控溅射一层Au膜层；然后使声光晶体和压电晶片的Au膜层接触，加温加压完成键合；最后将完成键合的器件放置在研磨机内，将压电晶片研磨抛光至设计厚度。这种先Au-Au键合后压电晶片研磨的制作工艺主要存在以下问题：(1)制备的Au膜层应力较大，声光晶体和压电晶片键合后声光晶体易开裂，造成器件报废；(2)键合后的残余应力在压电晶片研磨抛光过程释放出来，引起压电晶片开裂，造成器件报废。
技术实现思路
为了解决上述声光晶体键合开裂和压电晶片研磨开裂的问题，本专利技术采用压电晶片先研磨后键合的工艺代替传统的先键合后研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低应力声光器件，包括：压电晶片和声光晶体，其特征在于，声光晶体上表面从下往上依次镀制有Cr、Au金属膜层，压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Au金属膜层，声光晶体的Au膜层和压电晶片的Au膜层键合在一起形成Cr、Au、Cr三层金属膜键合层结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种低应力声光器件，包括：压电晶片和声光晶体，其特征在于，声光晶体上表面从下往上依次镀制有Cr、Au金属膜层，压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Au金属膜层，声光晶体的Au膜层和压电晶片的Au膜层键合在一起形成Cr、Au、Cr三层金属膜键合层结构。


2.根据权利要求1所述一种低应力声光器件，其特征在于，声光晶体和压电晶片的Cr膜层厚度为10～30nm，声光晶体和压电晶片的Au膜层厚度为100～600nm。


3.根据权利要求1所述一种低应力声光器件，其特征在于，所述压电晶片采用的材料包括：铌酸锂或/和钽酸锂；所述声光晶体采用的材料包括：氧化碲或/和磷化镓。


4.一种低应力声光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用旋涂法将光刻胶涂覆在垫片下表面，然后放入80～100℃的烘箱中烘烤20～30min；
S2、将压电晶片的上表面粘贴在垫片下表面的光刻胶上，然后放在真空密封袋内密封，最后放在等静压设备中压合，压合的工作压强为5～10Mpa；
S3、将压合好的压电晶片放在研磨机内研磨抛光；
S4、依次采用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗声光晶体，依次采用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗压电晶片；
S5、将声光晶体和压电晶片固定在镀膜机内，采用磁控溅射的方法分别在声光晶体和压电晶片表面依次镀制Cr膜层、Au膜层；
S6、通过键合设备将声光晶体和压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹家强，吴中超，王晓新，刘保见，吴畏，陈虹羽，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50