一种金锡合金键合层结构的声光器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于声光器件领域，具体涉及一种金锡合金键合层结构的声光器件及其制备方法，所述声光器件包括声光晶体和压电晶片，所述声光晶体与所述压电晶片之间通过键合连接；其特征在于，所述声光晶体的表面依次镀制有钛薄膜、氮化钛薄膜以及金锡合金薄膜；所述压电晶片的表面依次镀制有钛薄膜、氮化钛薄膜以及金锡合金薄膜；声光晶体表面的金锡合金薄膜与压电晶片表面的金锡合金薄膜键合；本发明专利技术通过采用金锡合金作为焊接层，具备更好的热稳定性和化学稳定性，能有效提升器件的可靠性。

An acoustooptic device with gold tin alloy bonding layer structure and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种金锡合金键合层结构的声光器件及其制备方法
本专利技术属于声光器件领域，具体涉及一种金锡合金键合层结构的声光器件及其制备方法。
技术介绍
声光器件是基于声光效应研制的光电类器件，可以通过调谐的方式实现光信号强度、相位、频率调制，以及光束偏转和滤光等功能。随着光电器件向高功率、高可靠、小型化等方向发展，要求声光器件具有更大的功率承受能力和更高的衍射效率。声光器件主要由压电晶片、声光晶体和两者之间的键合层组成，压电晶片和声光晶体通常采用扩散键合工艺或熔融键合工艺粘接到一起，常见的声光器件键合层结构和键合过程示意图如图1所示。首先在声光晶体和压电晶片表面分别镀制键合层，键合层包括打底层和焊接层等薄膜，然后使声光晶体和压电晶片的焊接层薄膜接触，最后加温加压完成键合。常规的声光器件采用铬(Cr)薄膜作为打底层，锡(Sn)或锡铟合金(SnIn)薄膜作为焊接层，膜层厚度在500nm以上，常规工艺方法主要存在以下问题：1、器件的电功率承受能力低，能够施加的最大电功率为3W/mm2；2、焊接层较厚，声波传输损耗较大，影响器件衍射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金锡合金键合层结构的声光器件，包括声光晶体和压电晶片，所述声光晶体与所述压电晶片之间通过键合连接；其特征在于，所述声光晶体的表面依次镀制有钛薄膜、氮化钛薄膜以及金锡合金薄膜；所述压电晶片的表面依次镀制有钛薄膜、氮化钛薄膜以及金锡合金薄膜；声光晶体表面的金锡合金薄膜与压电晶片表面的金锡合金薄膜键合。/n

【技术特征摘要】
1.一种金锡合金键合层结构的声光器件，包括声光晶体和压电晶片，所述声光晶体与所述压电晶片之间通过键合连接；其特征在于，所述声光晶体的表面依次镀制有钛薄膜、氮化钛薄膜以及金锡合金薄膜；所述压电晶片的表面依次镀制有钛薄膜、氮化钛薄膜以及金锡合金薄膜；声光晶体表面的金锡合金薄膜与压电晶片表面的金锡合金薄膜键合。


2.根据权利要求1所述的一种金锡合金键合层结构的声光器件，其特征在于，所述钛薄膜的厚度为5～10nm，所述氮化钛薄膜的厚度为10～20nm，所述金锡合金薄膜的厚度为20～40nm。


3.根据权利要求1或2所述的一种金锡合金键合层结构的声光器件，其特征在于，所述金锡合金薄膜中金的质量百分比为70％～90％，锡的质量百分比为10％～30％。


4.一种金锡合金键合层结构的声光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
1)、采用丙酮、无水乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹家强，王晓新，吴中超，刘保见，陈虹羽，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十六研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50