一种高功率小型封装的可控硅制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高功率小型封装的可控硅，包括塑封体、引线框架散热片、引脚线和芯片，引线框架散热片上设有紧锁孔，引线框架散热片的厚度为0.85mm，芯片设置于引线框架散热片上且芯片与引线框架散热片之间通过焊料连接，引脚线封装在塑封体内并与芯片连接，管脚封装在塑封体内并与引线框架散热片连接，芯片封装在塑封体内，引线框架散热片封装在塑封体上且塑封体延伸形成填充满紧锁孔的塑封体凸起。本实用新型专利技术引线框架散热片加厚以后，散热效果强，散热效果更佳导致其功率提高，强度增加，形变量小，内部应力也大为减少，工作更稳定可靠，引线框架散热片与塑封体结构安装牢固可靠，引脚线上端封装在塑封体内结构牢固可靠。

A high power small package silicon controlled rectifier

【技术实现步骤摘要】
一种高功率小型封装的可控硅
本技术涉及半导体元件
，尤其是涉及一种高功率小型封装的可控硅。
技术介绍
电子设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分，半导体是电子设备中的重要部分之一。目前市场的小型封装的可控硅的引线框架散热片的厚度大部分为0.5mm左右，散热效果慢，散热效果不佳导致其功率低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种散热效果强、高功率小型封装的可控硅。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种高功率小型封装的可控硅，包括塑封体、引线框架散热片、引脚线和芯片，所述引线框架散热片上贯穿设有紧锁孔，所述引线框架散热片的厚度为0.85mm，所述芯片设置于引线框架散热片上且所述芯片与引线框架散热片之间通过焊料连接，所述引线框架散热片连接有管脚，所述芯片连接有两根引脚线，所述引脚线上端封装在塑封体内并与芯片连接，所述管脚上端封装在塑封体内并与引线框架散热片连接，所述芯片封装在塑封体内，所述引线框架散热片部分封装在塑封体上且塑封体向外水平延伸形成填充满紧锁孔的塑封体凸起。所述管脚位于塑封体外端面的中间位置，两根所述引脚线分别位于管脚的两侧。所述塑封体为树脂材料。所述芯片为阳极面朝下置于引线框架散热片上，所述芯片阴极区上分为G极和T极，两根所述引脚线上靠近芯片的一端分别连接有焊丝部，所述焊丝部通过连接线分别与G极和T极连接。所述引脚线上开设有若干引脚线凹槽且引脚线凹槽封装在塑封体内，所述塑封体将引脚线凹槽填充满。所述引线框架散热片上位于紧锁孔的两侧开设有凹槽,所述塑封体上向外水平延伸形成填充满凹槽的塑封体凸缘。本技术的有益效果是：引线框架散热片加厚以后，散热效果强，散热效果更佳导致其功率提高，强度增加，形变量小，内部应力也大为减少，工作更稳定可靠，引线框架散热片与塑封体结构安装牢固可靠，引脚线上端封装在塑封体内结构牢固可靠。附图说明图1为本技术的整体第一视角示意图；图2为本技术的整体第二视角示意图；图3为本技术的整体剖视图；图4为本技术的引脚线和芯片安装示意图；图中：塑封体1、塑封体凸起11、塑封体凸缘12、引线框架散热片2、紧锁孔21、凹槽22、引脚线3、引脚线凹槽31、管脚32、焊丝部33、芯片4、G极41、T1极42、连接线5、焊料6。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步描述：如图1～图4所示，一种高功率小型封装的可控硅，包括塑封体1、引线框架散热片2、引脚线3和芯片4，所述塑封体1为树脂材料，所述引线框架散热片2上贯穿设有紧锁孔21，所述引线框架散热片2的厚度为0.85mm，设置紧锁孔21起到引线框架散热片2加固封装在塑封体1上，所述芯片4设置于引线框架散热片2上且所述芯片4与引线框架散热片2之间通过焊料6连接，所述引线框架散热片2连接有管脚32，设置管脚32起到辅助散热的作用，所述管脚32位于塑封体1外端面的中间位置，两根所述引脚线3分别位于管脚32的两侧。所述芯片4连接有两根引脚线3，所述引脚线3上端封装在塑封体1内并与芯片4连接，所述引脚线3上开设有若干引脚线凹槽31且引脚线凹槽31封装在塑封体1内，设置引脚线凹槽31使得引脚线3不易被拉脱，所述塑封体1将引脚线凹槽31填充满，所述管脚32上端封装在塑封体1内并与引线框架散热片2连接，所述芯片4封装在塑封体1内，所述引线框架散热片2部分封装在塑封体1上且塑封体1向外水平延伸形成填充满紧锁孔21的塑封体凸起11，所述引线框架散热片2上位于紧锁孔21的两侧开设有凹槽22,所述塑封体1上向外水平延伸形成填充满凹槽22的塑封体凸缘12，设置塑封体凸缘12起到引线框架散热片2加固封装在塑封体1上。所述芯片4为阳极面朝下置于引线框架散热片2上，所述芯片4阴极区上分为G极41和T1极42，两根所述引脚线3上靠近芯片4的一端分别连接有焊丝部33，所述焊丝部33通过连接线5分别与G极41和T1极42连接，本技术中连接线5为铝线。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高功率小型封装的可控硅，包括塑封体(1)、引线框架散热片(2)、引脚线(3)和芯片(4)，其特征在于：所述引线框架散热片(2)上贯穿设有紧锁孔(21)，所述引线框架散热片(2)的厚度为0.85mm，所述芯片(4)设置于引线框架散热片(2)上且所述芯片(4)与引线框架散热片(2)之间通过焊料(6)连接，所述引线框架散热片(2)连接有管脚(32)，所述芯片(4)连接有两根引脚线(3)，所述引脚线(3)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(4)连接，所述管脚(32)上端封装在塑封体(1)内并与引线框架散热片(2)连接，所述芯片(4)封装在塑封体(1)内，所述引线框架散热片(2)部分封装在塑封体(1)上且塑封体(1)向外水平延伸形成填充满紧锁孔(21)的塑封体凸起(11)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高功率小型封装的可控硅，包括塑封体(1)、引线框架散热片(2)、引脚线(3)和芯片(4)，其特征在于：所述引线框架散热片(2)上贯穿设有紧锁孔(21)，所述引线框架散热片(2)的厚度为0.85mm，所述芯片(4)设置于引线框架散热片(2)上且所述芯片(4)与引线框架散热片(2)之间通过焊料(6)连接，所述引线框架散热片(2)连接有管脚(32)，所述芯片(4)连接有两根引脚线(3)，所述引脚线(3)上端封装在塑封体(1)内并与芯片(4)连接，所述管脚(32)上端封装在塑封体(1)内并与引线框架散热片(2)连接，所述芯片(4)封装在塑封体(1)内，所述引线框架散热片(2)部分封装在塑封体(1)上且塑封体(1)向外水平延伸形成填充满紧锁孔(21)的塑封体凸起(11)。


2.如权利要求1所述一种高功率小型封装的可控硅，其特征在于：所述管脚(32)位于塑封体(1)外端面的中间位置，两根所述引脚线(3)分别位于管脚(32)的两侧。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈骆峥晗，徐洪祥，
申请(专利权)人：绍兴怡华电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33